RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

회로 회로 (2856)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	등급	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	승인 승인	커패시턴스 @ 주파수	두께 (최대)	회로 회로	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	극의 극의	현재 - 최대	전압 - 최대	현재 -홀드 (ih) (최대)	현재- it (it)	저항- r (RI) (Min)	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지	전압 -dc c 오버 (nom)	임펄스 임펄스 전류 (8/20µs)	짧게 짧게	저항 -25 ° C (유형)
B72580E0140K062	1.2700	RFQ	10	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, e	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TA)					표면 표면, MLCV	1812 (4532 메트릭)				4500 PF @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500							14 v	18 v	19.8 v	22 v	24.2 v	800 a	2.3J
B72210S0500K551	0.4800	RFQ	13	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		950 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500							50 v	65 v	73.8 v	82 v	90.2 v	2.5 ka	8.4J
B59970C0130A070	1.0200	RFQ	392	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.197 "(5.00mm)	0.256 "dia x 0.138"t (6.50mm x 3.50mm)	0.394 "(10.00mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	세라믹		ur, vde		-		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	500		1 a	80V	150 MA	240 MA												20 옴
B88069X8061T602	-	RFQ	7510	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는															-	rohs 준수	1 (무제한)		495-B88069X8061T602TR	쓸모없는		600
B59890C0080A054	-	RFQ	1671	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		0 ° C ~ 60 ° C	-	0.197 "(5.00mm)	0.157 "dia x 0.197"t (4.00mm x 5.00mm)	0.295 "(7.50mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	세라믹		ur, vde		-		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	2,000		200 MA	265V	15 MA	40 MA												150 옴
B88069X8470B252	2.5400	RFQ	875	epcos -tdk 전자 장치	T81	쟁반	활동적인	± 20%						구멍을 구멍을	축 축, 3 실린더 (t- 형)							-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	250	3													230 v	1000a (10ka)	아니요
B88069X9361B502	1.3700	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	G31	쟁반	활동적인	± 20%						구멍을 구멍을	축 축							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	2,000	2													90 v	1000a (1ka)	아니요
B59874C0120A070	1.6000	RFQ	5081	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	활동적인		0 ° C ~ 60 ° C	-	0.197 "(5.00mm)	0.354 "dia x 0.197"t (9.00mm x 5.00mm)	0.492 "(12.50mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	세라믹		ur		-		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	500		1 a	265V	60 MA	125 MA												55 옴
B59301P1120A062	2.2400	RFQ	37	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, B59301	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 60 ° C	AEC-Q200	-	0.394 "LX 0.315"W (10.00mm x 8.00mm)	-	표면 표면	4032 (10080 메트릭)	세라믹		-		0.150 "(3.80mm)		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	1,000		1.6 a	24V	310 MA	640 MA	1.85 옴											3.1
B72240L0381K100	9.8626	RFQ	4178	epcos -tdk 전자 장치	Highe	상자	활동적인							섀시 섀시	37.5mm, 형성된 탭		B72240L				1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250							385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	40 ka	800J
B88069X6381T902	0.4620	RFQ	2874	epcos -tdk 전자 장치	es	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%						표면 표면	2-SMD 실린더 d 끝							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	900	2													150 v	2500A (2.5KA)	아니요
B88069X2200S102	2.3500	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	A71	조각	활동적인	± 20%						구멍을 구멍을	축 축							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	100	2													3.5kV	1000a (10ka)	아니요
B88069X6420C102	1.0307	RFQ	7065	epcos -tdk 전자 장치	M51	대부분	활동적인															다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	M51A900X	귀 99	8536.30.8000	100
B72210S0171K551	0.4800	RFQ	11	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		380 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500							175 v	225 v	243 v	270 v	297 v	2.5 ka	28J
B59980C0080A051	1.0200	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "(5.00mm)	0.256 "dia x 0.138"t (6.50mm x 3.50mm)	0.394 "(10.00mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	세라믹		ur, vde		-		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	1,500		1 a	80V	50 MA	110 MA												25 옴
B72205S0950K111	0.1298	RFQ	1307	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	5mm		B72205S		185 PF @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,500							95 v	125 v	135 v	150 v	165 v	400 a	3.4J
B72205S0251K311	0.4600	RFQ	24	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	5mm		B72205S		65 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500							250 v	320 v	351 v	390 v	429 v	400 a	8.2J
B72520T500K84	-	RFQ	3871	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)					표면 표면	1206 (3216 메트릭)				120 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	2,000							50 v	65 v	73.8 v	82 v	90.2 v	100 a	0.6J
B72210S0171K412	0.1867	RFQ	5404	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		380 pf @ 1 kHz		1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S0171K412TR	귀 99	8533.40.4000	3,000							175 v	225 v	243 v	270 v	297 v	2.5 ka	28J
B72520V0500K072	-	RFQ	6890	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)					표면 표면, MLCV	1206 (3216 메트릭)						1	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	8,000													-
B72220S0231K101	0.9400	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	20mm		B72220		1000 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250							230 v	300 v	324 v	360 v	396 v	8 ka	130J
B72207S0421K101	0.4600	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	7mm		B72207S		75 PF @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000							420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	1.2 ka	32J
B72540V0200K062	-	RFQ	9271	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)					표면 표면, MLCV	2220 (5750 5)				7000 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500							20 v	26 v	29.7 v	33 v	36.3 v	1.2 ka	7.8J
B72220S0251K101	0.9400	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	20mm		B72220		940 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250							250 v	320 v	351 v	390 v	429 v	8 ka	140J
B72280B0681K001	139.4700	RFQ	6597	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)					섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다		B72280B		5200 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	5							680 v	895 v	990 v	1.1 kV	1.21 kV	100 ka	3600J
B88069X4421T103	0.9400	RFQ	930	epcos -tdk 전자 장치	es	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%						사용자 사용자	실린더 실린더 없습니다							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	1,000	2													90 v	2500A (2.5KA)	아니요
B72220S2511K503	1.0503	RFQ	8756	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	20mm		B72220		460 pf @ 1 kHz		1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220S2511K503	귀 99	8533.40.4000	1,500							510 v	670 v	738 v	820 v	902 v	10 ka	325J
B72210S2271K111	0.5500	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	고급의	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		220 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500							275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	3.5 ka	55J
B88069X5923T902	1.8100	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	S5B	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%						표면 표면	2-SMD 실린더 d 끝							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	900	2													90 v	1000a (10ka)	아니요
B72280B0441K001	127.6000	RFQ	6012	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)					섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다		B72280B		8100 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	5							440 v	585 v	643.5 v	715 v	786.5 v	100 ka	2350J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

회로 회로 (2856)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²