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과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지
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B72210S0171K151	0.4800	RFQ	467	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	380 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500	175 v	225 v	243 v	270 v	297 v	2.5 ka	28J
B72214S0301K151	0.6000	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	400 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	4.5 ka	76J
B72220S2271K551	0.5414	RFQ	9622	epcos -tdk 전자 장치	고급의	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20mm		B72220	850 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220S2271K551TR	귀 99	8533.40.4000	2,000	275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	10 ka	215J
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B72210S0681K351	0.9000	RFQ	487	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	100 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	680 v	895 v	990 v	1.1 kV	1.21 kV	2.5 ka	72J
B72210S0511K101	0.7700	RFQ	20	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	140 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	510 v	670 v	738 v	820 v	902 v	2.5 ka	55J
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B72214S2511K102	0.5875	RFQ	9220	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	240 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S2511K102	귀 99	8533.40.4000	1,500	510 v	670 v	738 v	820 v	902 v	5 ka	165J
B72240B0381K001	28.2600	RFQ	8492	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	기준 기준		B72240B	1900 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	10	385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	40 ka	800J
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B72220T2681K105	1.2917	RFQ	2174	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드	열 열	B72220T	340 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	T20K680E2	귀 99	8533.40.4000	420	680 v	895 v	990 v	1.1 kV	1.21 kV	10 ka	440J
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B72530G0350K062	0.2246	RFQ	3163	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, g	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)			1000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	495-B72530G0350K062TR	귀 99	8533.40.4000	2,000	35 v	45 v	50.4 v	56 v	61.6 v	250 a	2J
B72210S2381K502	0.3068	RFQ	4242	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	175 PF @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S2381K502	귀 99	8533.40.4000	3,000	385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	3.5 ka	67J
B72220S2511K502	1.0503	RFQ	3171	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20mm		B72220	460 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220S2511K502	귀 99	8533.40.4000	1,500	510 v	670 v	738 v	820 v	902 v	10 ka	325J
B72207S0750K101	0.4800	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm		B72207S	430 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	75 v	100 v	108 v	120 v	132 v	1.2 ka	5.9J
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B72500D50H160	0.3600	RFQ	8	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)			0.9 pf @ 1 MHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,000		5.6 v	150 v				-
B72280B0751K001	220.3100	RFQ	24	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다		B72280B	4800 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	5	750 v	970 v	1.08 kV	1.2kV	1.32 kV	100 ka	4000J
B72250L0271K102	16.3514	RFQ	6004	epcos -tdk 전자 장치	Highe, LS50	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	볼트 볼트	57mm		B72250L	5500 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	90	275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	75 ka	860J
B72241L0271K100	12.9805	RFQ	3104	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다		B72241L	4800 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	50	275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	50 ka	550J
B72650M0170K093	0.3956	RFQ	7506	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	2-SMD, J-LEAD			1200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	17 v	22 v	24.3 v	27 v	29.7 v	100 a	0.5J
B72225T4131K101	1.3050	RFQ	5708	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	대부분	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드	열 열	B72225T	2010 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250	130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	20 ka	185J
B72210S0301K101	0.5100	RFQ	23	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	2.5 ka	47J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²