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과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지
B72210S0381K351	0.4800	RFQ	896	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	175 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	2.5 ka	40J
B72220R2271K101	1.8800	RFQ	508	epcos -tdk 전자 장치	Thermofuse ™, NT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	23mm		B72220R	850 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-77234	귀 99	8533.40.4000	150	275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	10 ka	215J
B72590D0700A060	-	RFQ	9857	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-	-					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	10,000							-
B72650M0141K072	0.9300	RFQ	5	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	3225 (8063 메트릭)			95 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	140 v	180 v	198 v	220 v	242 v	400 a	4.5J
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B72205S0301K321	0.1220	RFQ	6444	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	5mm		B72205S	55 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	400 a	9.6J
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B72214S0300K101	0.5100	RFQ	23	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	400 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	30 v	38 v	42.3 v	47 v	51.7 v	1 ka	9J
B72220S0750K551	0.3822	RFQ	6028	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20mm		B72220	2900 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	2,000	75 v	100 v	108 v	120 v	132 v	6.5 ka	40J
B72440P5040S560	0.3900	RFQ	20	epcos -tdk 전자 장치	낮은 낮은 전압	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면, MLCV	0201 (0603 메트릭)			15 PF @ 1 MHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	15,000	4 v	5.5 v	9 v		17 v	1 a	-
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B72210S0500K551	0.4800	RFQ	13	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	950 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500	50 v	65 v	73.8 v	82 v	90.2 v	2.5 ka	8.4J
B72735D0050H062	0.8200	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	고속	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	1012 (2532 메트릭)			10 PF @ 1 MHz	4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	2,000		5.6 v	52 v				-
B72207S0321K101	0.4800	RFQ	28	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm		B72207S		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	1.2 ka	25J
B72205S0171K101	0.3800	RFQ	850	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	5mm		B72205S	100 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	175 v	225 v	243 v	270 v	297 v	400 a	5.6J
B72214Q0171K101	1.1300	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	에너지 Q	대부분	활동적인	-45 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	방사형		B72214Q	1000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	175 v	225 v	243 v	270 v	297 v	8 ka	100J
B72510T9200S172	-	RFQ	5671	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	0805 (2012 5)			270 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	12,000	20 v	26 v		29.7 v		80 a	0.4J
B72210S2301K101	0.4600	RFQ	73	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	3.5 ka	60J
B72650M0140K093	0.3996	RFQ	3648	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	2-SMD, J-LEAD			1450 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	14 v	18 v	19.8 v	22 v	24.2 v	100 a	0.4J
B72510S2170K62	-	RFQ	9602	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	0805 (2012 5)			100 pf @ 1 MHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000	17 v	22 v		25 v		30 a	0.1J
B72210S0750K551	0.1700	RFQ	6010	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	720 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000	75 v	100 v	108 v	120 v	132 v	2.5 ka	12j
B72207S0381K311	0.4100	RFQ	711	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm		B72207S	85 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	1.2 ka	28J
B72220S3271K101	1.6600	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	우수한	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20mm		B72220	1150 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250	275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	12 ka	260J
CN0603K25G	-	RFQ	8243	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)		CN0603		1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8533.40.4000	4,000	25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	30 a	0.3J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²