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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 응용 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 커패시턴스 @UX 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 단방향 채널 전압 - 역오프(일반 스탠드) 전압 - 출력(최소) 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp 현재 -(10/1000μs) 전력 - 전력선 보호 양방향 채널
MUZ12V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ12V,LF 0.3500
보상요청
ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 무즈 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SC-70, SOT-323 제너 44pF @ 1MHz USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 12V 11.4V 26V(일반) 7A(8/20μs) 200W 아니요
CUHZ8V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ8V2,H3F 0.4600
보상요청
ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 CUHZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 제너 450pF @ 1MHz US2H 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 8.2V 7.7V 8.5V(표준) 68A(8/20μs) 1900W(1.9kW) 아니요
DF2B6M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4CT,L3F 0.3100
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ECAD 39 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-882 제너 DF2B6 0.2pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 5.5V(최대) 5.6V 15V 2A(8/20μs) 30W 아니요 1
MSZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ30V,LF 0.3400
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 MSZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 21pF @ 1MHz S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28V 47.5V(표준) 4A(8/20μs) 200W 아니요
DF2S6M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M4CT,L3F 0.2900
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ECAD 30 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-882 제너 DF2S6 0.35pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5.5V(최대) 5.6V 15V 2A(8/20μs) 30W 아니요
DF3D18FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D18FU,LF 0.3900
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ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - - 표면 실장 SC-70, SOT-323 제너 DF3D18 9pF @ 1MHz USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 12V 16.2V 33V 2.5A(8/20μs) 80W 아니요 2
DF2S6.8MFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS, L3M 0.3700
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ECAD 30 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-923 제너 DF2S6.8 0.45pF @ 1MHz SOD-923 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V(최대) 6V 15V 3A 45W 아니요
DF2B12M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M4SL,L3F 0.3200
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 DF2B12 0.2pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 11V(최대) 11.5V 22V 1A(8/20μs) 22W 아니요 1
DF2S6.8UFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8UFS,L3M 0.3400
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ECAD 100 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - 범용 표면 실장 SOD-923 제너 DF2S6.8 1.6pF @ 1MHz SOD-923 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 19V(최대) 5.3V, 22V - - - 아니요
DF2B5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M5CT,L3F 0.4800
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ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SOD-882 제너 0.3pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 3.3V(최대) 3.6V 15V 2.5A(8/20μs) 37W 아니요 1
DF2S10FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S10FS,L3M 0.1700
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ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOD-923 제너 DF2S10 16pF @ 1MHz SOD-923 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 8V(최대) 9.4V - - - 아니요
DF2B6USL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6USL,L3F 0.3100
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ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 DF2B6 1.5pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 5.5V(최대) 5.7V 20V 1.5A(8/20μs) 30W 아니요 1
DF2B7AE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AE,L3F 0.2200
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ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SC-79, SOD-523 제너 DF2B7 8.5pF @ 1MHz ESC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 8,000 5.5V(최대) 5.8V 20V 4A(8/20μs) 80W 아니요 1
DF2S8.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2ASL,L3F 0.2000
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ECAD 170 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 DF2S8.2 20pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 6.5V(최대) 7.7V - - - 아니요
CUHZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ24V,H3F 0.3600
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ECAD 5063 0.00000000 도시바 및 저장 CUHZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 제너 150pF @ 1MHz US2H 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 24V 22.8V 25.5V(표준) 27A(8/20μs) 2100W(2.1kW) 아니요
DF2S6.2FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2FS,L3M 0.1800
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ECAD 125 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOD-923 제너 DF2S6.2 32pF @ 1MHz SOD-923 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V 5.8V - - - 아니요
CSLZ10V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V,L3F 0.2200
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ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 CSLZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 CSLZ 16pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 10,000 1 8V(최대) 9.4V 18V(일반) 2.5A(8/20μs) 60W 아니요
DF2B6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5CT,L3F 0.4900
보상요청
ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SOD-882 제너 0.3pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 5V(최대) 5.5V 15V 2.5A(8/20μs) 37W 아니요 1
DF3A6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8CT(TPL3) -
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ECAD 2063년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SC-101, SOT-883 제너 DF3A6.8 45pF @ 1MHz CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 2 5V 6.4V - - - 아니요
DF3D6.8MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFV,L3F 0.5550
보상요청
ECAD 9890 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - 범용 표면 실장 SOT-723 레일 투구 DF3D6.8 0.5pF @ 1MHz 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 8,000 2 5V(최대) 6V 15V(표준) 1A(8/20μs) -
CSLZ20V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ20V,L3F 0.2200
보상요청
ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 CSLZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 CSLZ 9.5pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 10,000 1 15V(최대) 18.8V 30V(일반) 2.5A(8/20μs) - 아니요
CUHZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ36V,H3F 0.3600
보상요청
ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 CUHZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 제너 105pF @ 1MHz US2H 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 36V 34V 41.2V(표준) 23A(8/20μs) 2100W(2.1kW) 아니요
DF6D6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6D6M4N,LF -
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ECAD 8348 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 6-UFDFN 제너 DF6D6M4 0.2pF @ 1MHz 6-DFN(1.25x1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 5.5V(최대) 5.6V 15V 2A(8/20μs) 30W 아니요 2
DF5A5.6LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LFU(TE85L,F 0.4800
보상요청
ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 제너 DF5A5.6 8pF @ 1MHz USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 4 3.5V 5.3V - - - 아니요
DF2S30FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S30FS,L3M 0.1700
보상요청
ECAD 55 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOD-923 제너 DF2S30 7pF @ 1MHz SOD-923 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 23V(최대) 28V - - - 아니요
DF2S5.1FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.1FS,L3M 0.1700
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ECAD 12 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOD-923 제너 DF2S5.1 45pF @ 1MHz SOD-923 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 1.5V(최대) 4.8V - - - 아니요
CSLZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ24V,L3F 0.2200
보상요청
ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 CSLZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 CSLZ 8.5pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 10,000 1 19V(최대) 22.8V 34V(일반) 2.5A(8/20μs) - 아니요
DF2B6.8ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8ACT,L3F 0.0288
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ECAD 6484 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOD-882 제너 DF2B6.8 9pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 5V(최대) 5.8V 7V(표준) 1A(8/20μs) - 아니요 1
MSZ16V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ16V,LF 0.3400
보상요청
ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 MSZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 35pF @ 1MHz S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 16V 15.3V 27V(일반) 5.5A(8/20μs) 200W 아니요
DF3A6.2LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2LFV,L3F 0.2400
보상요청
ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SOT-723 제너 DF3A6.2 6.5pF @ 1MHz 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 8,000 2 - 5.9V - - - 아니요
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고