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과도 과도 억제제 (TVS) (134412)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 승인 승인 커패시턴스 @ 주파수 회로 회로 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 형태 극의 극의 단방향 단방향 짐 전압- 최소 (고장) 전압- max (max) @ ipp 짐 파워 - 펄스 피크 전력선 전력선 AC 볼트 dc 볼트 바리스터 바리스터 (전압) Varistor 유형 (전압) Varistor 최대 (전압) 현재 - 서지 에너지 양방향 양방향 짐 전류- nom (nom) (8/20µs) 짐 전압- 수준 보호 (vp) (2416) 등급 현재- 등급 단락 (SCRR) 전압- 등급 보호 (VPR) 자격
MXRT100KP170CA Microchip Technology MXRT100KP170CA -
RFQ
 ECAD 5100 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 MXRT100KP170 - 5A (Do-204ar) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 170V 189V 334V - 100000W (100kW) 아니요 1
SMBJ100CAHE3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBJ100CAHE3/52 -
RFQ
 ECAD 7101 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Transzorb® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 SMBJ100 - DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 100V 111V 162v 3.7a 600W 아니요 1
SM15T15A-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM15T15A-E3/57T 0.6900
RFQ
 ECAD 8736 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division sm15t, transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 sm15t15 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 1 12.8V 14.3v 21.2v 71a 1500W (1.5kW) 아니요
SM6S11ATHE3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm6s11athe3/i 1.1312
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, PAR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-218AC 제너 SM6S11 - DO-218AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 1 11V 12.2v 18.2V 253A 4600W (4.6kW) 아니요
1.5SMC120CA-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1.5SMC120CA-M3/9AT 0.4447
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 1.5SMC, Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 1.5SMC120 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 102v 114V 165V 9.1a 1500W (1.5kW) 아니요 1
P4KE27A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P4KE27A-E3/54 0.1601
RFQ
 ECAD 5092 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 제너 P4KE27 - DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 1 23.1V 25.7V 37.5V 10.7a 400W 아니요
SMAJ130AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj130ahm3/h -
RFQ
 ECAD 5090 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Transzorb® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차, 통신 표면 표면 DO-214AC, SMA 제너 SMAJ130 - DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 1 130V 144V 209V 1.4a 400W 아니요
MS1N8153US/TR Microchip Technology MS1N8153US/TR 167.4800
RFQ
 ECAD 8149 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SQ-Melf, a 제너 - A, SQ-Mell 다운로드 1 (무제한) 100 1 10V 11.4V 16.9V 8.88a 150W 아니요
V22ZC05P Littelfuse Inc. V22ZC05p 0.1319
RFQ
 ECAD 1708 0.00000000 Littelfuse Inc. ZC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 5mm 1220 PF @ 1 MHz 1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -V22ZC05p 귀 99 8533.40.4000 5,000 14 v 18 v 19.8 v 22 v 24.2 v 100 a 0.2J
1.5SMBJ12A Bourns Inc. 1.5SMBJ12A 0.2159
RFQ
 ECAD 6202 0.00000000 Bourns Inc. 1.5SMBJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 1.5SMBJ - SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 118-1.5SMBJ12ATT 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 12V 13.3v 19.9V 75.4a 1500W (1.5kW) 아니요 자동차 AEC-Q101
SMCJ13C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SMCJ13C M6G -
RFQ
 ECAD 1647 0.00000000 대만 대만 회사 SMCJ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 통신 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 smcj13 - DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SMCJ13CM6GTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 13V 14.4V 23.8V 66a 1500W (1.5kW) 아니요 1
15KPA70A MDE Semiconductor Inc 15KPA70A 9.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 mde. inc 15KPA 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 - P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 3811-15KPA70A 귀 99 8541.10.0080 200 1 70V 78.2v 113.6v 132.9a 15000W (15kW) 아니요
P4SMAJ190CAS_R1_00001 Panjit International Inc. P4SMAJ190CAS_R1_00001 0.0697
RFQ
 ECAD 6479 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AC, SMA 제너 P4SMAJ190 - SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 27,000 190V 209V 308V 1.3a 400W 아니요 1
SMBG11AHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbg11ahe3/5b 0.3630
RFQ
 ECAD 5545 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 SMBG11 - SMBG (DO-215AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 1 11V 12.2v 18.2V 33A 600W 아니요
MXPLAD36KP85CAE3/TR Microchip Technology mxplad36kp85cae3/tr 101.3550
RFQ
