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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 커패시턴스 @ 주파수 공급 공급 장치 업체 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 단방향 단방향 짐 전압- 최소 (고장) 전압- max (max) @ ipp 짐 파워 - 펄스 피크 전력선 전력선 양방향 양방향
SMLJ100CE3/TR13 Microchip Technology SMLJ100CE3/TR13 1.5750
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 smlj 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - smlj (do-214ab) 영향을받지 영향을받지 150-SMLJ100CE3/tr13tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 100V 111V 179V 16.8a 3000W (3kw) 아니요 1
MSMBJ5357B/TR Microchip Technology MSMBJ5357B/TR 3.9600
RFQ
 ECAD 4845 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5357B/TR 300 1 - - - - 600W 아니요
MASMLJ13CAE3/TR Microchip Technology masmlj13cae3/tr 7.8000
RFQ
 ECAD 1799 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 smlj13 - smlj (do-214ab) 영향을받지 영향을받지 150-masmlj13cae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 13V 14.4V 21.5V 139.4a 3000W (3kw) 아니요 1
MSMBJ5363CE3/TR Microchip Technology MSMBJ5363CE3/TR 3.9600
RFQ
 ECAD 1171 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5363CE3/tr 300 - - - - 600W 아니요 1
JANTX1N5634A/TR Microchip Technology jantx1n5634a/tr 58.9650
RFQ
 ECAD 5385 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N5634 - DO-13 (DO-202AA) 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5634a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 9.4V 10.5V 15.6v 96A 1500W (1.5kW) 아니요
MSMLG75CAE3/TR Microchip Technology MSMLG75CAE3/TR 2.9100
RFQ
 ECAD 4442 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AB, SMC GULL WING 제너 smlg75 - smlg (do-215ab) 영향을받지 영향을받지 150-msmlg75cae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 75V 83.3v 121V 24.8A 3000W (3kw) 아니요 1
MSMCJLCE30A/TR Microchip Technology msmcjlce30a/tr 4.5300
RFQ
 ECAD 2142 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 smcjlce30 100pf @ 1mhz (max) smcj (do-214ab) 영향을받지 영향을받지 150-msmcjlce30a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 30V 33.3v 48.4V 31a 1500W (1.5kW) 아니요
MSMBG5370B Microchip Technology MSMBG5370B 3.9600
RFQ
 ECAD 9173 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5370B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5362AE3 Microchip Technology MSMBG5362AE3 3.9600
RFQ
 ECAD 5238 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5362AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5375CE3 Microchip Technology MSMBJ5375CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 8231 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5375CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5340CE3 Microchip Technology MSMBJ5340CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 8666 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5340CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MXLC10 Microchip Technology MXLC10 -
RFQ
 ECAD 8359 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 LC10 100pf @ 1mhz (max) DO-13 (DO-202AA) 영향을받지 영향을받지 150-MXLC10 귀 99 8541.10.0080 100 1 10V 11.1V 18.8V 80a 1500W (1.5kW) 아니요
MXDA3KP33CA Microchip Technology MXDA3KP33CA 119.6550
RFQ
 ECAD 5664 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 16-SMD,, 날개 제너 3KP33 - - 영향을받지 영향을받지 150-mxda3kp33ca 귀 99 8541.10.0080 1 33V 36.7v 53.3v 56.2A 3000W (3kw) 아니요 8
MSMBJ5343A Microchip Technology MSMBJ5343A 3.9600
RFQ
 ECAD 3461 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5343A 1 1 - - - - 600W 아니요
MNS1N6152AUS Microchip Technology MNS1N6152AUS 24.4800
RFQ
 ECAD 2512 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/516 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SQ-Melf, c 제너 MNS1N6152 - D-5C 영향을받지 영향을받지 150-mns1n6152aus 귀 99 8541.10.0080 1 20.6v 25.7V 37.4v 40.1A 1500W (1.5kW) 아니요 1
1N5907AE3 Microchip Technology 1N5907AE3 20.1150
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N5907 - DO-13 (DO-202AA) 영향을받지 영향을받지 150-1n5907AE3 귀 99 8541.10.0080 1 1 5V 6V 8.5V 60a 1500W (1.5kW) 아니요
PHP250H1 Microchip Technology php250h1 -
RFQ
 ECAD 1863 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C 통신 섀시 섀시 기준 기준 제너 - 사례 -11 영향을받지 영향을받지 150-php250h1 귀 99 8541.10.0080 25 354V 418V 652V 23a 15000W (15kW) 아니요 1
MSMBG5359A Microchip Technology MSMBG5359A 3.9600
RFQ
 ECAD 2888 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5359A 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5362BE3 Microchip Technology MSMBG5362BE3 3.9600
RFQ
 ECAD 7149 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5362BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5357CE3 Microchip Technology MSMBG5357CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5357CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5362CE3 Microchip Technology MSMBG5362CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5362CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
LDTS24AE3 Microchip Technology LDTS24AE3 47.0100
RFQ
 ECAD 1672 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 ldts 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 175 ° C 범용 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 제너 - TO-3 영향을받지 영향을받지 150-LDTS24AE3 귀 99 8541.10.0080 1 1 24V 26.5V 39V 77a 3000W (3kw) 아니요
MSMBG5368B Microchip Technology MSMBG5368B 3.9600
RFQ
 ECAD 8289 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5368B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5343BE3 Microchip Technology MSMBG5343BE3 3.9600
RFQ
 ECAD 8583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5343BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5340B Microchip Technology MSMBJ5340B 3.9600
RFQ
 ECAD 4494 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5340B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5370BE3 Microchip Technology MSMBJ5370BE3 3.9600
RFQ
 ECAD 3215 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5370BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5388CE3 Microchip Technology MSMBG5388CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 7418 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5388CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
PHP30H1 Microchip Technology php30h1 -
RFQ
 ECAD 1641 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/507A 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C 통신 섀시 섀시 기준 기준 제너 PHP30 - 사례 -11 영향을받지 영향을받지 150-php30h1 귀 99 8541.10.0080 25 42.5V 50V 84V 90A 7500W (7.5kW) 아니요 1
MSMBG5385AE3 Microchip Technology MSMBG5385AE3 3.9600
RFQ
 ECAD 4892 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5385AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5354CE3 Microchip Technology MSMBG5354CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5354CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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