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과도 과도 억제제 (TVS) (134412)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 커패시턴스 @ 주파수 회로 회로 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 단방향 단방향 짐 전압- 최소 (고장) 전압- max (max) @ ipp 짐 파워 - 펄스 피크 전력선 전력선 AC 볼트 dc 볼트 바리스터 바리스터 (전압) Varistor 유형 (전압) Varistor 최대 (전압) 현재 - 서지 에너지 양방향 양방향
12916634 Tripp Lite 12916634 1.0000
RFQ
 ECAD 6753 0.00000000 트립 트립 - 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 95-12916634 1
ERZ-V07D151CS Panasonic Electronic Components ERZ-V07D151CS 0.1062
RFQ
 ECAD 3899 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 ZnR® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 7mm - ERZ-V07 500 pf @ 1 kHz 1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.40.4000 100 95 v 125 v 135 v 150 v 165 v 1.75 ka 13J
MLV0603E31103T Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MLV0603E31103T 0.1582
RFQ
 ECAD 5569 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면, MLCV 0603 (1608 메트릭) MLV0603 425 PF @ 1 MHz 1 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.40.4000 4,000 11 v 14 v 16 v 18 v 20 v 30 a 0.1J
P6SMB15CAHE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division P6SMB15CAHE3_B/H 0.1838
RFQ
 ECAD 2627 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, P6SMB, Transzorb® 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차, 통신 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 P6SMB15 - DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-P6SMB15CAHE3_B/H 귀 99 8541.10.0080 750 12.8V 14.3v 21.2v 28.3a 600W 아니요 1
P6SMB130CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division P6SMB130CAHE3_A/I 0.2297
RFQ
 ECAD 6640 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, P6SMB, Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 P6SMB130 - DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 111V 124V 179V 3.4a 600W 아니요 1
5KP6.5A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5KP6.5A-E3/54 -
RFQ
 ECAD 5958 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Transzorb® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 5kp6.5 - P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 1 6.5V 7.22V 11.2v 446A 5000W (5kw) 아니요
SMBG15CA-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBG15CA-E3/5B 0.2591
RFQ
 ECAD 7894 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 SMBG15 - SMBG (DO-215AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 15V 16.7v 24.4V 24.6a 600W 아니요 1
JAN1N6158US Microchip Technology JAN1N6158US 19.5000
RFQ
 ECAD 9424 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/516 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SQ-Melf, c 제너 1N6158 - C, SQ-Mell 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 35.8V 42.47V 67.83V 22.04A 1500W (1.5kW) 아니요 1
JAN1N6110 Microchip Technology Jan1n6110 12.6450
RFQ
 ECAD 9214 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/516 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 b, 축 제너 1N6110 - b, 축 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 11.4V 13.54V 22.05V 22.61A 500W 아니요 1
MQ1N8167US Microchip Technology MQ1N8167US 30.6450
RFQ
 ECAD 8494 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SQ-Melf, a 제너 1N8167 - D-5A 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1 40V 44.7V 64.6V 2.32A 150W 아니요
MXL1.5KE180CA Microchip Technology MXL1.5KE180CA -
RFQ
 ECAD 2211 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 제너 1.5KE180 - 사례 -1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 154V 171V 246V 6.1A 1500W (1.5kW) 아니요 1
5.0SMDJ8.5CAS Littelfuse Inc. 5.0SMDJ8.5CAS 1.6200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Littelfuse Inc. 5.0SMDJXXS 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 통신 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 5.0SMDJ - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 8.5V 9.44V 14.4V 347.2A 5000W (5kw) 아니요 1
SMBJ33CAHE3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBJ33CAHE3/52 -
RFQ
 ECAD 7422 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Transzorb® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 smbj33 - DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 33V 36.7v 53.3v 11.3A 600W 아니요 1
15KP240CA-TP Micro Commercial Co 15kp240ca-tp 11.7700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 R-6, 축, 제너 15kp240 - R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 240V 267V 388V - 15000W (15kW) 아니요 1
1.5KE47 Taiwan Semiconductor Corporation 1.5KE47 0.4651
RFQ
 ECAD 1708 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1.5KE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 제너 1.5KE47 - Do-201 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1.5ke47tr 귀 99 8541.10.0080 1,250 1 38.1V 42.3v 67.8V 23a 1500W (1.5kW) 아니요
