RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지
B72207S0131K101	0.4800	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm		B72207S	245 PF @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	1.2 ka	9.5J
B72530G0350K062	0.2246	RFQ	3163	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, g	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)			1000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	495-B72530G0350K062TR	귀 99	8533.40.4000	2,000	35 v	45 v	50.4 v	56 v	61.6 v	250 a	2J
B72210S2381K502	0.3068	RFQ	4242	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	175 PF @ 1 kHz	1	-	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S2381K502	귀 99	8533.40.4000	3,000	385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	3.5 ka	67J
B72220S2511K502	1.0503	RFQ	3171	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20mm		B72220	460 pf @ 1 kHz	1	-	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220S2511K502	귀 99	8533.40.4000	1,500	510 v	670 v	738 v	820 v	902 v	10 ka	325J
B72207S0750K101	0.4800	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm		B72207S	430 pf @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	75 v	100 v	108 v	120 v	132 v	1.2 ka	5.9J
B72207S0131K261	0.1394	RFQ	7195	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & t (TB)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm		B72207S	245 PF @ 1 kHz	1	-	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72207S0131K261TB	귀 99	8533.40.4000	4,000	130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	1.2 ka	9.5J
B72500D50H160	0.3600	RFQ	8	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)			0.9 pf @ 1 MHz	1	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,000		5.6 v	150 v				-
B72280B0751K001	220.3100	RFQ	24	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다		B72280B	4800 pf @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	5	750 v	970 v	1.08 kV	1.2kV	1.32 kV	100 ka	4000J
B72250L0271K102	16.3514	RFQ	6004	epcos -tdk 전자 장치	Highe, LS50	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	볼트 볼트	57mm		B72250L	5500 pf @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	90	275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	75 ka	860J
B72241L0271K100	12.9805	RFQ	3104	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다		B72241L	4800 pf @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	50	275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	50 ka	550J
B72650M0170K093	0.3956	RFQ	7506	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	2-SMD, J-LEAD			1200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	17 v	22 v	24.3 v	27 v	29.7 v	100 a	0.5J
B72225T4131K101	1.3050	RFQ	5708	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	대부분	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드	열 열	B72225T	2010 PF @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250	130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	20 ka	185J
B72210S0301K101	0.5100	RFQ	23	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	2.5 ka	47J
B72650M0231K093	0.3996	RFQ	8955	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	표면 표면, MLCV	3225 (8063 메트릭)				1	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	2,000	230 v	300 v				400 a	7.2J
B72241L0441K100	15.1439	RFQ	6718	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	40mm		B72241L	1700 PF @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	50	440 v	585 v	643.5 v	715 v	786.5 v	50 ka	950J
B72530V1200K62	-	RFQ	5403	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)					-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000							-
B72210S0271K101	0.5100	RFQ	24	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	220 pf @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	2.5 ka	43J
B72214P2461K351	0.7336	RFQ	4640	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214p	320 pf @ 1 kHz	1	-	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214P2461K351TR	귀 99	8533.40.4000	3,000	460 v	615 v	675 v	750 v	825 v	6 ka	200j
B72220X2301K101V57	1.0500	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, 표준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20mm	-	B72220X		1	다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-77294	귀 99	8533.40.4000	100	300 v						-
B72510T1140S272	-	RFQ	4065	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	0805 (2012 5)			350 pf @ 1 kHz	1	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	12,000	14 v	16 v		22 v		120 a	0.3J
B72214S0461K501	0.2822	RFQ	7404	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	260 pf @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250	460 v	615 v	675 v	750 v	825 v	4.5 ka	100J
B72530V0300K062	-	RFQ	5893	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)				1	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	2,000	30 v	38 v	42.3 v	47 v	51.7 v	300 a	2J
B72210S0621K101	0.7700	RFQ	8	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	110 pf @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250	625 v	825 v	900 v	1kv	1.1 kV	2.5 ka	68J
CN0603M6G	-	RFQ	6030	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)		CN0603		1	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8533.40.4000	4,000	6 v	8 v	8.8 v	11 v	13.2 v	30 a	0.1J
B72220S2621K509	1.0503	RFQ	4290	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20mm		B72220	380 pf @ 1 kHz	1	-	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220S2621K509	귀 99	8533.40.4000	250	625 v	825 v	900 v	1kv	1.1 kV	10 ka	400J
B72210S1300K102	0.3200	RFQ	1225	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	2750 pf @ 1 kHz		다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000			42.3 v	47 v	51.7 v		-
B72210S2421K101	0.5700	RFQ	12	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	165 PF @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	3.5 ka	67J
B72520T0110K062	0.5500	RFQ	54	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)			700 pf @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000	11 v	14 v	16.2 v	18 v	19.8 v	200a	0.5J
B72580V0950S172	-	RFQ	4156	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	1812 (4532 메트릭)			250 pf @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000	95 v	125 v		150 v	180 v	250 a	2.8J
B72210P2321K101	0.5500	RFQ	11	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인	-45 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210p	265 pf @ 1 kHz	1	다운로드	ROHS3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	3.5 ka	72J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²