 ECAD 3084 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SMD 제너 plad36 - 몰래 - 영향을받지 영향을받지 150-mxplad36kp85cae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 85V 94.4V 137V 263A 36000W (36kw) 아니요 1
1.5SMC13CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1.5SMC13CAHE3_A/H -
RFQ
 ECAD 2990 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, 1.5SMC, Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 1.5SMC13 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 11.1V 12.4V 18.2V 82.4a 1500W (1.5kW) 아니요 1
M15KP78CAE3 Microchip Technology M15KP78CAE3 26.7000
RFQ
 ECAD 6063 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 15kp78 - DO-204AR 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 78V 86.7v 126V 119a 15000W (15kW) 아니요 1
30KPA66CA Littelfuse Inc. 30KPA66CA 14.2940
RFQ
 ECAD 9028 0.00000000 Littelfuse Inc. 30kpa 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 30kpa - P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 -30KPA66CA 귀 99 8541.10.0080 800 66V 73.7V 107V 283.2A 30000W (30kW) 아니요 1
SMBJ40C-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBJ40C-E3/5B -
RFQ
 ECAD 1734 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Transzorb® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 smbj40 - DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 40V 44.4V 71.4v 8.4a 600W 아니요 1
MPTE-015G onsemi MPTE-015G -
RFQ
 ECAD 7303 0.00000000 온세미 MOSORB ™ 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 제너 mpte - 축 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 1 15V 17.6V 25V 60A (8/20µs) 1500W (1.5kW) 아니요
SPD080400Y4C Tripp Lite SPD080400Y4C 3.0000
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 트립 트립 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 95-SPD080400Y4C 1
SMBJ20CAHE3-TP Micro Commercial Co smbj20cahe3-tp 0.1341
RFQ
 ECAD 5687 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 smbj20 - DO-214AA (SMB) 다운로드 영향을받지 영향을받지 353-SMBJ20CAHE3-TP 귀 99 8541.10.0080 1 20V 22.2v 32.4V 18.5A 600W 아니요 1
1.5SMC20 M6 Taiwan Semiconductor Corporation 1.5SMC20 M6 -
RFQ
 ECAD 3571 0.00000000 대만 대만 회사 1.5SMC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 통신 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 1.5SMC20 - DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1.5SMC20M6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 16.2v 18V 29.1V 54A 1500W (1.5kW) 아니요
SPD2-PV550-M Littelfuse Inc. SPD2-PV550-M 136.3700
RFQ
 ECAD 7427 0.00000000 Littelfuse Inc. SPD2 PV 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 80 ° C DIN 레일 타입 1, 유형 2 열 열, 보호 수명 지표 CE, CURUS, UL, VDE - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 -1024-SPD2-PV550-M 귀 99 8536.30.8000 1 모듈 모듈 1 1.1kv 20 ka 40 ka 4.2kV 50 ka 3kv
SA48HE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SA48HE3/54 -
RFQ
 ECAD 6574 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Transzorb® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 자동차 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 제너 SA48 - DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 1 48V 53.3v 85.5V 5.8A 500W 아니요
1.5KE8.2CAHE3_B/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1.5KE8.2CAHE3_B/C 0.4467
RFQ
 ECAD 1816 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 자동차, 통신 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 제너 1.5ke8.2 - 1.5KE 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-1.5KE8.2CAHE3_B/CTR 귀 99 8541.10.0080 1,400 7V 7.79V 12.1V 130a 1500W (1.5kW) 아니요 1
SMCG120CA-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMCG120CA-E3/57T 0.5940
RFQ
 ECAD 5424 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AB, SMC GULL WING 제너 SMCG120 - smcg (do-215ab) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 120V 133V 193v 7.8a 1500W (1.5kW) 아니요 1
5KP150AHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp150ahe3/54 -
RFQ
 ECAD 2408 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 자동차 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 5kp150 - P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 1 150V 167V 243V 20.6a 5000W (5kw) 아니요
JANTX1N6164US/TR Microchip Technology jantx1n6164us/tr 20.7501
RFQ
 ECAD 2560 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/516 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SQ-Melf, c 제너 - C, SQ-Mell 다운로드 150-jantx1n6164us/tr 귀 99 8541.10.0080 100 62.2v 77.9V 112.8V 13.3a 1500W (1.5kW) 아니요 1
MSMLJ18A MDE Semiconductor Inc MSMLJ18A 2.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 mde. inc MSMLJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 3811-msmlj18atr 귀 99 8541.10.0080 500 1 18V 20V 29.2v 102.7a 3000W (3kw) 아니요
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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