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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 커패시턴스 @ 주파수 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 단방향 단방향 | 짐 | 전압- 최소 (고장) | 전압- max (max) @ ipp | 짐 | 파워 - 펄스 피크 | 전력선 전력선 | 양방향 양방향 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DF2S8.2FS, L3M | 0.1800 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 범용 | 표면 표면 | SOD-923 | 제너 | DF2S8.2 | 20pf @ 1MHz | SOD-923 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 6.5V (최대) | 7.7V | - | - | - | 아니요 | ||
![]() | DF2S6M4CT, L3F | 0.2900 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-882 | 제너 | DF2S6 | 0.35pf @ 1MHz | CST2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 5.5V (최대) | 5.6v | 15V | 2A (8/20µs) | 30W | 아니요 | |||
![]() | DF2B7AE, L3F | 0.2200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | 제너 | DF2B7 | 8.5pf @ 1MHz | ESC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 5.5V (최대) | 5.8V | 20V | 4A (8/20µs) | 80W | 아니요 | 1 | ||
![]() | DF5A6.2LFUTE85LF | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 범용 | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 제너 | DF5A6.2 | 6.5pf @ 1MHz | USV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 4 | 5V | 5.9V | - | - | - | 아니요 | ||
![]() | DF2S6M5SL, L3F | 0.3100 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 제너 | DF2S6 | 0.6pf @ 1MHz | SL2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 5V (최대) | 5.5V | 17V (유형) | 2.5A (8/20µs) | 37W | 아니요 | ||
![]() | df3a6.8ct (tpl3) | - | ![]() | 2063 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 범용 | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | 제너 | DF3A6.8 | 45pf @ 1MHz | CST3 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 2 | 5V | 6.4V | - | - | - | 아니요 | ||
![]() | DF2S6P2CTC, L3F | 0.4100 | ![]() | 4595 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | USB | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 제너 | DF2S6 | 600pf @ 1MHz | CST2C | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 5.5V (최대) | 5.6v | - | 80a | - | 아니요 | ||
![]() | CUZ30V, H3F | 0.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | cuz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | 제너 | 21pf @ 1MHz | USC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 | 30V | 28V | 47.5V (5) | 4A (8/20µs) | 200W | 아니요 | |||
![]() | DF2S10FS, L3M | 0.1700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 범용 | 표면 표면 | SOD-923 | 제너 | DF2S10 | 1MHz 16pf | SOD-923 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 8V (최대) | 9.4V | - | - | - | 아니요 | ||
![]() | df3a3.3fu (te85l, f) | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 범용 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 제너 | DF3A | 115pf @ 1MHz | USM | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 2 | 1V | 3.1V | - | - | - | 아니요 | ||
![]() | DF2S24FS, L3M | 0.1800 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 범용 | 표면 표면 | SOD-923 | 제너 | DF2S24 | 8.5pf @ 1MHz | SOD-923 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 19V (최대) | 22.8V | - | - | - | 아니요 | ||
![]() | df3a5.6lfv (tpl3, z) | 0.3900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 범용 | 표면 표면 | SOT-723 | 제너 | DF3A5.6 | 8pf @ 1MHz | VESM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 2 | 3.5V | 5.3v | - | - | - | 아니요 | ||
![]() | CEZ24V, L3F | 0.3100 | ![]() | 3601 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | CEZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | 제너 | 26pf @ 1MHz | ESC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1 | 24V | 22.8V | 36.5V (() | 4.5A (8/20µs) | 200W | 아니요 | |||
![]() | DF2B7SL, L3F | 0.2000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 범용 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 제너 | DF2B7 | 6pf @ 1MHz | SL2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 5.3V (최대) | 5.8V | 16V | 3A (8/20µs) | 45W | 아니요 | 1 | ||
