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JANTX1N6050A/TR Microchip Technology jantx1n6050a/tr 85.5600
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/507 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N6050 - DO-13 (DO-202AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n6050a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 25V 28.5V 41.4V 36a 1500W (1.5kW) 아니요 1
M15KP150A/TR Microchip Technology M15KP150A/TR 26.6250
RFQ
 ECAD 1029 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 M15KP - DO-204AR - 영향을받지 영향을받지 150-m15kp150a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 150V 167V 243V 62A 15000W (15kW) 아니요
JAN1N5632A/TR Microchip Technology Jan1n5632a/tr 54.4500
RFQ
 ECAD 8938 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N5632 - DO-13 (DO-202AA) - 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5632A/TR 귀 99 8541.10.0080 100 1 7.78V 8.65V 13.4V 112A 1500W (1.5kW) 아니요
JANTXV1N5637A/TR Microchip Technology jantxv1n5637a/tr 62.5500
RFQ
 ECAD 6165 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 - DO-13 (DO-202AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5637a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 12.8V 14.3v 21.2v 71a 1500W (1.5kW) 아니요
MPLAD30KP33CAE3/TR Microchip Technology mplad30kp33cae3/tr 45.6000
RFQ
 ECAD 7032 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SMD 제너 plad30 - 몰래 - 영향을받지 영향을받지 150-mplad30kp33cae3/tr 귀 99 8541.10.0080 200 33V 36.7v 53.3v 564A 30000W (30kW) 아니요 1
MLCE60A/TR Microchip Technology mlce60a/tr 3.6150
RFQ
 ECAD 1235 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 lce 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 제너 90pf @ 1MHz 사례 -1 - 영향을받지 영향을받지 150-mlce60a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 60V 66.7v 96.8V 15.5A 1500W (1.5kW) 아니요
MSMBJ5342CE3/TR Microchip Technology MSMBJ5342CE3/TR 3.9600
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5342CE3/tr 300 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5378BE3/TR Microchip Technology MSMBJ5378BE3/TR 3.9600
RFQ
 ECAD 6120 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5378BE3/TR 300 1 - - - - 600W 아니요
MPLAD36KP170AE3/TR Microchip Technology mplad36kp170ae3/tr 38.3850
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SMD 제너 plad36 - 몰래 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-mplad36kp170ae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 170V 189V 275V 131a 36000W (36kw) 아니요
MRT100KP350A/TR Microchip Technology MRT100KP350A/TR 27.9300
RFQ
 ECAD 3643 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 MRT100KP - DO-204AR - 영향을받지 영향을받지 150-mrt100kp350a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 350V 389V 690V 145a 100000W (100kW) 아니요
MXPLAD36KP40A/TR Microchip Technology mxplad36kp40a/tr -
RFQ
 ECAD 4514 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SMD 제너 plad36 - 몰래 - 영향을받지 영향을받지 150-mxplad36kp40a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 40V 44.4V 64.5V 559a 36000W (36kw) 아니요
MUPT8E3/TR Microchip Technology mupt8e3/tr 1.6650
RFQ
 ECAD 8998 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 업 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-216AA 제너 - Powermite 1 (Do216-AA) - 영향을받지 영향을받지 150-mupt8e3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 8V 9V 13.7v 10.9a 100W 아니요
MXDLTS-30C Microchip Technology MXDLTS-30C -
RFQ
 ECAD 3488 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 dlts 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 범용 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 제너 165pf @ 1mhz (max) 16-CDIP - 영향을받지 영향을받지 150-mxdlts-30C 귀 99 8541.10.0080 100 30V 33.3v 65V 10A (8/20µs) 500W 아니요 15
MSMBG5370C Microchip Technology MSMBG5370C 3.9600
RFQ
 ECAD 5473 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5370C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5364CE3 Microchip Technology MSMBG5364CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 7378 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5364CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5372BE3 Microchip Technology MSMBJ5372BE3 3.9600
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5372BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5340CE3 Microchip Technology MSMBG5340CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 2426 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5340CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5385C Microchip Technology MSMBJ5385C 3.9600
RFQ
 ECAD 9318 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5385C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5362BE3 Microchip Technology MSMBG5362BE3 3.9600
RFQ
 ECAD 7149 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5362BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5357CE3 Microchip Technology MSMBG5357CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5357CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5362CE3 Microchip Technology MSMBG5362CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5362CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5370B Microchip Technology MSMBG5370B 3.9600
RFQ
 ECAD 9173 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5370B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5362AE3 Microchip Technology MSMBG5362AE3 3.9600
RFQ
 ECAD 5238 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5362AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5375CE3 Microchip Technology MSMBJ5375CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 8231 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5375CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5370CE3 Microchip Technology MSMBG5370CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 9055 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5370CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5368B Microchip Technology MSMBG5368B 3.9600
RFQ
 ECAD 8289 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5368B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5343BE3 Microchip Technology MSMBG5343BE3 3.9600
RFQ
 ECAD 8583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5343BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5370BE3 Microchip Technology MSMBJ5370BE3 3.9600
RFQ
 ECAD 3215 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5370BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
PHP30H1 Microchip Technology php30h1 -
RFQ
 ECAD 1641 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/507A 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C 통신 섀시 섀시 기준 기준 제너 PHP30 - 사례 -11 - 영향을받지 영향을받지 150-php30h1 귀 99 8541.10.0080 25 42.5V 50V 84V 90A 7500W (7.5kW) 아니요 1
MSMBG5385AE3 Microchip Technology MSMBG5385AE3 3.9600
RFQ
 ECAD 4892 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5385AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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