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과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	기술	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 - 클램핑	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지
B72225T4231K101	1.3181	RFQ	9597	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	대부분	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드	열 열	B72225T		1140 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250		230 v	300 v	324 v	360 v	396 v	20 ka	315J
B72724A2170S162	0.5700	RFQ	24	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	0612 (1632 메트릭)				75 PF @ 1 MHz	4		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000		17 v	22 v	25 v	32.5 v	40 v	30 a	0.075J
B72210S2551K501	0.4221	RFQ	7812	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		245 PF @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500		550 v	745 v	819 v	910 v	1.001 kv	3.5 ka	90J
B72580T0110K062	0.9000	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	1812 (4532 메트릭)				5000 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500		11 v	14 v	16.2 v	18 v	19.8 v	800 a	1.9J
B72214P2511K101	1.2400	RFQ	15	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214p		300 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	200		510 v	670 v	738 v	820 v	902 v	6 ka	200j
B72207S0600K311	0.1091	RFQ	2019	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	7mm		B72207S		480 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	6,000		60 v	85 v	90 v	100 v	110 v	1.2 ka	4.8J
B72214S0421K151	0.8000	RFQ	351	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		260 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000		460 v	615 v	675 v	750 v	825 v	4.5 ka	100J
B72220T2551K105	2.4400	RFQ	7596	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드	열 열	B72220T		410 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	140		550 v	745 v	819 v	910 v	1.001 kv	10 ka	360J
B72530E0140K062	0.6400	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, e	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)		표면 표면	1210 (3225 메트릭)				2000 pf @ 1 kHz	2		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000		14 v	18 v	19.8 v	22 v	24.2 v	400 a	1.5J
B72650M0251K072	0.9300	RFQ	8	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	3225 (8063 메트릭)				55 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000		250 v	320 v	351 v	390 v	429 v	400 a	8.2J
B72520E0140K062	0.6000	RFQ	8835	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, e	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1206 (3216 메트릭)					1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000		14 v	18 v	19.8 v	22 v	24.2 v	200a	0.5J
B72214P2301K692	0.5138	RFQ	6311	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & t (TB)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214p		350 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214P2301K692TB	귀 99	8533.40.4000	1,000		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	6 ka	140J
B72214S0271K104	0.2356	RFQ	4121	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		440 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S0271K104	귀 99	8533.40.4000	500		275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	4.5 ka	71J
B72220P3211K101	0.6491	RFQ	6557	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		B72220p		1500 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250		210 v	270 v	297 v	330 v	363 v	12 ka	215J
B72214S0461K101	0.7300	RFQ	11	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		320 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250		460 v	615 v	675 v	750 v	825 v	4.5 ka	100J
B72547H3140S200	-	RFQ	1968	epcos -tdk 전자 장치	SHCV	테이프 & tr (TR)	활동적인		범용	구멍을 구멍을	방사형			혼합 혼합		1	-	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	40V
B72280B0321K001	115.7100	RFQ	10	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다		B72280B		11000 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	5		320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	100 ka	1600J
B72540V0040M062	-	RFQ	8121	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	2220 (5750 5)				24000 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500		4 v	5.5 v	6.4 v	8 v	9.6 v	1 ka	1.4J
B72210S0131K151	0.4800	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		500 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500		130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	2.5 ka	19J
B72510E0170K062	0.4600	RFQ	17	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, e	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	0805 (2012 5)				400 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000		17 v	22 v	24.3 v	27 v	29.7 v	120 a	0.3J
B72520E0200K072	0.1860	RFQ	3414	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, e	테이프 & tr (TR)	활동적인				-							-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	12,000
B72214S0321K501	0.6000	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		370 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250		320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	4.5 ka	84J
B72540T0110K062	-	RFQ	6228	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	2220 (5750 5)				12000 pf @ 1 kHz	2		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500		11 v	14 v	16.2 v	18 v	19.8 v	1.2 ka	5.4J
B72210P2301K391	0.6700	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	MP	컷 컷 (CT)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm	-	B72210p		285 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	750		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	2.5 ka	65J
B72210P2301K151	0.3049	RFQ	7834	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210p		285 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210P2301K151TR	귀 99	8533.40.4000	3,000		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	3.5 ka	65J
B72214S0271K392	0.2313	RFQ	3162	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & t (TB)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		440 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S0271K392TB	귀 99	8533.40.4000	3,000		275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	4.5 ka	71J
B72520E0300K072	0.1998	RFQ	7594	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, e	테이프 & tr (TR)	활동적인				-							-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	8,000
B72220S0300K101	0.9400	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		B72220		9350 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250		30 v	38 v	42.3 v	47 v	51.7 v	2 ka	26J
B72214S0251K101	0.5100	RFQ	30	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		940 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500		250 v	320 v	351 v	390 v	429 v	4.5 ka	65J
B72530T1250K72	-	RFQ	5420	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)				1200 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	8,000		25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	300 a	1.7J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²