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과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	기술	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 - 클램핑	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지
Z62000Z2310Z11	-	RFQ	6508	epcos -tdk 전자 장치	G14/20	대부분	활동적인		범용	구멍을 구멍을	14mm		Z62000Z2310	GDT, MOV		1	14mm	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000	580V
B72314P2251K101	0.8600	RFQ	11	epcos -tdk 전자 장치	고급 MP 소형	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm	-	B72214p		580 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500		250 v	320 v	351 v	390 v	429 v	6 ka	115J
B72314P2271K101	0.8600	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	고급 MP 소형	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm	-	B72214p		530 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500		275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	6 ka	130J
B72314P2131K101	0.8600	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	고급 MP 소형	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm	-	B72214p		1100 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500		130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	6 ka	60J
B72314P2301K101	0.8600	RFQ	30	epcos -tdk 전자 장치	고급 MP 소형	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm	-	B72214p		485 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	6 ka	140J
B72530T6250K062	0.9300	RFQ	7	epcos -tdk 전자 장치	높은 높은	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	1210 (3225 메트릭)	-			5000 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500		25 v	36 v	40.05 v	44.5 v	48.95 v	1.5 ka	4J
B72230M0151M401	10.9100	RFQ	440	epcos -tdk 전자 장치	MT30. 1	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	상자, 4 리드	열 열	B72230m		3250 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	40		150 v	200 v	228 v	240 v	270 v	25 ka	215J
B7225M0271M201	10.8500	RFQ	392	epcos -tdk 전자 장치	MT25	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	상자, 4 리드	-	B72225m		1320 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	40		275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	20 ka	375J
B72440C0050H160	-	RFQ	8280	epcos -tdk 전자 장치	-	상자	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	0201 (0603 메트릭)	-				1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B72440C0050H160	귀 99	8533.40.4000	4,000			5.5 v	11 v				-
B72590C0040B060	-	RFQ	6302	epcos -tdk 전자 장치	ceradiodes	상자	쓸모 쓸모	-		표면 표면, MLCV	0402 (1005 메트릭)	-				1		-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B72590C0040B060	귀 99	8533.40.4000	4,000								-
B72520G1140S262	0.1815	RFQ	4735	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, g	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	1206 (3216 메트릭)				1500 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	495-B72520G1140S262TR	귀 99	8533.40.4000	3,000		14 v	16 v	20.825 v	24.5 v	28.175 v	200a	0.6J
B72214S2301K507	0.4227	RFQ	5060	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		400 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S2301K507	귀 99	8533.40.4000	3,000		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	6 ka	125J
B72214P2271K351	0.4784	RFQ	9823	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214p		380 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214P2271K351TR	귀 99	8533.40.4000	3,000		275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	6 ka	130J
B72214S0681K503	0.5052	RFQ	6591	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		180 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S0681K503	귀 99	8533.40.4000	3,000		680 v	895 v	990 v	1.1 kV	1.21 kV	4.5 ka	140J
B72210S0271K512	0.2941	RFQ	4492	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		220 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S0271K512TR	귀 99	8533.40.4000	3,000		275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	2.5 ka	43J
B72207S0200K106	0.1307	RFQ	9278	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	7mm		B72207S		1600 PF @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72207S0200K106	귀 99	8533.40.4000	6,000		20 v	26 v	29.7 v	33 v	36.3 v	250 a	1.3J
B72210S0151K592	0.1867	RFQ	7523	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & t (TB)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		430 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S0151K592TB	귀 99	8533.40.4000	3,000		150 v	200 v	216 v	240 v	264 v	2.5 ka	24J
B72214P2621K502	0.5989	RFQ	3157	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214p		240 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214P2621K502	귀 99	8533.40.4000	3,000		625 v	825 v	900 v	1kv	1.1 kV	6 ka	240J
B72210P2301K192	0.3215	RFQ	9558	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & t (TB)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210p		285 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210P2301K192TB	귀 99	8533.40.4000	750		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	3.5 ka	65J
B72210X2301K592	0.6910	RFQ	5070	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, 표준	테이프 & t (TB)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210X		285 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210X2301K592TB	귀 99	8533.40.4000	3,500		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	3.5 ka	65J
B72500G0250K060	0.0924	RFQ	6078	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, g	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)				100 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	495-B72500G0250K060TR	귀 99	8533.40.4000	4,000		25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	30 a	0.3J
B72220S2511K304	1.0503	RFQ	1825	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		B72220		460 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220S2511K304	귀 99	8533.40.4000	1,500		510 v	670 v	738 v	820 v	902 v	10 ka	325J
B72214S0381K503	0.2313	RFQ	1750	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214S		315 PF @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S0381K503	귀 99	8533.40.4000	3,000		385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	4.5 ka	80J
B72214U2301K502	0.2563	RFQ	9513	epcos -tdk 전자 장치	SNF Advanced-MP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14mm		B72214U		485 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214U2301K502	귀 99	8533.40.4000	3,000		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	6 ka	140J
B72220S0321K502	0.4392	RFQ	8513	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm		B72220		720 pf @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220S0321K502	귀 99	8533.40.4000	5,000		320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	8 ka	184J
B72210S0321K592	0.1867	RFQ	6090	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & t (TB)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S		185 PF @ 1 kHz	1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S0321K592TB	귀 99	8533.40.4000	3,000		320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	2.5 ka	50J
B72210U2231K303	1.1600	RFQ	5423	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인	-		구멍을 구멍을	디스크 10mm	-	B72210U					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-77600	귀 99	8533.40.4000	250		230 v						-
B72214P2321K502	0.9400	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		구멍을 구멍을	14mm	-	B72214p		445 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-77615	귀 99	8533.40.4000	500		320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	6 ka	150J
B72220S0551K503	1.6500	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20mm	-	B72220		410 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	200		550 v	745 v	819 v	910 v	1.001 kv	6.5 ka	210J
B72220T2131K105	1.1072	RFQ	4223	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드	열 열	B72220T		1850 pf @ 1 kHz	1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	T20K130E2	귀 99	8533.40.4000	500		130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	10 ka	100J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

과도 과도 억제제 (TVS) (1864)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²