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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	리드 리드	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	승인 승인	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	극의 극의	지름	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지	전압 -dc c 오버 (nom)	임펄스 임펄스 전류 (8/20µs)	짧게 짧게	r @ 25 ° C	현재 - 상태 정상 최대	r @ current
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B72207S0140K101	0.4800	RFQ	17	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	7mm		B72207S		2300 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000			14 v	18 v	19.8 v	22 v	24.2 v	250 a	0.9J
B57213P0109M301	1.0200	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	p13	대부분	활동적인	± 20%		0.295 "(7.50mm)					CQC, UL, VDE			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	500		0.571 "(14.50mm)											1 옴	7.5 a	43 Mohms
B72520T0600K062	0.5500	RFQ	60	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	1206 (3216 메트릭)				100 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	2,000			60 v	85 v	90 v	100 v	110 v	100 a	0.7J
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B72220P3381K101	1.4400	RFQ	15	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		B72220p		800 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250			385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	12 ka	370J
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B72220T2251K101	-	RFQ	4496	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드	열 열	B72220T		700 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500			250 v	320 v	351 v	390 v	429 v	10 ka	195j
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B88069X1620T602	2.1700	RFQ	542	epcos -tdk 전자 장치	A80	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%			표면 표면	2-SMD 실린더 d 끝						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	600	2									230 v	20000a (20ka)	아니요
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B72220S3151K101	1.6600	RFQ	170	epcos -tdk 전자 장치	우수한	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		B72220		2050 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250			150 v	200 v	216 v	240 v	264 v	12 ka	150J
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B72540T0600K062	1.5300	RFQ	5	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	2220 (5750 5)				800 PF @ 1 MHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000			60 v	85 v	90 v	100 v	110 v		6.8J
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B72207S0301S311	0.1307	RFQ	2746	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	7mm		B72207S		100 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72207S0301S311TR	귀 99	8533.40.4000	5,000			300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	1.2 ka	23J
B72500T2170K60	-	RFQ	4189	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-		표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)					1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,000			17 v	22 v	24.3 v	27 v	29.7 v	10 a	0.1J
B88069X8860B502	1.2966	RFQ	2300	epcos -tdk 전자 장치	T23	대부분	활동적인	± 20%			구멍을 구멍을	축 축 축, 3 실린더 (방사형 벤드)						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	500	3									250 v	20000a (20ka)	예
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B72580T0131K072	0.9000	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	1812 (4532 메트릭)				200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000			130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	250 a	3.5J
B72214S0381K303	0.2313	RFQ	8597	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		315 PF @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S0381K303	귀 99	8533.40.4000	500			385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	4.5 ka	80J
B88069X7320C502	-	RFQ	5703	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	활동적인											-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	T20A350X	귀 99	8536.30.8000	500
B57211P0330M301	0.4850	RFQ	7521	epcos -tdk 전자 장치	P11	대부분	활동적인	± 20%		0.295 "(7.50mm)					CQC, UL, VDE			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	500		0.512 "(13.00mm)											33 옴	2.5 a	404 Mohms
B57238S0100M051	1.2800	RFQ	927	epcos -tdk 전자 장치	S238	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%		0.295 "(7.50mm)					ul			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8533.40.8070	1,000		0.630 "(16.00mm)											10 옴	5 a

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

회로 회로 (2856)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²