![]() | CUZ16V, H3F | 0.3500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | cuz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | 제너 | 35pf @ 1MHz | USC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 | 16V | 15.3v | 27V (유형) | 5.5A (8/20µs) | 200W | 아니요 | |||
![]() | MUZ5V6, LF | 0.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 무즈 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 제너 | 125pf @ 1MHz | USM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 5.6v | 5.3v | 9V (유형) | 12A (8/20µs) | 155W | 아니요 | |||
![]() | DF2B5M5SL, L3F | 0.3600 | ![]() | 9925 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 제너 | DF2B5 | 0.3pf @ 1MHz | SL2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 3.3V (최대) | 3.6v | 25V (유형) | 2.5A (8/20µs) | 37W | 아니요 | 1 | ||
![]() | CSLZ8V2, L3F | 0.2200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | CSLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 제너 | CSLZ | 18pf @ 1MHz | SL2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 | 6.5V (최대) | 7.7V | 17V (유형) | 2.5A (8/20µs) | 55W | 아니요 | ||
![]() | DF5A6.2LJE, LM | 0.3300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 범용 | 표면 표면 | SOT-553 | 제너 | DF5A6.2 | 6.5pf @ 1MHz | ESV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 4 | 5V | 5.9V | - | - | - | 아니요 | ||
![]() | DF2S6.2FS, L3M | 0.1800 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 범용 | 표면 표면 | SOD-923 | 제너 | DF2S6.2 | 32pf @ 1MHz | SOD-923 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 5V | 5.8V | - | - | - | 아니요 | ||
![]() | DF3D6.8MFV, L3F | 0.5550 | ![]() | 9890 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | - | 범용 | 표면 표면 | SOT-723 | 조향 (대 철도 철도) | DF3D6.8 | 0.5pf @ 1MHz | VESM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 2 | 5V (최대) | 6V | 15V (유형) | 1A (8/20µs) | - | 예 | ||
![]() | DF2S6.8Uct, L3F | 0.3200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 범용 | 표면 표면 | SOD-882 | 제너 | DF2S6.8 | 1.6pf @ 1mhz | CST2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 19V (최대) | 22V | - | - | - | 아니요 | ||
![]() | DF2S6.8SC (TPL3) | - | ![]() | 6749 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | - | 범용 | 표면 표면 | 0201 (0603 메트릭) | 제너 | DF2S | 15pf @ 1MHz | SC2 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 5V | 6.4V | - | - | - | 아니요 | ||
![]() | DF2S16FS, L3M | 0.1700 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 범용 | 표면 표면 | SOD-923 | 제너 | DF2S16 | 10pf @ 1MHz | SOD-923 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 12V (최대) | 15.3v | - | - | - | 아니요 | ||
![]() | CUHZ16V, H3F | 0.4600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | cuhz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | 제너 | 210pf @ 1MHz | US2H | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 | 16V | 15.3v | 17V (유형) | 42A (8/20µs) | 2100W (2.1kw) | 아니요 | |||
![]() | DF2S6.8CT, L3F | 0.1900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | SOD-882 | 제너 | DF2S6.8 | 25pf @ 1MHz | CST2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | - | 6.4V | - | - | - | 아니요 | ||
![]() | DF2S5M4CT, L3F | 0.2900 | ![]() | 640 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-882 | 제너 | DF2S5 | 0.35pf @ 1MHz | CST2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 3.6V (최대) | 3.7V | 15V | 2A (8/20µs) | 30W | 아니요 | |||
![]() | DF2B6M5CT, L3F | 0.4900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | SOD-882 | 제너 | 0.3pf @ 1MHz | CST2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 5V (최대) | 5.5V | 15V | 2.5A (8/20µs) | 37W | 아니요 | 1 | |||
![]() | CSLZ20V, L3F | 0.2200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | CSLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 제너 | CSLZ | 9.5pf @ 1MHz | SL2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 | 15V (최대) | 18.8V | 30V (유형) | 2.5A (8/20µs) | - | 아니요 | ||
![]() | DF3A6.8LFV, L3F | 0.2400 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 범용 | 표면 표면 | SOT-723 | 제너 | DF3A6.8 | 6pf @ 1MHz | VESM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 2 | 5V | 6.5V | - | - | - | 아니요 |
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