RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

회로 회로 (2856)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	등급	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	승인 승인	커패시턴스 @ 주파수	두께 (최대)	회로 회로	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	극의 극의	현재 - 최대	전압 - 최대	현재 -홀드 (ih) (최대)	현재- it (it)	지름	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지	전압 -dc c 오버 (nom)	임펄스 임펄스 전류 (8/20µs)	짧게 짧게	저항 -25 ° C (유형)	r @ 25 ° C	현재 - 상태 정상 최대
B57237S0509M000	1.1800	RFQ	9	epcos -tdk 전자 장치	S237	대부분	활동적인	± 20%			0.295 "(7.50mm)							ul				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.8070	500						0.591 "(15.00mm)												5 옴	5 a
B88069X2090S102	2.3500	RFQ	9	epcos -tdk 전자 장치	A71	조각	활동적인	± 20%						구멍을 구멍을	축 축							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8535.40.0000	100	2													1200 v	1000a (10ka)	아니요
B72650M0131K093	0.3996	RFQ	8301	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-					표면 표면, MLCV	3225 (8063 메트릭)						1	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,000							130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	400 a	4.2J
B57153S150M54	0.3150	RFQ	2599	epcos -tdk 전자 장치	S153	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%			0.197 "(5.00mm)							ul				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.8070	1,000						0.335 "(8.50mm)												15 옴	1.8 a
B57364S0259M051	2.5600	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	S364	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%			0.295 "(7.50mm)							CQC, UL, VDE				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다	귀 99	8533.40.8070	1,000						0.827 "(21.00mm)												2.5 옴	11 a
B57237S259M54	-	RFQ	4065	epcos -tdk 전자 장치	S237	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%			0.295 "(7.50mm)							ul				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.8070	750						0.591 "(15.00mm)												2.5 옴	6.5 a
B72660M0600K072	1.0200	RFQ	9	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)					표면 표면, MLCV	4032 (10080 메트릭)				480 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,000							60 v	85 v	90 v	100 v	110 v	1.2 ka	4.8J
B72220S0350K101	0.9400	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	20mm		B72220		8000 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	250							35 v	45 v	50.4 v	56 v	61.6 v	2 ka	33J
B72214S0301K501	0.6000	RFQ	4710	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	14mm		B72214S		400 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	500							300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	4.5 ka	76J
B72530T0400K062	0.5700	RFQ	35	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)					표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)				500 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	2,000							40 v	56 v	61.2 v	68 v	74.8 v	250 a	2.3J
B72205S0300K101	0.3800	RFQ	35	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	5mm		B72205S		720 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,000							30 v	38 v	42.3 v	47 v	51.7 v	100 a	0.9J
B72210S0250K151	0.4800	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		3200 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,500							25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	500 a	3.7J
B59995C0120A054	-	RFQ	1549	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "(5.00mm)	0.157 "dia x 0.138"t (4.00mm x 3.50mm)	0.295 "(7.50mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	세라믹		ur		-		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다	귀 99	8533.40.8070	1,500		700 MA	30V	120 MA	240 MA												13 옴
B72240L0131K100	13.3600	RFQ	325	epcos -tdk 전자 장치	Highe, LS40	대부분	활동적인		-25 ° C ~ 85 ° C (TA)					섀시 섀시	37.5mm, 형성된 탭		B72240L		5600 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	50							130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	40 ka	310j
B72210S2271K341	0.5500	RFQ	17	epcos -tdk 전자 장치	고급의	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		220 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	500							275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	3.5 ka	55J
B88069X3780B162	-	RFQ	6306	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는							-	-							-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	쓸모없는	0000.00.0000	1
B72214S0750K101	0.5100	RFQ	9	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	14mm		B72214S		1370 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	500							75 v	100 v	108 v	120 v	132 v	4.5 ka	20J
B72207S0231K311	0.4100	RFQ	5616	epcos -tdk 전자 장치	기준	컷 컷 (CT)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	7mm		B72207S		130 PF @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,500							230 v	300 v	324 v	360 v	396 v	1.2 ka	17J
B59870C130A51	-	RFQ	4650	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		0 ° C ~ 60 ° C	-	0.197 "(5.00mm)	0.256 "dia x 0.197"t (6.50mm x 5.00mm)	0.394 "(10.00mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	세라믹		ur, vde		-		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.8070	1,500		400 MA	265V	100 MA	150 MA												50 옴
B72510V0250K062	-	RFQ	4176	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-					표면 표면, MLCV	0805 (2012 5)						1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	3,000							25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	80 a	0.3J
B72207S1140K201	0.6200	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)					구멍을 구멍을	7mm		B72207S		2300 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,000							14 v	16 v	19.8 v	22 v	24.2 v	250 a	0.9J
B72530V0110K062	-	RFQ	4243	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-					표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)						1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	3,000							11 v	14 v	16.2 v	18 v	19.8 v	400 a	1.2J
B72210S1140K102	0.8300	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)					구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		5200 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	500							14 v	16 v	19.8 v	22 v	24.2 v	500 a	2J
B72542V1300K062	-	RFQ	6680	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-					표면 표면, MLCV	2220 (5750 5)						1	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,000							30 v	34 v	42.3 v	47 v	51.7 v	1.2 ka	12j
B72660M0250K072	1.0200	RFQ	14	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)					표면 표면, MLCV	4032 (10080 메트릭)				1400 PF @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,000							25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	250 a	1.6J
B72214S0950K151	0.6000	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	14mm		B72214S		1200 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	1,500							95 v	125 v	135 v	150 v	165 v	4.5 ka	25J
B72210S2621K101	0.9200	RFQ	233	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		110 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	250							625 v	825 v	900 v	1kv	1.1 kV	3.5 ka	100J
B72214S0681K351	0.5149	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	14mm		B72214S		180 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.4000	750							680 v	895 v	990 v	1.1 kV	1.21 kV	4.5 ka	140J
B88069X2003T302	15.0900	RFQ	300	epcos -tdk 전자 장치	ln8a	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 30%						사용자 사용자	실린더 실린더 없음, 5 터미널							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8536.30.8000	150	4													1200 v	20000a (20ka)	아니요
B59970C120A54	-	RFQ	5389	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.197 "(5.00mm)	0.354 "dia x 0.138"t (9.00mm x 3.50mm)	0.492 "(12.50mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	세라믹		ur		-		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8533.40.8070	1,500		3 a	80V	150 MA	300 MA												9.4 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

회로 회로 (2856)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²