SIC
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과도 과도 억제제 (TVS) (134412)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 승인 승인 커패시턴스 @ 주파수 회로 회로 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 형태 극의 극의 단방향 단방향 짐 전압- 최소 (고장) 전압- max (max) @ ipp 짐 파워 - 펄스 피크 전력선 전력선 AC 볼트 dc 볼트 바리스터 바리스터 (전압) Varistor 유형 (전압) Varistor 최대 (전압) 현재 - 서지 에너지 양방향 양방향 짐 전류- nom (nom) (8/20µs) 짐 현재- 등급 단락 (SCRR)
SMA6SF15CA-Q1 Formosa Microsemi Co., Ltd. SMA6SF15CA-Q1 -
RFQ
 ECAD 7850 0.00000000 Microsemi Co., Ltd. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 do-221ac (SMA-FL) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 4491-SMA6SF15CA-Q1TR 귀 99 8541.10.0080 1 15V 16.7v 24.4V 24.5A 600W 아니요 1
TVP06B750CA-G Comchip Technology TVP06B750CA-G 0.1836
RFQ
 ECAD 5070 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 TVP06B750 - DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 - - - - 600W 아니요 1
SA26CAHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SA26CAHE3/54 0.2759
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 자동차 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 제너 SA26 - DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 26V 28.9V 42.1v 11.9A 500W 아니요 1
SC1205-01ETG Littelfuse Inc. SC1205-01ETG 0.4000
RFQ
 ECAD 8273 0.00000000 Littelfuse Inc. 스파 ® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 범용 표면 표면 SOD-882 제너 7pf @ 1MHz SOD-882 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 18-SC1205-01ETGTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 5V (최대) 5.3v 10V (유형) 7A (8/20µs) - 아니요 1
V14E420 Littelfuse Inc. V14E420 -
RFQ
 ECAD 1717 0.00000000 Littelfuse Inc. Ultramov ™ 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14mm 300 PF @ 1 MHz 1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.40.4000 600 420 v 560 v 612 v 680 v 748 v 6 ka 160J
TPSMB16AHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division TPSMB16AHM3_A/H 0.1439
RFQ
 ECAD 1589 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, PAR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 185 ° C (TJ) 자동차, 통신 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 TPSMB16 - DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-TPSMB16AHM3_A/HTR 귀 99 8541.10.0080 750 1 13.6v 15.2v 22.5V 26.7a 600W 아니요
SMCJ18AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj18ahe3_a/i 0.3498
RFQ
 ECAD 4170 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 smcj18 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 1 18V 20V 29.2v 51.4a 1500W (1.5kW) 아니요
V20H420PL3T Littelfuse Inc. V20H420PL3T 0.6381
RFQ
 ECAD 5446 0.00000000 Littelfuse Inc. HMOV ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 20mm - 600 PF @ 1 MHz 1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -V20H420PL3T 귀 99 8533.40.4000 400 420 v 560 v 612 v 680 v 748 v 10 ka 330J
B72214P2381K101 EPCOS - TDK Electronics B72214P2381K101 0.6300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 MP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14mm B72214p 390 pf @ 1 kHz 1 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.40.4000 250 385 v 505 v 558 v 620 v 682 v 6 ka 180J
SMBJ7.5HE3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBJ7.5HE3/52 -
RFQ
 ECAD 1430 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Transzorb® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 smbj7.5 - DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 1 7.5V 8.33V 14.3v 42A 600W 아니요
SPD120240H2N Tripp Lite SPD120240H2N 2.0000
RFQ
 ECAD 3446 0.00000000 트립 트립 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 95-SPD120240H2N 1
SPD200240H1K Tripp Lite SPD200240H1K 2.0000
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 트립 트립 spd 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 50 ° C 섀시 섀시 유형 1 열 열 커러스, ul - 적용 적용 수 할 95-SPD200240H1K 1 기본 + 모듈 1 300V 20 ka 200 ka 200 ka
P6SMB47A-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P6SMB47A-E3/52 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division P6SMB, Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 P6SMB47 - DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 1 40.2v 44.7V 64.8V 9.3a 600W 아니요
JANTX1N5612 Microchip Technology jantx1n5612 -
RFQ
 ECAD 6195 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/434 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 g, 축 방향 제너 1N5612 - g, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1 49V 54V 78.5V 19a 1500W (1.5kW) 아니요
