RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

회로 회로 (2856)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	기술	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	극의 극의	전압 - 클램핑	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지	전압 -dc c 오버 (nom)	임펄스 임펄스 전류 (8/20µs)	짧게 짧게
B72214S2301K507	0.4227	RFQ	5060	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		400 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S2301K507	귀 99	8533.40.4000	3,000			300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	6 ka	125J
B72214P2271K351	0.4784	RFQ	9823	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214p		380 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214P2271K351TR	귀 99	8533.40.4000	3,000			275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	6 ka	130J
B72214S0681K503	0.5052	RFQ	6591	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		180 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S0681K503	귀 99	8533.40.4000	3,000			680 v	895 v	990 v	1.1 kV	1.21 kV	4.5 ka	140J
B72210S0271K512	0.2941	RFQ	4492	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		220 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S0271K512TR	귀 99	8533.40.4000	3,000			275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	2.5 ka	43J
B72207S0200K106	0.1307	RFQ	9278	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	7mm		B72207S		1600 PF @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72207S0200K106	귀 99	8533.40.4000	6,000			20 v	26 v	29.7 v	33 v	36.3 v	250 a	1.3J
B72214S0151K531	0.2313	RFQ	6010	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		750 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S0151K531TR	귀 99	8533.40.4000	3,000			150 v	200 v	216 v	240 v	264 v	4.5 ka	40J
B72210S0151K592	0.1867	RFQ	7523	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & t (TB)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		430 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S0151K592TB	귀 99	8533.40.4000	3,000			150 v	200 v	216 v	240 v	264 v	2.5 ka	24J
B72214P2621K502	0.5989	RFQ	3157	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214p		240 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214P2621K502	귀 99	8533.40.4000	3,000			625 v	825 v	900 v	1kv	1.1 kV	6 ka	240J
B72210P2301K192	0.3215	RFQ	9558	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & t (TB)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210p		285 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210P2301K192TB	귀 99	8533.40.4000	750			300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	3.5 ka	65J
B72210X2301K592	0.6910	RFQ	5070	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, 표준	테이프 & t (TB)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210X		285 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210X2301K592TB	귀 99	8533.40.4000	3,500			300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	3.5 ka	65J
B72214U2301K502	0.2563	RFQ	9513	epcos -tdk 전자 장치	SNF Advanced-MP	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214U		485 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214U2301K502	귀 99	8533.40.4000	3,000			300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	6 ka	140J
B88069X8061T602	-	RFQ	7510	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는												-	rohs 준수	1 (무제한)		495-B88069X8061T602TR	쓸모없는		600
B72530T6250K062	0.9300	RFQ	7	epcos -tdk 전자 장치	높은 높은	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	1210 (3225 메트릭)	-			5000 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500			25 v	36 v	40.05 v	44.5 v	48.95 v	1.5 ka	4J
B72230M0151M401	10.9100	RFQ	440	epcos -tdk 전자 장치	MT30. 1	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	상자, 4 리드	열 열	B72230m		3250 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	40			150 v	200 v	228 v	240 v	270 v	25 ka	215J
B7225M0271M201	10.8500	RFQ	392	epcos -tdk 전자 장치	MT25	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	상자, 4 리드	-	B72225m		1320 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	40			275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	20 ka	375J
B88069X1510C502	-	RFQ	1100	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	활동적인												-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	500
B88069X1360C103A2	-	RFQ	3018	epcos -tdk 전자 장치	A81	대부분	쓸모없는	± 20%			구멍을 구멍을	축 축							-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B88069X1360C103A2	쓸모없는		1	2									90 v	20000a (20ka)	아니요
B88069X6571B252	-	RFQ	7374	epcos -tdk 전자 장치	T21	대부분	쓸모없는	-			구멍을 구멍을	축 축							-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B88069X6571B252	쓸모없는		1	3										-	아니요
Z62000Z2310Z11	-	RFQ	6508	epcos -tdk 전자 장치	G14/20	대부분	활동적인			범용	구멍을 구멍을	14mm		Z62000Z2310	GDT, MOV		1	14mm	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000		580V
B72440C0050H160	-	RFQ	8280	epcos -tdk 전자 장치	-	상자	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	0201 (0603 메트릭)	-				1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B72440C0050H160	귀 99	8533.40.4000	4,000				5.5 v	11 v				-
B72590C0040B060	-	RFQ	6302	epcos -tdk 전자 장치	ceradiodes	상자	쓸모없는		-		표면 표면, MLCV	0402 (1005 메트릭)	-				1		-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B72590C0040B060	귀 99	8533.40.4000	4,000									-
B72220T 500K102	-	RFQ	7526	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm	-	B72220T			1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220T500K102	귀 99	8533.40.4000	1									-
B72214U2271K302	0.2563	RFQ	2844	epcos -tdk 전자 장치	Advanced-MP, S14	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214U		530 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214U2271K302	귀 99	8533.40.4000	3,000			275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	6 ka	130J
B88069X4033T602	-	RFQ	8872	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는												-	rohs 준수	1 (무제한)		495-B88069X4033333T602TR	쓸모없는		600
B88069X8500C203	1.0867	RFQ	4540	epcos -tdk 전자 장치	T80	대부분	활동적인	± 20%			사용자 사용자	실린더 실린더 없음, 3 터미널							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	2,000	3									350 v	1000a (10ka)	아니요
B72207S2301K302	0.1506	RFQ	1760	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	7mm		B72207S		100 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72207S2301K302	귀 99	8533.40.4000	4,000			300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	1.75 ka	30J
B72214S2421K502	0.4539	RFQ	1887	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		290 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S2421K502	귀 99	8533.40.4000	500			420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	5 ka	136J
B72220S0551K302	0.9510	RFQ	8792	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		B72220		410 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220S0551K302	귀 99	8533.40.4000	1,500			550 v	745 v	819 v	910 v	1.001 kv	6.5 ka	210J
B72214P2141K392	0.6641	RFQ	2402	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & t (TB)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214p		720 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214P2141K392TB	귀 99	8533.40.4000	500			140 v	180 v	198 v	220 v	242 v	6 ka	65J
B88069X4991B502	1.1494	RFQ	3542	epcos -tdk 전자 장치	Ezx	쟁반	활동적인	± 20%			구멍을 구멍을	축 축 축, 3 실린더 (방사형 벤드)							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8543.70.9860	500	3									90 v	5000A (5ka)	아니요

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

회로 회로 (2856)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²