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B72210P2301K302	0.3049	RFQ	7764	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210p		285 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210P2301K302	귀 99	8533.40.4000	1,000			300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	3.5 ka	65J
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B72220S0271K503	0.9000	RFQ	12	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm	-	B72220		850 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500			275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	8 ka	151J
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B72242L0381K102	25.0750	RFQ	6798	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		섀시 섀시	40mm		B72242L		1900 PF @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	50			385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	65 ka	800J
B72207S0140K104	0.1307	RFQ	7411	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	7mm		B72207S		2300 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72207S0140K104	귀 99	8533.40.4000	1,000			14 v	18 v	19.8 v	22 v	24.2 v	250 a	0.9J
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B88069X6173S102	2.1700	RFQ	533	epcos -tdk 전자 장치	A61	조각	활동적인	± 20%			구멍을 구멍을	축 축						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B88069X6173S102	귀 99	8536.30.8000	100	2									800 v	20000a (20ka)	아니요
B72530U1600K062	1.5700	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	높은 높은	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	1210 (3225 메트릭)	-			2000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000			60 v	85 v	90 v	100 v	110 v	1.2 ka	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

회로 회로 (2856)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²