VDRUS14X420BKE Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components vdrus14x420bke 0.7586
RFQ
 ECAD 8067 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 vdrus 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14mm - 250 pf @ 1 kHz 1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 56-VDRUS14X420BKE 귀 99 8533.40.4000 100 420 v 560 v 612 v 680 v 748 v 8 ka 260J
SMAJ5.0A-E3/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAJ5.0A-E3/1 -
RFQ
 ECAD 7777 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Transzorb® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AC, SMA 제너 smaj5.0 - DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 1 5V 6.4V 9.2v 43.5A 400W 아니요
SA7.0CA A0G Taiwan Semiconductor Corporation SA7.0CA A0G -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 대만 대만 회사 SA 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 제너 SA7.0 - DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 7V 7.78V 12V 43A 500W 아니요 1
5KP20AHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp20ahe3/54 -
RFQ
 ECAD 1027 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 자동차 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 5kp20 - P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 1 20V 22.2v 32.4V 154a 5000W (5kw) 아니요
SMLJ14CAE3/TR13 Microchip Technology SMLJ14CAE3/TR13 1.5750
RFQ
 ECAD 6421 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 smlj14 - smlj (do-214ab) - 영향을받지 영향을받지 150-SMLJ14CAE3/tr13tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 14V 15.6v 23.2v 129.4a 3000W (3kw) 아니요 1
SM15T7V5AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM15T7V5AHM3/H -
RFQ
 ECAD 3446 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, SM15T, Transzorb® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 sm15t7v5 - DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 1 6.4V 7.13V 11.3v 132A 1500W (1.5kW) 아니요
MXDA3KP26CA Microchip Technology MXDA3KP26CA 107.7300
RFQ
 ECAD 9308 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MDA 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 16-SMD,, 날개 제너 MXDA3KP - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-mxda3kp26ca 귀 99 8541.10.0080 500 26V 28.9V 42.1v 71.2A 3000W (3kw) 아니요 8
ERZ-V14D151CS Panasonic Electronic Components ERZ-V14D151CS 0.1933
RFQ
 ECAD 1371 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 ZnR® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14mm - ERZ-V14 2200 pf @ 1 kHz 1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.40.4000 100 95 v 125 v 135 v 150 v 165 v 6 ka 53J
SMBG14CAHE3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBG14CAHE3/52 0.3585
RFQ
 ECAD 8246 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 SMBG14 - SMBG (DO-215AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 14V 15.6v 23.2v 25.9A 600W 아니요 1
SMF11AHRVG Taiwan Semiconductor Corporation smf11ahrvg 0.5100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, SMF 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SOD-123W 제너 smf11 - SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 11V 12.2v 18.2V 11a 200W 아니요
SMBJ30CA-TR STMicroelectronics smbj30ca-tr 0.5000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 stmicroelectronics SMBJ, Transil ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 smbj30 - SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 30V 33.3v 48.4V 13A 600W 아니요 1
ATV30C360J-HF Comchip Technology ATV30C360J-HF 1.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 ATV30C360 - DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 36v 40V 58.1V 51.64A 3000W (3kw) 아니요
SMBJ12CA Taiwan Semiconductor Corporation smbj12ca 0.6700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 대만 대만 회사 SMBJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 SMBJ12 - DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 12V 13.3v 19.9V 30.2A 600W 아니요 1
JAN1N6047A Microchip Technology Jan1n6047a 62.1450
RFQ
 ECAD 9624 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/507 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N6047 - DO-13 (DO-202AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 18V 20.9V 30.6v 49a 1500W (1.5kW) 아니요 1
P4SMA56CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division P4SMA56CAHM3/i -
RFQ
 ECAD 5274 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, P4SMA, Transzorb® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차, 통신 표면 표면 DO-214AC, SMA 제너 P4SMA56 - DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 47.8V 53.2v 77V 5.2A 400W 아니요 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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