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과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지
B72214T2351K105	0.8222	RFQ	2014	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	3-sip	열 열	B72214T	260 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	T14K350E2	귀 99	8533.40.4000	980	350 v	460 v	504 v	560 v	616 v	6 ka	150J
B72207S1140K111	0.5700	RFQ	54	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm		B72207S	2300 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500	14 v	16 v	19.8 v	22 v	24.2 v	250 a	0.9J
B72260B0461K001	69.5100	RFQ	73	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다		B72260B	3900 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	10	460 v	615 v	675 v	750 v	825 v	70 ka	1650J
B72214S0600K151	0.6000	RFQ	306	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	1650 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500	60 v	85 v	90 v	100 v	110 v	4.5 ka	17J
B72210P2141K592	0.2271	RFQ	4794	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & t (TB)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210p	500 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210P2141K592TB	귀 99	8533.40.4000	750	175 v	225 v	243 v	1 v	297 v	3.5 ka	40J
B72520T500K84	-	RFQ	3871	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)			120 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	2,000	50 v	65 v	73.8 v	82 v	90.2 v	100 a	0.6J
B72240L0231K102	9.8626	RFQ	4988	epcos -tdk 전자 장치	Highe	상자	활동적인		섀시 섀시	37.5mm, 탭		B72240L		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	50	230 v	300 v	324 v	360 v	396 v	40 ka	460J
B72232B0381K001	19.6200	RFQ	38	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다		B72232B	1400 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	10	385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	25 ka	550J
B72580V0200K062	-	RFQ	6116	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	1812 (4532 메트릭)			3000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500	20 v	26 v	29.7 v	33 v	36.3 v	800 a	3J
B72214S0300K531	0.2107	RFQ	1898	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	4950 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	750	30 v	38 v	42.3 v	47 v	51.7 v	1 ka	9J
B72207S0301K201	0.0999	RFQ	9453	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm		B72207S	100 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	5,000	300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	1.2 ka	23J
B72207S0421K101	0.4600	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm		B72207S	75 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	1.2 ka	32J
B72220S0300K202	0.4499	RFQ	1828	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20mm		B72220	9350 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220S0300K202	귀 99	8533.40.4000	1,500	30 v	38 v	42.3 v	47 v	51.7 v	2 ka	26J
B72214S2551K101	1.0700	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	215 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250	550 v	745 v	819 v	910 v	1.001 kv	5 ka	180J
B72650M0271K072	0.9300	RFQ	9	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	3225 (8063 메트릭)			50 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	400 a	8.6J
B72210S0421K101	0.5500	RFQ	34	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	165 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	2.5 ka	45J
B72260B0231K001	64.5100	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다		B72260B	7900 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	10	230 v	300 v	324 v	360 v	396 v	70 ka	730J
B72214S0441K101	0.7300	RFQ	28	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	275 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250	440 v	585 v	643.5 v	715 v	786.5 v	4.5 ka	95J
B72214S2381K501	0.2344	RFQ	3382	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	315 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250	385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	5 ka	136J
B72205S0140K111	0.4600	RFQ	9	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	5mm		B72205S	1450 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500	14 v	18 v	19.8 v	22 v	24.2 v	100 a	0.4J
B72660M0141K072	1.0200	RFQ	739	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	표면 표면, MLCV	4032 (10080 메트릭)				1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	140 v	180 v	198 v	220 v	242 v	1.2 ka	10J
B72650M0250K072	0.9300	RFQ	8	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	3225 (8063 메트릭)			850 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	100 a	0.7J
B72522V0170K072	-	RFQ	5889	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			-					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	12,000
B72214P2131K101	0.6300	RFQ	18	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214p	1100 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	6 ka	60J
B72220P3681K101	1.1268	RFQ	2179	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20mm		B72220p	450 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,600	680 v	895 v	990 v	1.1 kV	1.21 kV	10 ka	595J
B72280B0681K001	139.4700	RFQ	6597	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다		B72280B	5200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	5	680 v	895 v	990 v	1.1 kV	1.21 kV	100 ka	3600J
B72510T0040M062	0.4400	RFQ	138	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	0805 (2012 5)			700 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000	4 v	5.5 v	6.4 v	8 v	9.6 v	100 a	0.1J
B72210S0511K511	0.9000	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	140 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	510 v	670 v	738 v	820 v	902 v	2.5 ka	55J
B72214S0421K109	0.4801	RFQ	7271	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	290 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S0421K109	귀 99	8533.40.4000	3,000	420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	4.5 ka	90J
B72214Q0321K502	1.4300	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-	구멍을 구멍을	14mm	-	B72214Q			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	320 v						-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²