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과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	기술	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 - 클램핑	짐	전압- 최소 (고장)	전압- max (max) @ ipp	짐	파워 - 펄스 피크	전력선 전력선	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지	양방향 양방향
B72214S0321K331	0.6000	RFQ	237	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm			B72214S		290 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500								420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	4.5 ka	90J
B72530U1600K062	1.5700	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	높은 높은	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	1210 (3225 메트릭)		-			2000 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000								60 v	85 v	90 v	100 v	110 v	1.2 ka	-
B72214S1140K503	0.5252	RFQ	4642	epcos -tdk 전자 장치	Advanced-MP, S14	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm			B72214S		10 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S1140K503	귀 99	8533.40.4000	3,000								14 v	16 v	19.8 v	22 v	24.2 v	1 ka	4J
B72587J3200K051	-	RFQ	4538	epcos -tdk 전자 장치	SHCV	테이프 & tr (TR)	활동적인		범용	구멍을 구멍을	방사형				혼합 혼합		1	-	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500	58V
B72214S0321K151	0.6000	RFQ	2522	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm			B72214S		370 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000								320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	4.5 ka	84J
B72210U2301K903	0.7229	RFQ	8999	epcos -tdk 전자 장치	Advanced-MP, S14	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210U		200 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210U2301K903	귀 99	8533.40.4000	3,000								300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	3.5 ka	60J
B72225S4421K101	4.2200	RFQ	995	epcos -tdk 전자 장치	슈페리어, S25	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	27.5mm			B72225S		1150 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	100								420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	20 ka	700J
B72250L0551K100	20.2810	RFQ	9363	epcos -tdk 전자 장치	Highe, LS50	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		볼트 볼트	57mm			B72250L		2400 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	30								550 v	745 v	819 v	910 v	1.001 kv	75 ka	1820J
B72210S0271K341	0.4800	RFQ	15	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210S		220 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500								275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	2.5 ka	43J
B74111G0050M060	0.3000	RFQ	19	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	범용	표면 표면	01005 (0402 메트릭)	제너				5pf @ 1MHz		WL-CSP01005 SL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20,000		5V (최대)	6V	8V (유형)	4A (8/20µs)	-	아니요								1
B72580T0600K062	0.9000	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	1812 (4532 메트릭)					400 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000								60 v	85 v	90 v	100 v	110 v	400 a	5.8J
B72214T2211K101	-	RFQ	2621	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	3-sip		열 열	B72214T		410 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500								210 v	270 v	297 v	330 v	363 v	6 ka	80J
B72214T2271K105	1.6900	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	3-sip		열 열	B72214T		320 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	980								275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	6 ka	110J
B72210S2271K502	0.2155	RFQ	8154	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210S		220 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S2271K502	귀 99	8533.40.4000	3,000								275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	3.5 ka	55J
B72220P3511K301	1.4113	RFQ	6113	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm			B72220p		600 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220P3511K301	귀 99	8533.40.4000	1,600								510 v	670 v	738 v	820 v	902 v	10 ka	445J
B72220P3131K101	0.6555	RFQ	6136	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm			B72220p		2400 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500								130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	12 ka	135J
B72220P3621K101	2.2900	RFQ	7	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm			B72220p		500 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	100								625 v	825 v	900 v	1kv	1.1 kV	10 ka	540J
B72580T6111K072	0.9000	RFQ	269	epcos -tdk 전자 장치	서지 서지	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	1812 (4532 메트릭)					200 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000								115 v	150 v	162 v	180 v	198 v	250 a	3.2J
B72207S0301K211	0.4100	RFQ	5	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	7mm			B72207S		100 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000								300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	1.2 ka	23J
B72582V0350K062	-	RFQ	5904	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-		표면 표면, MLCV	1812 (4532 메트릭)						1		-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	2,000								35 v	45 v	50.4 v	56 v	61.6 v	500 a	4J
B72214S0351K675	0.2440	RFQ	5868	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & t (TB)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm			B72214S		350 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S0351K675TB	귀 99	8533.40.4000	500								350 v	460 v	504 v	560 v	616 v	4.5 ka	80J
B72220S2381K151	0.5414	RFQ	1867	epcos -tdk 전자 장치	고급의	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm			B72220		600 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220S2381K151TR	귀 99	8533.40.4000	2,250								385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	10 ka	273J
B72205S0600K311	0.1298	RFQ	7538	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	5mm			B72205S		250 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,500								60 v	85 v	90 v	100 v	110 v	400 a	2.2J
B72530E1250K062	0.2295	RFQ	1167	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, e	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)					1500 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,000								25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	300 a	1.7J
B72214S0350K531	0.2107	RFQ	4249	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm			B72214S		4200 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000								35 v	45 v	50.4 v	56 v	61.6 v	1 ka	10J
B72214S0381K551	0.6000	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm			B72214S		315 PF @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000								385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	4.5 ka	80J
B72220T2351K102	-	RFQ	4197	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		-	B72220T			1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220T2351K102	귀 99	8533.40.4000	1														-
B72207S0141K311V87	-	RFQ	2546	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인							B72207S					-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500
B72242L0381K102	25.0750	RFQ	6798	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		섀시 섀시	40mm			B72242L		1900 PF @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	50								385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	65 ka	800J
B72214T2141K101	-	RFQ	7369	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	3-sip		열 열	B72214T		610 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500								140 v	180 v	198 v	220 v	242 v	6 ka	55J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²