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MSMBG5384AE3 Microchip Technology MSMBG5384AE3 3.4300
RFQ
 ECAD 6755 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5384AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5366C Microchip Technology MSMBJ5366C 3.9600
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5366C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5361CE3 Microchip Technology MSMBJ5361CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 1430 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5361CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5347A Microchip Technology MSMBG5347A 3.4300
RFQ
 ECAD 9276 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5347A 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5358CE3 Microchip Technology MSMBJ5358CE3 3.4300
RFQ
 ECAD 9114 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5358CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5379B Microchip Technology MSMBG5379B 3.4300
RFQ
 ECAD 4388 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5379B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5356AE3 Microchip Technology MSMBG5356AE3 3.9600
RFQ
 ECAD 5925 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5356AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5345B Microchip Technology MSMBG5345B 3.4300
RFQ
 ECAD 8024 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5345B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5365A Microchip Technology MSMBG5365A 3.9600
RFQ
 ECAD 3496 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5365A 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5354C Microchip Technology MSMBJ5354C 3.4300
RFQ
 ECAD 7388 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5354C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5341C Microchip Technology MSMBG5341C 3.9600
RFQ
 ECAD 7975 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5341C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5360BE3 Microchip Technology MSMBG5360BE3 3.9600
RFQ
 ECAD 4808 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5360BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5360BE3 Microchip Technology MSMBJ5360BE3 3.4300
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5360BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5352C Microchip Technology MSMBG5352C 3.9600
RFQ
 ECAD 9176 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5352C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5350B Microchip Technology MSMBG5350B 3.4300
RFQ
 ECAD 5548 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5350B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5358A Microchip Technology MSMBJ5358A 3.4300
RFQ
 ECAD 8774 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5358A 1 1 - - - - 600W 아니요
MNS1N6152AUS Microchip Technology MNS1N6152AUS 24.4800
RFQ
 ECAD 2512 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/516 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SQ-Melf, c 제너 MNS1N6152 - D-5C 영향을받지 영향을받지 150-mns1n6152aus 귀 99 8541.10.0080 1 20.6v 25.7V 37.4v 40.1A 1500W (1.5kW) 아니요 1
1N5907AE3 Microchip Technology 1N5907AE3 20.1150
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N5907 - DO-13 (DO-202AA) 영향을받지 영향을받지 150-1n5907AE3 귀 99 8541.10.0080 1 1 5V 6V 8.5V 60a 1500W (1.5kW) 아니요
MSMBJ5384BE3 Microchip Technology MSMBJ5384BE3 3.9600
RFQ
 ECAD 1209 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5384BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5378C Microchip Technology MSMBG5378C 3.4300
RFQ
 ECAD 6985 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5378C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5348CE3 Microchip Technology MSMBG5348CE3 3.4300
RFQ
 ECAD 5777 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5348CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
JANTXV1N6166US Microchip Technology jantxv1n6166us 27.8501
RFQ
 ECAD 6897 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/516 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SQ-Melf, c 제너 1N6166 - D-5C 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n6166us 귀 99 8541.10.0080 1 76V 95V 137.6v 10.9a 1500W (1.5kW) 아니요 1
MSMBG5352CE3 Microchip Technology MSMBG5352CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 8568 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5352CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5363CE3 Microchip Technology MSMBG5363CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 1401 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5363CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5363BE3 Microchip Technology MSMBG5363BE3 3.9600
RFQ
 ECAD 4085 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5363BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5361AE3 Microchip Technology MSMBJ5361AE3 3.9600
RFQ
 ECAD 6283 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5361AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MXSMCJ28AE3/TR Microchip Technology MXSMCJ28AE3/TR 16.3050
RFQ
 ECAD 3897 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 SMCG 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - smcj (do-214ab) 영향을받지 영향을받지 150-mxsmcj28ae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 28V 31.1V 45.4V 33A 1500W (1.5kW) 아니요
MPLAD18KP20CAE3/TR Microchip Technology mplad18kp20cae3/tr 40.0800
RFQ
 ECAD 8111 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SMD 제너 plad18 - 몰래 영향을받지 영향을받지 150-MPLAD18KP20CAE3/TR 귀 99 8541.10.0080 100 20V 22.2v 32.4V 556A 18000W (18kw) 아니요 1
MLCE150A/TR Microchip Technology MLCE150A/TR 3.6150
RFQ
 ECAD 8472 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 lce 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 제너 90pf @ 1MHz 사례 -1 영향을받지 영향을받지 150-mlce150a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 150V 167V 243V 6.2A 1500W (1.5kW) 아니요
M5KP8.5A/TR Microchip Technology M5KP8.5A/TR 7.0200
RFQ
 ECAD 6134 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 5kp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 - P600 영향을받지 영향을받지 150-m5kp8.5a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 8.5V 9.44V 14.4V 347a 5000W (5kw) 아니요
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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