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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	리드 리드	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	승인 승인	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	극의 극의	지름	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지	전압 -dc c 오버 (nom)	임펄스 임펄스 전류 (8/20µs)	짧게 짧게	r @ 25 ° C	현재 - 상태 정상 최대	r @ current
B57464S0209M000	6.3300	RFQ	71	epcos -tdk 전자 장치	S464	대부분	활동적인	± 20%		0.295 "(7.50mm)					-			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	200		1.024 "(26.00mm)											2 옴	13.5 a
B57364S2409A2	-	RFQ	9567	epcos -tdk 전자 장치	S364	대부분	쓸모없는	± 20%		0.295 "(7.50mm)					-			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	250		0.827 "(21.00mm)											4 옴	9.5 a
B72220S0231K101	0.9400	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		B72220		1000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250			230 v	300 v	324 v	360 v	396 v	8 ka	130J
B72232B0271K001	19.6200	RFQ	297	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다		B72232B		2000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	10			275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	25 ka	360J
B57237S0220M051	1.2100	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	S237	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%		0.295 "(7.50mm)					ul			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8533.40.8070	1,000		0.591 "(15.00mm)											22 옴	2.8 a
B72314S0321K101	0.5000	RFQ	5	epcos -tdk 전자 장치	S14 소형	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm	-	B72314S		370 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72314S0321K101	귀 99	8533.40.4000	400			320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	4.5 ka	80J
B72240L0681K102	16.0300	RFQ	79	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인				섀시 섀시	37.5mm, 탭		B72240L			1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	50			680 v	895 v	990 v	1.1 kV	1.21 kV	40 ka	1100J
B57213P0470M301	1.1200	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	p13	대부분	활동적인	± 20%		0.295 "(7.50mm)					CQC, UL, VDE			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	500		0.571 "(14.50mm)											47 옴	3 a	359 Mohms
B72214P2461K351	0.7336	RFQ	4640	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214p		320 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214P2461K351TR	귀 99	8533.40.4000	3,000			460 v	615 v	675 v	750 v	825 v	6 ka	200j
B72530T1140S272	-	RFQ	6635	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)				1800 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	12,000			14 v	16 v		22 v		400 a	1.6J
B72651M0251K072	0.9400	RFQ	9565	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-		표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)	-			55 pf @ 1 kHz		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000			250 v	320 v	351 v	390 v	429 v	250 a	8.2J
B72220S0271K551	0.9000	RFQ	8	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		B72220		850 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000			275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	8 ka	151J
B57127P209M301	2.6300	RFQ	58	epcos -tdk 전자 장치	p27	대부분	활동적인	± 20%		0.295 "(7.50mm)					ul			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	200		1.201 "(30.50mm)											2 옴	23 a	22 Mohms
B72260B0251K001	64.5100	RFQ	88	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다		B72260B		7100 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	10			250 v	320 v	351 v	390 v	429 v	70 ka	800J
B72660M0110K072	1.0200	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	4032 (10080 메트릭)				2750 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000			11 v	14 v	16.2 v	18 v	19.8 v	250 a	0.8J
B72210S0171K101	0.5100	RFQ	15	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		380 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500			175 v	225 v	243 v	270 v	297 v	2.5 ka	28J
B72220T2321K101	-	RFQ	7217	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드	열 열	B72220T		540 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500			320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	10 ka	273J
B88069X3340S102	-	RFQ	2874	epcos -tdk 전자 장치	FS	대부분	쓸모없는	-			구멍을 구멍을	축 축						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	100	2									800 v	-	아니요
B72522V0200K062	-	RFQ	8216	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-		-	-						-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000									-
B88069X6990B102	2.2456	RFQ	8502	epcos -tdk 전자 장치	T6x	대부분	활동적인	-			구멍을 구멍을	축 축 축, 3 실린더 (방사형 벤드)						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	100	3									650 v	20000a (20ka)	아니요
B72530E1140S262	0.6400	RFQ	33	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, e	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)				2000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000			14 v	16 v	20.83 v	24.5 v	28.18 v	400 a	1.6J
B72220S0600K101	0.9400	RFQ	21	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		B72220		3600 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250			60 v	85 v	90 v	100 v	110 v	6.5 ka	33J
B72207S0300K101	0.4800	RFQ	16	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	7mm		B72207S		1200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000			30 v	38 v	42.3 v	47 v	51.7 v	250 a	2J
B72220S0551K101	1.4900	RFQ	7	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		B72220		410 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	200			550 v	745 v	819 v	910 v	1.001 kv	6.5 ka	210J
B88069X2930C102	2.2800	RFQ	12	epcos -tdk 전자 장치	M51	대부분	활동적인	± 20%			구멍을 구멍을	축 축						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	100	2									230 v	5000A (5ka)	아니요
B72500D0050A060	0.3600	RFQ	18	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)				470 pf @ 1 MHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,000				5.6 v	6.4 v			30 a	-
B72241L0231K100	14.1258	RFQ	6456	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인		-25 ° C ~ 85 ° C (TA)		섀시 섀시	40mm		B72241L		3200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	50			230 v	300 v	324 v	360 v	396 v	50 ka	460J
B72214S0231K551	0.2107	RFQ	9971	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		530 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000			230 v	300 v	324 v	360 v	396 v	4.5 ka	60J
B72580V0300K062	-	RFQ	1832	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	1812 (4532 메트릭)				2000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000			30 v	38 v	42.3 v	47 v	51.7 v	800 a	4.2J
B72214P2271K551	0.9400	RFQ	335	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C		구멍을 구멍을	14mm	-	B72214p		530 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500			275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	6 ka	130J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

회로 회로 (2856)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²