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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	등급	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	승인 승인	커패시턴스 @ 주파수	두께 (최대)	회로 회로	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	극의 극의	현재 - 최대	전압 - 최대	현재 -홀드 (ih) (최대)	현재- it (it)	지름	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지	전압 -dc c 오버 (nom)	임펄스 임펄스 전류 (8/20µs)	짧게 짧게	저항 -25 ° C (유형)	r @ 25 ° C	현재 - 상태 정상 최대
B57236S0309M000	1.2100	RFQ	14	epcos -tdk 전자 장치	S236	대부분	활동적인	± 20%															다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	1,000						0.453 "(11.50mm)												3 옴
B59890C0080A070	1.0500	RFQ	481	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	활동적인		0 ° C ~ 60 ° C	-	0.197 "(5.00mm)	0.157 "dia x 0.197"t (4.00mm x 5.00mm)	0.295 "(7.50mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	세라믹			ur, vde		-		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	500		200 MA	265V	15 MA	40 MA												150 옴
B72250L0441K100	20.4838	RFQ	7612	epcos -tdk 전자 장치	Highe, LS50	대부분	활동적인		-25 ° C ~ 85 ° C					볼트 볼트	57mm			B72250L		3000 pf @ 1 kHz			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	30							440 v	585 v	643.5 v	715 v	786.5 v	75 ka	1580J
B88069X8111B102	-	RFQ	4489	epcos -tdk 전자 장치	T2ES	쟁반	쓸모없는	-						-	-								-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	100															-	아니요
B72542V6300K062	3.0000	RFQ	575	epcos -tdk 전자 장치	서지 서지	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C					표면 표면, MLCV	2220 (5750 5)					10000 PF @ 1 MHz		1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	600							30 v	38 v	42.3 v	47 v	51.7 v	6 ka	15J
B72220S0102K101	2.7200	RFQ	5	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	20mm			B72220		210 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	100							1.1 kV	1.465 kV	1.62kV	1.8 kV	1.98 kV	6.5 ka	410J
B72205S0271K311	0.4600	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	5mm			B72205S		60 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500							275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	400 a	8.6J
B72580V0500K062	-	RFQ	3486	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-					표면 표면, MLCV	1812 (4532 메트릭)							1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	2,000							50 v	65 v	73.8 v	82 v	90.2 v	400 a	4.5J
B72207U2151K501	0.4100	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	snf 고급	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)					구멍을 구멍을	7mm		-	B72207U		210 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	350							150 v	200 v	216 v	240 v	264 v	1.75 ka	15J
B88069X4450C101	31.3568	RFQ	4999	epcos -tdk 전자 장치	v1x	대부분	활동적인	± 20%						구멍을 구멍을	축 축, 실린더 굽힘								다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	10	2													600 v	20000a (20ka)	아니요
B72207S0251K111	0.4100	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	7mm			B72207S		65 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000							250 v	320 v	351 v	390 v	429 v	1.2 ka	19J
B88069X5480C253	1.1339	RFQ	6087	epcos -tdk 전자 장치	T90	대부분	활동적인	± 20%						사용자 사용자	실린더 실린더 없음, 3 터미널								다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	2,500	3													350 v	5000A (5ka)	아니요
B57464S0209M000	6.3300	RFQ	71	epcos -tdk 전자 장치	S464	대부분	활동적인	± 20%			0.295 "(7.50mm)								-				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	200						1.024 "(26.00mm)												2 옴	13.5 a
B72205S2231K101	0.4600	RFQ	7679	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	5mm			B72205S		70 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000							230 v	300 v	324 v	360 v	396 v	800 a	11j
B72522V0140K072	-	RFQ	2787	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는								-								-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	12,000
B72210S0321K101	0.5100	RFQ	7	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210S		185 PF @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500							320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	2.5 ka	50J
B72214S0271K371	0.2440	RFQ	1934	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & t (TB)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	14mm			B72214S		440 pf @ 1 kHz		1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S0271K371TB	귀 99	8533.40.4000	500							275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	4.5 ka	71J
B72214T2131K101	-	RFQ	5989	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)					구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드		열 열	B72214T		650 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500							130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	6 ka	50J
B72582V0300K062	0.9700	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)					표면 표면, MLCV	1812 (4532 메트릭)					2000 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000							30 v	38 v	42.3 v	47 v	51.7 v	800 a	4.2J
B72220S2271K551	0.5414	RFQ	9622	epcos -tdk 전자 장치	고급의	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	20mm			B72220		850 pf @ 1 kHz		1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220S2271K551TR	귀 99	8533.40.4000	2,000							275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	10 ka	215J
B72214T2171K106	0.9745	RFQ	8451	epcos -tdk 전자 장치	Advanced-MP, S14	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)					구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드			B72214T		670 pf @ 1 kHz		1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214T2171K106	귀 99	8533.40.4000	980							175 v	225 v	243 v	270 v	297 v	6 ka	70J
B72210S0681K351	0.9000	RFQ	487	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)					구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210S		100 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500							680 v	895 v	990 v	1.1 kV	1.21 kV	2.5 ka	72J
B72240L0141K100	9.8626	RFQ	3046	epcos -tdk 전자 장치	Highe, LS40	대부분	활동적인							섀시 섀시	37.5mm, 형성된 탭			B72240L				1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	50							140 v	180 v	198 v	220 v	242 v	40 ka	340J
B88069X2351C102	-	RFQ	3336	epcos -tdk 전자 장치	M51	대부분	활동적인	± 20%						구멍을 구멍을	축 축								다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	100	2													90 v	5000A (5ka)	아니요
B72500T170K60	-	RFQ	9016	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-					표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)							1	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,000							17 v	22 v	24.3 v	27 v	29.7 v	30 a	0.2J
B72220S2421K101	1.3400	RFQ	7	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	20mm			B72220		550 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	200							420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	10 ka	273J
B72214S2511K102	0.5875	RFQ	9220	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	14mm			B72214S		240 pf @ 1 kHz		1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S2511K102	귀 99	8533.40.4000	1,500							510 v	670 v	738 v	820 v	902 v	5 ka	165J
B88069X6701S102	2.0400	RFQ	90	epcos -tdk 전자 장치	A71	조각	활동적인	-						구멍을 구멍을	축 축								다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	100	2													1600 v	5000A (5ka)	아니요
B57364S2259A2	-	RFQ	1584	epcos -tdk 전자 장치	S364	대부분	활동적인	± 20%			0.295 "(7.50mm)								CQC, UL, VDE				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	1,000						0.827 "(21.00mm)												2.5 옴	11 a
B88069X6990B102	2.2456	RFQ	8502	epcos -tdk 전자 장치	T6x	대부분	활동적인	-						구멍을 구멍을	축 축 축, 3 실린더 (방사형 벤드)								다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	100	3													650 v	20000a (20ka)	아니요

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

회로 회로 (2856)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²