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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	리드 리드	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	기술	승인 승인	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	극의 극의	지름	전압 - 클램핑	짐	전압- 최소 (고장)	전압- max (max) @ ipp	짐	파워 - 펄스 피크	전력선 전력선	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지	양방향 양방향	전압 -dc c 오버 (nom)	임펄스 임펄스 전류 (8/20µs)	짧게 짧게	r @ 25 ° C	현재 - 상태 정상 최대
B88069X4860T502	0.7979	RFQ	5585	epcos -tdk 전자 장치	N81	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%				구멍을 구멍을	축 축									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	500	2																	500 v	1000a (10ka)	아니요
B72530T6400K062	0.9300	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	높은 높은	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)			표면 표면	1210 (3225 메트릭)		-				2000 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500										40 v	58 v	64.8 v	72 v	79.2 v	1 ka	4J
B72210S2301K371	0.2155	RFQ	3949	epcos -tdk 전자 장치	고급의	테이프 & t (TB)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)			구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210S			200 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S2301K371TB	귀 99	8533.40.4000	3,000										300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	3.5 ka	60J
B72542V6500K062	2.5000	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	서지 서지	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)			표면 표면, MLCV	2220 (5750 5)						3000 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	600										50 v	65 v	73.8 v	82 v	90.2 v	4.5 ka	15J
B72220P3681K502	1.4113	RFQ	5547	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)			구멍을 구멍을	20mm			B72220p			450 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220P3681K502	귀 99	8533.40.4000	1,600										680 v	895 v	990 v	1.1 kV	1.21 kV	10 ka	595J
B72500V2170K060	-	RFQ	9821	epcos -tdk 전자 장치	SMD Varistors	상자	쓸모없는		-55 ° C ~ 85 ° C (TA)			표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)		-				50 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B72500V2170K060	귀 99	8533.40.4000	4,000										17 v	22 v	24.3 v	27 v	29.7 v	10 a	0.1J
B88069X6253T802	2.5800	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	EB0	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%				표면 표면	3-smd 실린더 d 끝									다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	800	3																	90 v	20000a (20ka)	아니요
B72205S0750K101	0.3800	RFQ	34	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)			구멍을 구멍을	5mm			B72205S			210 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000										75 v	100 v	108 v	120 v	132 v	400 a	2.5J
B88069X2391B502	1.1320	RFQ	3753	epcos -tdk 전자 장치	T80	쟁반	활동적인	-				사용자 사용자	실린더 실린더 없습니다									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	500	3																	90 v	1000a (10ka)	예
B72210S0321K151	0.4800	RFQ	396	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)			구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210S			185 PF @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000										320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	2.5 ka	50J
B74121G0160M060	0.2700	RFQ	20	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	범용		표면 표면	0201 (0603 메트릭)	제너		B74121			5pf @ 1MHz		0201	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20,000				16V (최대)	17V	28V (유형)	16A	-	아니요								1
B72210S0551K392	0.4430	RFQ	4262	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & t (TB)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)			구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210S			120 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S0551K392TB	귀 99	8533.40.4000	3,000										550 v	745 v	819 v	910 v	1.001 kv	2.5 ka	60J
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B72587J3200K037	-	RFQ	4859	epcos -tdk 전자 장치	SHCV	테이프 & tr (TR)	활동적인			범용		구멍을 구멍을	방사형				혼합 혼합			1	-	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	5,000			58V
B72210S0321K392	0.4800	RFQ	9	epcos -tdk 전자 장치	기준	컷 컷 (CT)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)			구멍을 구멍을	디스크 10mm		-	B72210S			185 PF @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500										320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	2.5 ka	50J
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B72530E1200K062	0.2295	RFQ	2901	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, e	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TA)			표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)						1500 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000										20 v	26 v	29.7 v	33 v	36.3 v	400 a	1.9J
B72214T2321K105	1.6900	RFQ	35	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)			구멍을 구멍을	3-sip		열 열	B72214T			370 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	980										320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	6 ka	136J
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B72214T2321K102	-	RFQ	9609	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)			구멍을 구멍을	14mm		-	B72214T				1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214T2321K102	귀 99	8533.40.4000	1																-
B72580T6750K072	0.3240	RFQ	8452	epcos -tdk 전자 장치	서지 서지	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)			표면 표면, MLCV	1812 (4532 메트릭)						320 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,000										75 v	100 v	108 v	120 v	132 v	400 a	2.5J
B72724A2170S162	0.5700	RFQ	24	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)			표면 표면, MLCV	0612 (1632 메트릭)						75 PF @ 1 MHz	4		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000										17 v	22 v	25 v	32.5 v	40 v	30 a	0.075J
B72530G0300K062	0.2246	RFQ	2400	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, g	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TA)			표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)						1500 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	495-B72530G0300K062TR	귀 99	8533.40.4000	2,000										30 v	38 v	42.3 v	47 v	51.7 v	300 a	2J
B72520T0500S162	-	RFQ	5736	epcos -tdk 전자 장치	칩 칩	상자	쓸모없는		-			표면 표면, MLCV	1206 (3216 메트릭)		-					1		-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B72520T0500S162	귀 99	8533.40.4000	4,000																-
B88069X5690T502	1.9100	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	ef	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%				구멍을 구멍을	축 축									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8535.40.0000	500	2																	2500 v	2500A (2.5KA)	아니요
B72650M0350K093	0.3956	RFQ	8296	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-			표면 표면, MLCV	3225 (8063 메트릭)							1		-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000										35 v	45 v	50.4 v	56 v	61.6 v	100 a	1.1J
B72207S0301K211	0.4100	RFQ	5	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)			구멍을 구멍을	7mm			B72207S			100 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000										300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	1.2 ka	23J
B72587G3140S253	-	RFQ	1581	epcos -tdk 전자 장치	SHCV	테이프 & tr (TR)	활동적인			범용		구멍을 구멍을	방사형				혼합 혼합			1	-	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500			40V
B57234S0479M051	1.8600	RFQ	115	epcos -tdk 전자 장치	S234	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%			0.295 "(7.50mm)							ul				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8533.40.8070	1,000		0.591 "(15.00mm)																			4.7 옴	6.6 a
B72250L0441K102	19.0379	RFQ	6562	epcos -tdk 전자 장치	Highe, LS50	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)			볼트 볼트	57mm			B72250L			3000 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	90										440 v	585 v	643.5 v	715 v	786.5 v	75 ka	1580J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

회로 회로 (2856)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²