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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 커패시턴스 @ 주파수 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 단방향 단방향 짐 전압- 최소 (고장) 전압- max (max) @ ipp 짐 파워 - 펄스 피크 전력선 전력선 양방향 양방향
MSMBG5343AE3 Microchip Technology MSMBG5343AE3 3.9600
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5343AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
PHP8.4H3 Microchip Technology php8.4h3 -
RFQ
 ECAD 3560 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/507A 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C 통신 섀시 섀시 기준 기준 제너 PHP8.4 - 사례 -11 - 영향을받지 영향을받지 150-php8.4h3 귀 99 8541.10.0080 25 12V 14V 22V 341A 7500W (7.5kW) 아니요 1
MSMBJ5345AE3 Microchip Technology MSMBJ5345AE3 3.9600
RFQ
 ECAD 1682 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5345AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5372CE3 Microchip Technology MSMBJ5372CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 9195 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5372CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5373CE3 Microchip Technology MSMBJ5373CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 7373 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5373CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5349A Microchip Technology MSMBJ5349A 3.9600
RFQ
 ECAD 5108 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5349A 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5343B Microchip Technology MSMBG5343B 3.9600
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5343B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5387BE3 Microchip Technology MSMBJ5387BE3 3.4300
RFQ
 ECAD 3827 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5387BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5385B Microchip Technology MSMBG5385B 3.9600
RFQ
 ECAD 6405 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5385B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5367B Microchip Technology MSMBG5367B 3.9600
RFQ
 ECAD 6822 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5367B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5386CE3 Microchip Technology MSMBJ5386CE3 3.4300
RFQ
 ECAD 8429 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5386CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5366BE3 Microchip Technology MSMBJ5366BE3 3.9600
RFQ
 ECAD 1995 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5366BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5358AE3 Microchip Technology MSMBJ5358AE3 3.4300
RFQ
 ECAD 6923 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5358AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5351CE3 Microchip Technology MSMBJ5351CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 6822 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5351CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MXL15KP17A Microchip Technology MXL15KP17A -
RFQ
 ECAD 8878 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 15kp 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 - 5A (Do-204ar) - 영향을받지 영향을받지 150-mxl15kp17a 귀 99 8541.10.0080 100 1 17V 18.9V 29.3v 512A 15000W (15kW) 아니요
JANTX1N6147US Microchip Technology jantx1n6147us 19.5401
RFQ
 ECAD 8771 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/516 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SQ-Melf, c 제너 1N6147 - D-5C - 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n6147us 귀 99 8541.10.0080 1 12.2v 15.2v 22.3v 67.3a 1500W (1.5kW) 아니요 1
MSMBJ5343BE3 Microchip Technology MSMBJ5343BE3 3.9600
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5343BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MPLAD36KP7AE3 Microchip Technology mplad36kp7ae3 33.2701
RFQ
 ECAD 6258 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SMD 제너 - 몰래 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-mplad36kp7ae3 귀 99 8541.10.0080 1 1 - - - - 36000W (36kw) 아니요
MAPLAD30KP36AE3 Microchip Technology maplad30kp36ae3 47.6850
RFQ
 ECAD 7420 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SMD 제너 plad30 - 몰래 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1 36v 40V 58.1V 516a 30000W (30kW) 아니요
M15KP58A Microchip Technology M15KP58A 25.4850
RFQ
 ECAD 1180 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 15kp58 - DO-204AR 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1 58V 64.4V 94V 160a 15000W (15kW) 아니요
MSMCGLCE24A Microchip Technology MSMCGLCE24A 4.5150
RFQ
 ECAD 6324 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AB, SMC GULL WING 제너 smcglce24 100pf @ 1mhz smcg (do-215ab) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1 24V 26.7v 38.9V 39a 1500W (1.5kW) 아니요
JAN1N6123AUS/TR Microchip Technology Jan1n6123aus/tr 14.6900
RFQ
 ECAD 5071 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/516 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SQ-Melf, b 제너 - B, SQ-Mell 다운로드 150-JAN1N6123AUS/TR 귀 99 8541.10.0080 100 38.8V 48.5V 70.1V 7.1A 500W 아니요 1
M1.5KE350CAE3 Microchip Technology M1.5KE350CAE3 6.2700
RFQ
 ECAD 9261 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 제너 1.5KE350 - 사례 -1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 300V 332V 482V 4a 1500W (1.5kW) 아니요 1
MAPLAD36KP54A Microchip Technology maplad36kp54a 58.2000
RFQ
 ECAD 4744 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SMD 제너 plad36 - 몰래 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1 54V 60V 87.1v 414A 36000W (36kw) 아니요
MXPLAD18KP180A Microchip Technology MXPLAD18KP180A -
RFQ
 ECAD 5047 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SMD 제너 plad18 - 몰래 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1 180V 200V 291V 62A 18000W (18kw) 아니요
1N6473US/TR Microchip Technology 1N6473US/TR 13.6800
RFQ
 ECAD 5188 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 범용 표면 표면 SQ-Melf, c 제너 - D-5C - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 100 1 24V 27V 41.4V 36.5A 1500W (1.5kW) 아니요
M1.5KE24A Microchip Technology M1.5KE24A 3.2700
RFQ
 ECAD 6509 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 제너 1.5KE24 - 사례 -1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1 20.5V 22.8V 33.2v 45A 1500W (1.5kW) 아니요
SMDB05/TR13 Microchip Technology smdb05/tr13 3.2250
RFQ
 ECAD 8293 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 TVSARRAY ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 제너 SMDB05 400pf @ 1MHz 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 4 5V 6V 11V 5A (8/20µs) 300W 아니요
1N6168US/TR Microchip Technology 1N6168US/TR 22.3400
RFQ
 ECAD 9191 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SQ-Melf, c 제너 - C, SQ-Mell - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 100 91.2v 114V 165.1v 9.1a 1500W (1.5kW) 아니요 1
JANTXV1N6148US/TR Microchip Technology jantxv1n6148us/tr 25.4850
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/516 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SQ-Melf, c 제너 - C, SQ-Mell 다운로드 150-jantxv1n6148us/tr 귀 99 8541.10.0080 100 13.7v 17.1V 25.1V 59.8a 1500W (1.5kW) 아니요 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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