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과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지
B72250L0251K102	18.2877	RFQ	6777	epcos -tdk 전자 장치	Highe, LS50	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	볼트 볼트	57mm		B72250L	5600 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	30	250 v	320 v	351 v	390 v	429 v	75 ka	800J
B72207S2171K111	0.1412	RFQ	3935	epcos -tdk 전자 장치	고급의	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm		B72207S	190 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72207S2171K111TR	귀 99	8533.40.4000	6,000	175 v	225 v	243 v	270 v	297 v	1.75 ka	17J
B72440D0050B060	-	RFQ	1436	epcos -tdk 전자 장치	-	상자	쓸모없는	-	표면 표면, MLCV	0201 (0603 메트릭)	-			1	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B72440D0050B060	귀 99	8533.40.4000	4,000							-
B72214P2271K551	0.9400	RFQ	335	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	구멍을 구멍을	14mm	-	B72214p	530 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	6 ka	130J
B72210S0151K501	0.1700	RFQ	9842	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	430 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	150 v	200 v	216 v	240 v	264 v	2.5 ka	24J
B72214S0250K101	0.5100	RFQ	10	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	11100 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	1 ka	7J
B72214R2151K101	1.4900	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	Thermofuse ™, NT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	17mm		B72214R	750 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-77233	귀 99	8533.40.4000	200	150 v	200 v	216 v	240 v	264 v	6 ka	60J
B72500T7050S160	0.4000	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)			0.6 pf @ 1 MHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,000	4 v	5.5 v	216.75 v	255 v	293.25 v		-
B72520T0060M062	0.5500	RFQ	119	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)			1200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000	6 v	8 v	8.8 v	11 v	13.2 v	200a	0.4J
B72214U2381K502	0.9100	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	SNF Advanced-MP	대부분	활동적인	-	구멍을 구멍을	14mm	-	B72214U			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-77587	귀 99	8533.40.4000	250	380 v						-
B72522V0250K062	-	RFQ	7548	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	-					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	2,000							-
B72207S0381K511	0.1307	RFQ	1406	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm		B72207S	85 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72207S0381K511TR	귀 99	8533.40.4000	5,000	385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	1.2 ka	28J
B72660M0251K093	1.2200	RFQ	8827	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	표면 표면, MLCV	4032 (10080 메트릭)				1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	250 v	320 v	351 v	390 v	429 v	1.2 ka	19J
B72542V0300K062	1.6800	RFQ	29	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	2220 (5750 5)			4000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	30 v	38 v	42.3 v	47 v	51.7 v	1.2 ka	12j
B72580V6111K072	-	RFQ	4648	epcos -tdk 전자 장치	-	상자	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	1812 (4532 메트릭)	-		200 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B72580V6111K072	귀 99	8533.40.4000	4,000	115 v	150 v	162 v	180 v	198 v	250 a	3.2J
B72660M0461K093	1.2200	RFQ	11	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	표면 표면, MLCV	4032 (10080 메트릭)				1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	460 v	615 v	675 v	750 v	825 v	1 ka	36J
B72520T0350K062	0.5500	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	1206 (3216 메트릭)			600 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	2,000	35 v	45 v	50.4 v	56 v	61.6 v	100 a	0.4J
B72214S0200K101	0.5100	RFQ	7380	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	6800 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500	20 v	26 v	29.7 v	33 v	36.3 v	1 ka	6J
B72500H0170S260	-	RFQ	8740	epcos -tdk 전자 장치	smd 다층 과도 다층 억제제	상자	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)	-		74 PF @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B72500H0170S260	귀 99	8533.40.4000	4,000	17 v	22 v	10 v	25 v	40 v	30 a	75J
B72225S4461K101	4.2200	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	슈페리어, S25	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	27.5mm		B72225S	1050 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	100	460 v	615 v	675 v	750 v	825 v	20 ka	720J
B72214P2301K502	0.4784	RFQ	3165	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214p	350 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214P2301K502	귀 99	8533.40.4000	3,000	300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	6 ka	140J
B72530G0170K062	0.2205	RFQ	6152	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)	-		2200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000	17 v	22 v	24.3 v	27 v	29.7 v	400 a	1.7J
B72510G0250K062	0.1400	RFQ	4340	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	0805 (2012 5)			330 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	495-B72510G0250K062TR	귀 99	8533.40.4000	3,000	25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	80 a	0.3J
B72214U2321K502	0.6600	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	SNF Advanced-MP	대부분	활동적인	-	구멍을 구멍을	14mm	-	B72214U			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-77612	귀 99	8533.40.4000	300	320 v						-
B72214S0170K151	0.6000	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	8200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500	17 v	22 v	24.3 v	27 v	29.7 v	1 ka	5J
B72214T2301K105	1.6900	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	3-sip	열 열	B72214T	300 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	980	300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	6 ka	125J
B72307S0131K101	0.4300	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	S07 소형	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm	-	B72307S	245 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72307S0131K101	귀 99	8533.40.4000	1,000	130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	1.2 ka	9.5J
B72314S2321K101	0.6000	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	S14 소형	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm	-	B72314S	370 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72314S2321K101	귀 99	8533.40.4000	400	320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	6 ka	136J
B72240L0751K102	17.4100	RFQ	62	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	섀시 섀시	37.5mm, 탭		B72240L	1000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	40	750 v	970 v	1.08 kV	1.2kV	1.32 kV	40 ka	1200J
B72590T8151V060	-	RFQ	1217	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	0402 (1005 메트릭)			3 PF @ 1 MHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	10,000	14 v	16 v	148.75 v	175 v	201.25 v	1 a	0.03J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²