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B88069X4911T902	0.9000	RFQ	850	epcos -tdk 전자 장치	es	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 15%						표면 표면	2-SMD 실린더 d 끝								다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	900	2													350 v	5000A (5ka)	아니요
B88069X0880S102	1.6100	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	EC	조각	활동적인	± 20%						구멍을 구멍을	축 축								다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	100	2													150 v	5000A (5ka)	아니요
B72210S1140K551	1.2400	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)					구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210S		5200 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500							14 v	16 v	19.8 v	22 v	24.2 v	500 a	2J
B59217J0130A020Z5	-	RFQ	8478	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	대부분	활동적인	± 25%			0.394 "(10.00mm)								ur				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	500						-												56 옴
B88069X380S102	1.3900	RFQ	7	epcos -tdk 전자 장치	여자 여자	조각	활동적인	-						구멍을 구멍을	축 축								다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	100	2													270 v	2500A (2.5KA)	아니요
B88069X5411T502	0.6089	RFQ	8593	epcos -tdk 전자 장치	여자 여자	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%						구멍을 구멍을	축 축								다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	500	2													900 v	2000a (2ka)	아니요
B72214T2251K105	0.8304	RFQ	5725	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)					구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드		열 열	B72214T		490 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	T14K250E2	귀 99	8533.40.4000	980							250 v	320 v	351 v	390 v	429 v	3 ka	100J
B72530G1250K062	0.2246	RFQ	8187	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, g	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TA)					표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)					2200 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	495-B72530G1250K062TR	귀 99	8533.40.4000	2,000							25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	300 a	1.7J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

회로 회로 (2856)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²