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과도 과도 억제제 (TVS) (134412)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 커패시턴스 @ 주파수 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 단방향 단방향 짐 전압- 최소 (고장) 전압- max (max) @ ipp 짐 파워 - 펄스 피크 전력선 전력선 양방향 양방향
MSMBJ5367B/TR Microchip Technology MSMBJ5367B/TR 3.9600
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5367B/TR 300 1 - - - - 600W 아니요
TVS348/TR Microchip Technology TVS348/TR 13.9500
RFQ
 ECAD 7797 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 TV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TA) 범용 구멍을 구멍을 a, 축 방향 제너 - a, 축 방향 - 영향을받지 영향을받지 150-tvs348/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 48V 54V 82V 1.7a 150W 아니요
MXLLCE12AE3/TR Microchip Technology mxllce12ae3/tr 15.1050
RFQ
 ECAD 1919 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 lce 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 제너 100pf @ 1mhz 사례 -1 - 영향을받지 영향을받지 150-mxllce12ae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 12V 13.3v 19.9V 75a 1500W (1.5kW) 아니요
MXPLAD30KP130CA/TR Microchip Technology mxplad30kp130ca/tr 117.1350
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SMD 제너 plad30 - 몰래 - 영향을받지 영향을받지 150-mxplad30kp130ca/tr 귀 99 8541.10.0080 100 130V 144V 209V 142A 30000W (30kW) 아니요 1
SMLJ100CE3/TR13 Microchip Technology SMLJ100CE3/TR13 1.5750
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 smlj 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - smlj (do-214ab) - 영향을받지 영향을받지 150-SMLJ100CE3/tr13tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 100V 111V 179V 16.8a 3000W (3kw) 아니요 1
MSMBJ5363CE3/TR Microchip Technology MSMBJ5363CE3/TR 3.9600
RFQ
 ECAD 1171 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5363CE3/tr 300 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5375CE3 Microchip Technology MSMBJ5375CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 8231 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5375CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
SMC50J100A STMicroelectronics smc50j100a 1.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics smc50j 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 SMC50 - SMC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 1 100V (최대) 111V 179V 28a 5000W (5kw) 아니요
MNS1N6152AUS Microchip Technology MNS1N6152AUS 24.4800
RFQ
 ECAD 2512 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/516 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SQ-Melf, c 제너 MNS1N6152 - D-5C - 영향을받지 영향을받지 150-mns1n6152aus 귀 99 8541.10.0080 1 20.6v 25.7V 37.4v 40.1A 1500W (1.5kW) 아니요 1
PHP30H1 Microchip Technology php30h1 -
RFQ
 ECAD 1641 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/507A 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C 통신 섀시 섀시 기준 기준 제너 PHP30 - 사례 -11 - 영향을받지 영향을받지 150-php30h1 귀 99 8541.10.0080 25 42.5V 50V 84V 90A 7500W (7.5kW) 아니요 1
MSMBG5354CE3 Microchip Technology MSMBG5354CE3 3.9600
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5354CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5369C Microchip Technology MSMBG5369C 3.9600
RFQ
 ECAD 1386 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5369C 1 - - - - 600W 아니요 1
JANTX1N5651A/TR Microchip Technology jantx1n5651a/tr 58.9650
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N5651 - DO-13 (DO-202AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5651a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 47.8V 53.2v 77V 19.5A 1500W (1.5kW) 아니요
MXSMCJ28AE3/TR Microchip Technology MXSMCJ28AE3/TR 16.3050
RFQ
 ECAD 3897 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 SMCG 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - smcj (do-214ab) - 영향을받지 영향을받지 150-mxsmcj28ae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 28V 31.1V 45.4V 33A 1500W (1.5kW) 아니요
JANTXV1N6055A/TR Microchip Technology jantxv1n6055a/tr 113.7300
RFQ
 ECAD 2274 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/507 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N6055 - DO-13 (DO-202AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n6055a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 40V 44.7V 64.8V 23.2A 1500W (1.5kW) 아니요 1
MASMCJ8.5CAE3/TR Microchip Technology masmcj8.5cae3/tr 6.7500
RFQ
