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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지
B72220S0110K101	0.9400	RFQ	7	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20mm	B72220	23000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	250	11 v	14 v	16.2 v	18 v	19.8 v	2 ka	10J
B72214S0250K151	0.6000	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm	B72214S	400 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,500	25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	1 ka	7J
B72580V0950S172	-	RFQ	4156	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	1812 (4532 메트릭)		250 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	3,000	95 v	125 v		150 v	180 v	250 a	2.8J
B72240B0231K001	28.2600	RFQ	29	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	기준 기준	B72240B	5600 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	10	230 v	300 v	324 v	360 v	396 v	40 ka	460J
B72220S2171K101	0.9900	RFQ	48	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20mm	B72220	1350 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	250	175 v	225 v	243 v	270 v	297 v	10 ka	135J
B72210S2211K101	0.1645	RFQ	3430	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm	B72210S	290 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	500	210 v	270 v	297 v	330 v	363 v	3.5 ka	42J
B72205S0441K101	0.1343	RFQ	1750	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	5mm	B72205S	37 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	5,000	440 v	585 v	643.5 v	715 v	786.5 v	400 a	16J
B72214S1170K552	0.4400	RFQ	6578	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm	B72214S	8.2 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	3,000	17 v	20 v	24.3 v	27 v	29.7 v	1 ka	5J
B72280B0751K001	220.3100	RFQ	24	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다	B72280B	4800 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	5	750 v	970 v	1.08 kV	1.2kV	1.32 kV	100 ka	4000J
B72210S0111K101	0.5100	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm	B72210S	580 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	500	115 v	150 v	162 v	180 v	198 v	2.5 ka	18J
B72214S0950K101	0.5100	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm	B72214S	1200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	500	95 v	125 v	135 v	150 v	165 v	4.5 ka	25J
B72210S2511K101	0.9200	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm	B72210S	140 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	500	510 v	670 v	738 v	820 v	902 v	3.5 ka	80J
B72207S0350K101	0.4800	RFQ	97	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm	B72207S	1050 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,000	35 v	45 v	50.4 v	56 v	61.6 v	250 a	2.5J
B72220S2321K101	0.9900	RFQ	48	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20mm	B72220	1000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	250	320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	10 ka	273J
B72220S0231K101	0.9400	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20mm	B72220	1000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	250	230 v	300 v	324 v	360 v	396 v	8 ka	130J
B72240B0461K001	31.9900	RFQ	118	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	기준 기준	B72240B	1600 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	10	460 v	615 v	675 v	750 v	825 v	40 ka	1000J
B72210S0271K551	0.4800	RFQ	780	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm	B72210S	220 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,000	275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	2.5 ka	43J
CN0603K11G	-	RFQ	6786	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)	CN0603		1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	8,000	11 v	14 v	16.2 v	18 v	19.8 v	30 a	0.2J
B72232B0151K001	19.6200	RFQ	34	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다	B72232B	3700 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	10	150 v	200 v	216 v	240 v	264 v	25 ka	240J
B72214S0500K151	0.6000	RFQ	138	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm	B72214S	1800 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,500	50 v	65 v	73.8 v	82 v	90.2 v	4.5 ka	15J
B72205S0271K311	0.4600	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	5mm	B72205S	60 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,500	275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	400 a	8.6J
B72660M0131K093	1.2200	RFQ	353	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	2-SMD, J-LEAD		200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,000	130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	1.2 ka	9.5J
B72214S0140K551	0.2107	RFQ	8772	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm	B72214S	9950 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	3,000	14 v	18 v	19.8 v	22 v	24.2 v	1 ka	4J
B72520V0200K062	-	RFQ	3275	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	표면 표면, MLCV	1206 (3216 메트릭)			1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	3,000	20 v	26 v	29.7 v	33 v	36.3 v	200a	0.7J
B72207S0271K101	0.4800	RFQ	788	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm	B72207S	110 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,000	275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	1.2 ka	21J
B72210S0381K101	0.5100	RFQ	217	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm	B72210S	175 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	500	385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	2.5 ka	40J
B72210S0400K151	0.4800	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm	B72210S	2100 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,500	40 v	56 v	61.2 v	68 v	74.8 v	500 a	6.4J
CN1206L8G	-	RFQ	9483	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	표면 표면, MLCV	1206 (3216 메트릭)	CN1206		1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	귀 99	8533.40.4000	3,000	8 v	11 v	12.75 v	15 v	17.25 v	200a	0.5J
B72540V3140S272	-	RFQ	5260	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	2220 (5750 5)		15000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	3,000	14 v	16 v		22 v	27 v	1.2 ka	5.8J
B72210S0151K501	0.1700	RFQ	9842	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm	B72210S	430 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	500	150 v	200 v	216 v	240 v	264 v	2.5 ka	24J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

회로 회로 (2856)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²