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과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	기술	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 - 클램핑	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지
B72220S0750K101	0.9400	RFQ	14	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		B72220		2900 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250		75 v	100 v	108 v	120 v	132 v	6.5 ka	40J
B72510T0250K072	0.1264	RFQ	7358	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-		표면 표면, MLCV	0805 (2012 5)					1		-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	12,000		25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	80 a	0.3J
B72590D0201A060	-	RFQ	7687	epcos -tdk 전자 장치	ceradiodes	상자	쓸모없는	-		표면 표면, MLCV	0402 (1005 메트릭)	-				1		-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B72590D0201A060	귀 99	8533.40.4000	4,000								-
B72650M0110K072	0.9300	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	3225 (8063 메트릭)				1750 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000		11 v	14 v	16.2 v	18 v	19.8 v	100 a	0.3J
B72225S4511K101	4.5000	RFQ	807	epcos -tdk 전자 장치	슈페리어, S25	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	27.5mm		B72225S		950 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	150		510 v	670 v	738 v	820 v	902 v	20 ka	750J
B72220T2251K105	1.1072	RFQ	3667	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드	열 열	B72220T		700 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	T20K250E2	귀 99	8533.40.4000	500		250 v	320 v	351 v	390 v	429 v	10 ka	195j
B72214S2551K151	1.1800	RFQ	5723	epcos -tdk 전자 장치	고급의	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		215 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500		550 v	745 v	819 v	910 v	1.001 kv	5 ka	180J
B72205S0421K101	0.5000	RFQ	7	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	5mm		B72205S		40 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000		420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	400 a	14J
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B72210S0750K101	0.5100	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		720 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500		75 v	100 v	108 v	120 v	132 v	2.5 ka	12j
B72214S2141K101	0.6100	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		820 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500		140 v	180 v	198 v	220 v	242 v	6 ka	55J
B72214Q0151K101	1.1300	RFQ	34	epcos -tdk 전자 장치	에너지 Q	대부분	활동적인	-45 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	방사형		B72214Q		1100 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500		150 v	200 v	216 v	240 v	264 v	8 ka	85J
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B72240L0271K100	13.3600	RFQ	190	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)		섀시 섀시	37.5mm, 형성된 탭		B72240L		2700 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	50		275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	40 ka	550J
B72210S0231K151	0.4800	RFQ	6799	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		265 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000		230 v	300 v	324 v	360 v	396 v	2.5 ka	36J
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B72214S0151K151	0.6000	RFQ	5	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		750 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500		150 v	200 v	216 v	240 v	264 v	4.5 ka	40J
B72205S0131K101	0.3800	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	5mm		B72205S		135 PF @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000		130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	400 a	4.2J
B72214P2301K392	0.9400	RFQ	6206	epcos -tdk 전자 장치	MP	컷 컷 (CT)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		구멍을 구멍을	14mm	-	B72214p		485 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	6 ka	140J
B72214S2421K101	0.8700	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		290 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250		420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	5 ka	136J
B72205S0600K211	0.1298	RFQ	6756	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	5mm		B72205S		250 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,500		60 v	85 v	90 v	100 v	110 v	400 a	2.2J
B72520V0200K072	-	RFQ	3450	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-		표면 표면, MLCV	1206 (3216 메트릭)					1		-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	12,000		20 v	26 v	29.7 v	33 v	36.3 v	200a	0.7J
B72220S2301K101	0.9900	RFQ	76	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		B72220		850 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	10 ka	250J
B72240L0551K100	16.0300	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	Highe, LS40	대부분	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)		섀시 섀시	37.5mm, 형성된 탭		B72240L		1400 PF @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	50		550 v	745 v	819 v	910 v	1.001 kv	40 ka	960J
B72220P3351K101	1.4400	RFQ	802	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		B72220p		900 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250		350 v	460 v	504 v	560 v	616 v	12 ka	335J
B72214S2381K101	0.6100	RFQ	126	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		315 PF @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250		385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	5 ka	136J
B72520T140K72	0.1695	RFQ	9976	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	1206 (3216 메트릭)				700 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	12,000		14 v	18 v	19.8 v	22 v	24.2 v	200a	0.5J
B72205S0350K111	0.1298	RFQ	2901	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	5mm		B72205S		620 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500		35 v	45 v	50.4 v	56 v	61.6 v	100 a	1.1J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²