 ECAD 5421 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 SMCG 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - smcj (do-214ab) - 영향을받지 영향을받지 150-MASMCJ8.5CAE3/TR 귀 99 8541.10.0080 100 8.5V 9.44V 14.4V 104.2A 1500W (1.5kW) 아니요 1
JANTXV1N6046A/TR Microchip Technology jantxv1n6046a/tr 105.4500
RFQ
 ECAD 5324 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/507 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N6046 - DO-13 (DO-202AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n6046a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 17V 19V 27.7V 54A 1500W (1.5kW) 아니요 1
MRT130KP275CV/TR Microchip Technology MRT130KP275CV/TR 45.2250
RFQ
 ECAD 3880 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 범용 구멍을 구멍을 축 제너 - 5A - 영향을받지 영향을받지 150-mrt130kp275cv/tr 귀 99 8541.10.0080 100 275V (최대) 300V 400V 292a 130000W (130kW) 아니요 1
JAN1N6052A/TR Microchip Technology JAN1N6052A/TR 62.3100
RFQ
 ECAD 8621 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/507 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N6052 - DO-13 (DO-202AA) - 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N6052A/TR 귀 99 8541.10.0080 100 30V 34.2v 49.9V 30A 1500W (1.5kW) 아니요 1
MSMBJ9.0AE3/TR Microchip Technology MSMBJ9.0AE3/TR 1.3050
RFQ
 ECAD 8768 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 smbj9.0 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ9.0AE3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 9V 10V 15.4V 39a 600W 아니요
MRT100KP54A/TR Microchip Technology MRT100KP54A/TR 27.9300
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 MRT100KP - DO-204AR - 영향을받지 영향을받지 150-mrt100kp54a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 54V 60V 106V 943A 100000W (100kW) 아니요
MPLAD18KP20CAE3/TR Microchip Technology mplad18kp20cae3/tr 40.0800
RFQ
 ECAD 8111 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SMD 제너 plad18 - 몰래 - 영향을받지 영향을받지 150-MPLAD18KP20CAE3/TR 귀 99 8541.10.0080 100 20V 22.2v 32.4V 556A 18000W (18kw) 아니요 1
MLCE150A/TR Microchip Technology MLCE150A/TR 3.6150
RFQ
 ECAD 8472 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 lce 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 제너 90pf @ 1MHz 사례 -1 - 영향을받지 영향을받지 150-mlce150a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 150V 167V 243V 6.2A 1500W (1.5kW) 아니요
M5KP8.5A/TR Microchip Technology M5KP8.5A/TR 7.0200
RFQ
 ECAD 6134 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 5kp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 - P600 - 영향을받지 영향을받지 150-m5kp8.5a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 8.5V 9.44V 14.4V 347a 5000W (5kw) 아니요
M15KP64CA/TR Microchip Technology M15KP64CA/TR 26.6250
RFQ
 ECAD 3621 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 M15KP - DO-204AR - 영향을받지 영향을받지 150-m15kp64ca/tr 귀 99 8541.10.0080 100 64V 71.1v 104V 144a 15000W (15kW) 아니요 1
M1.5KE400CAE3/TR Microchip Technology M1.5KE400CAE3/TR 6.4650
RFQ
 ECAD 4607 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 제너 1.5KE400 - 사례 -1 - 영향을받지 영향을받지 150-m1.5ke400cae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 324V 380V 548V 4a 1500W (1.5kW) 아니요 1
JANTX1N6152A/TR Microchip Technology jantx1n6152a/tr 17.5650
RFQ
 ECAD 8461 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/516 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 C, 축 방향 제너 1N6152 - C, 축 방향 - 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n6152a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 20.6v 25.7V 37.4v 40.1A 1500W (1.5kW) 아니요 1
M15KP110AE3/TR Microchip Technology M15KP110AE3/TR 25.4250
RFQ
 ECAD 4297 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 M15KP - DO-204AR - 영향을받지 영향을받지 150-m15kp110ae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 110V 122v 178V 84A 15000W (15kW) 아니요
MPLAD36KP78A/TR Microchip Technology mplad36kp78a/tr 38.3850
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SMD 제너 plad36 - 몰래 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-mplad36kp78a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 78V 86.7v 126V 286a 36000W (36kw) 아니요
M5KP43A/TR Microchip Technology M5KP43A/TR 7.0200
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 5kp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 - P600 - 영향을받지 영향을받지 150-m5kp43a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 43V 47.8V 69.4V 72A 5000W (5kw) 아니요
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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