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회로보호(236)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 응용 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 커패시턴스 @UX 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 단방향 채널 전압 - 역방향오프 스탠드(일반) 전압 - 출력(최소) 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp 현재 -(10/1000μs) 전력 - 전력선 보호 양방향 채널
MSZ16V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ16V,LF 0.3400
보상요청
 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 MSZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 35pF @ 1MHz S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 16V 15.3V 27V(일반) 5.5A(8/20μs) 200W 아니요
DF3A6.2LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2LFV,L3F 0.2400
보상요청
 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SOT-723 제너 DF3A6.2 6.5pF @ 1MHz 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 8,000 2 - 5.9V - - - 아니요
DF3A6.8CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8CT,L3F 0.3300
보상요청
 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SC-101, SOT-883 제너 DF3A6 45pF @ 1MHz CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 2 5V(최대) 6.4V - - - 아니요
DF2S14P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S14P2CTC,L3F 0.4100
보상요청
 ECAD 43 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 DF2S14 270pF @ 1MHz CST2C 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 12.6V 12.9V - 50A - 아니요
DF2B6M4BSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4BSL,L3F 0.3800
보상요청
 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) HDMI, USB 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 0.12pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 10,000 5.5V(최대) 5.6V 15V 2A(8/20μs) 30W 아니요 1
DF5A6.2CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2CJE,LM 0.3100
보상요청
 ECAD 189 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOT-553 제너 DF5A6.2 25pF @ 1MHz ESV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 4 5V 5.8V - - - 아니요
MUZ6V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ6V2,LF 0.3500
보상요청
 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 무즈 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SC-70, SOT-323 제너 105pF @ 1MHz USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 6.2V 5.8V 10V(일반) 11A(8/20μs) 175W 아니요
DF3A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2F(TE85L,F) -
보상요청
 ECAD 3780 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 DF3A6.2 55pF @ 1MHz S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 2 3V 5.8V - - - 아니요
DF3A6.8UFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8UFU,LF 0.4000
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SC-70, SOT-323 제너 DF3A6.8 2.5pF @ 1MHz USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 2 5V(최대) - - - - 아니요
DF2B6.8FS(TPL4,D) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS(TPL4,D) -
보상요청
 ECAD 2802 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 범용 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 제너 DF2B 15pF @ 1MHz fSC 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 8,000 5V(최대) 5.8V 8.5V(표준) 1A(8/20μs) - 아니요 1
DF2S7MSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S7MSL,L3F 0.2800
보상요청
 ECAD 30 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 DF2S7 0.5pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V(최대) 6V 20V 3A(8/20μs) 60W 아니요
DF5A6.8FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8FUTE85LF 0.3700
보상요청
 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 제너 DF5A6.8 45pF @ 1MHz USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 4 5V 6.4V - - - 아니요
DF3A6.8F,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8F,LF 0.3700
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 DF3A6.8 45pF @ 1MHz S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 2 5V 6.4V - - - 아니요
CUHZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ5V6,H3F 0.4600
보상요청
 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 CUHZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 제너 860pF @ 1MHz US2H 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 3,000 1 5.6V 5.3V 5.7V(표준) 91A(8/20μs) 1750W(1.75kW) 아니요
DF2S6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8CT(TPL3) -
보상요청
 ECAD 6391 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 범용 표면 실장 SOD-882 제너 DF2S 25pF @ 1MHz 중부표준시2 - 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V 6.4V - - - 아니요
CSLZ6V8,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ6V8,L3F 0.2200
보상요청
 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 CSLZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 CSLZ 25pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 10,000 1 5V(최대) 6.4V 14.5V(표준) 2.5A(8/20μs) 105W 아니요
DF6F6.8MTU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6F6.8MTU,LF 0.1067
보상요청
 ECAD 4119 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 레일 투구 DF6F6.8 0.6pF @ 1MHz UF6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 4 5V(최대) 6V 24V 2.5A(8/20μs) - 예
MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ5V6,LF 0.3400
보상요청
 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 MSZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 125pF @ 1MHz S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 5.6V 5.3V 9V(표준) 12A(8/20μs) 155W 아니요
DF2S16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S16CT,L3F 0.1900
보상요청
 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOD-882 제너 DF2S16 10pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 12V 15.3V - - - 아니요
DF2S6P1CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P1CT,L3F 0.3800
보상요청
 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SOD-882 제너 DF2S 90pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 - 5.6V 16V 10A(8/20μs) 160W 아니요
DF5A6.8LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LJE,LM 0.3400
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOT-553 제너 DF5A6.8 6pF @ 1MHz ESV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 4 5V 6.5V - - - 아니요
DF5A6.8LFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LFUTE85LF 0.4100
보상요청
 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 제너 DF5A6.8 6pF @ 1MHz 5-SSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 4 5V 6.5V - - - 아니요
DF6D7M1N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6D7M1N,LF 0.3500
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 6-UFDFN 제너 DF6D7M1 0.3pF @ 1MHz 6-DFN(1.25x1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 5V(최대) 6V 12V(일반) 1A(8/20μs) - 아니요 2
DF6D5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6D5M4N,LF -
보상요청
 ECAD 3836 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 6-UFDFN 제너 DF6D5M4 0.2pF @ 1MHz 6-DFN(1.25x1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 3.6V(최대) 4V 15V 2A(8/20μs) 30W 아니요 2
DF2S14P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S14P2FU,H3F 0.4400
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SC-76, SOD-323 제너 DF2S14 270pF @ 1MHz USC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 12.6V(최대) 12.9V 32V 50A(8/20μs) 1600W(1.6kW) 아니요
DF2B7M2SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M2SL,L3F 0.3300
보상요청
 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 DF2B7 0.2pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 5V(최대) 6V 20V 2A(8/20μs) 40W 아니요 1
DF3D6.8MS,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MS,LF 0.2700
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SC-75, SOT-416 레일 투구 DF3D6.8 0.5pF @ 1MHz SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 2 5V(최대) 6V 11V(일반) 1A(8/20μs) - 예
CUHZ30V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ30V,H3F 0.3600
보상요청
 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 CUHZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 제너 125pF @ 1MHz US2H 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28V 33.8V(표준) 26A(8/20μs) 2100W(2.1kW) 아니요
DF2S5.6CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.6CT,L3F 0.1900
보상요청
 ECAD 29 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOD-882 제너 DF2S5.6 40pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 3.5V 5.3V - - - 아니요
MUZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ30V,LF 0.3500
보상요청
 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 무즈 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SC-70, SOT-323 제너 21pF @ 1MHz USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28V 47.5V(표준) 4A(8/20μs) 200W 아니요
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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