P6KE36CA_R2_00001 Panjit International Inc. P6KE36CA_R2_00001 0.0919
RFQ
 ECAD 9747 0.00000000 Panjit International Inc. P6KE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 제너 P6KE36 - DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 28,000 30.8V 34.2v 49.9V 12a 600W 아니요 1
1.5SMC22C R7 Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMC22C R7 -
RFQ
 ECAD 7396 0.00000000 대만 대만 회사 1.5SMC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 1.5SMC22 - DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1.5SMC22CR7TR 귀 99 8541.10.0080 850 17.8V 19.8V 31.9V 49a 1500W (1.5kW) 아니요 1
MASMLJ16CAE3 Microchip Technology MASMLJ16CAE3 8.2950
RFQ
 ECAD 5629 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 smlj16 - do-214ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 16V 17.8V 26V 115.4a 3000W (3kw) 아니요 1
MXLPLAD36KP64CAE3 Microchip Technology MXLPLAD36KP64CAE3 -
RFQ
 ECAD 8472 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SMD 제너 plad36 - 몰래 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 64V 71.1v 103V 350a 36000W (36kw) 아니요 1
12919656 Tripp Lite 12919656 1.0000
RFQ
 ECAD 9722 0.00000000 트립 트립 - 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 95-12919656 1
TVR10471ASV Thinking Electronics Industrial Co. TVR10471ASV 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 사고 전자 산업 공동. TVR 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 구멍을 구멍을 디스크 10mm - 1 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3475-TVR10471ASV 8504.50.4000 2 300 v 385 v 423 v 470 v 517 v 2.5 ka 70J
MXSMLJ7.5CA/TR Microchip Technology mxsmlj7.5ca/tr 19.7550
RFQ
 ECAD 4113 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 smlj7.5 - smlj (do-214ab) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 mxsmlj7.5ca/trms 귀 99 8541.10.0080 100 7.5V 8.33V 12.9V 232.6a 3000W (3kw) 아니요 1
LC75/TR Microchip Technology LC75/TR 37.7702
RFQ
 ECAD 3661 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 90pf @ 1MHz DO-13 (DO-202AA) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-lc75/tr 귀 99 8541.10.0080 1 1 75V 83.3v 134V 11.2A 1500W (1.5kW) 아니요
ROV10H911K-S-2 Littelfuse Inc. ROV10H911K-S-2 -
RFQ
 ECAD 8552 0.00000000 Littelfuse Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 디스크 10mm ROV10 110 pf @ 1 kHz 1 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 F06484-000 귀 99 8533.40.4000 1,000 550 v 745 v 819 v 910 v 1.001 kv 3.5 ka 127J
ROV10H102K-S Littelfuse Inc. ROV10H102K-S -
RFQ
 ECAD 4642 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 디스크 10mm ROV10 95 PF @ 1 kHz 1 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 E62560-000 귀 99 8533.40.4000 1,500 625 v 825 v 900 v 1kv 1.1 kV 3.5 ka 140J
MXPLAD18KP78CA Microchip Technology MXPLAD18KP78CA -
RFQ
 ECAD 2164 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SMD 제너 plad18 - 몰래 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 78V 86.7v 126V 143a 18000W (18kw) 아니요 1
SA7.5A-AP Micro Commercial Co SA7.5A-AP 0.1027
RFQ
 ECAD 4092 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 제너 SA7.5 - DO-15 다운로드 영향을받지 영향을받지 353-SA7.5A-AP 귀 99 8541.10.0080 1 1 7.5V 8.33V 12.9V 39.5A 500W 아니요
SM6T68AHE3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6T68EAHE3/52 -
RFQ
 ECAD 9394 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, SM6T, Transzorb® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 sm6t68 - DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 1 58.1V 64.6V 92V 6.5A 600W 아니요
P6KE6.8CA-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P6KE6.8CA-E3/54 0.5800
RFQ
 ECAD 6943 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 제너 P6KE6.8 - DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 5.8V 6.45V 10.5V 57.1a 600W 아니요 1
SMA6J54CA-TP Micro Commercial Co SMA6J54CA-TP 0.1188
RFQ
 ECAD 3311 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AC, SMA 제너 sma6j54 - DO-214AC (SMA) 다운로드 영향을받지 영향을받지 353-SMA6J54CA-TP 귀 99 8541.10.0080 1 54V 60V 87.1v 6.89a 600W 아니요 1
SMAKNT48CA Formosa Microsemi Co., Ltd. smaknt48ca -
RFQ
 ECAD 6951 0.00000000 Microsemi Co., Ltd. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 sma-nt sma-nt 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 4491-Smaknt48catr 귀 99 8541.10.0080 1 48V 53.3v 77.4v 12.9A 1000W (1kw) 아니요 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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