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MPLAD15KP160CAE3/TR Microchip Technology mplad15kp160cae3/tr 29.2950
RFQ
ECAD 5967 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SMD 제너 plad15 - 몰래 - 영향을받지 영향을받지 150-mplad15kp160cae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 160V 178V 259V 58a 15000W (15kW) 아니요 1
M5KP58AE3/TR Microchip Technology M5KP58AE3/TR 7.0200
RFQ
ECAD 1213 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 5kp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 - P600 - 영향을받지 영향을받지 150-m5kp58ae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 58V 64.4V 94V 53.4a 5000W (5kw) 아니요
MA15KP70A/TR Microchip Technology MA15KP70A/TR 46.0050
RFQ
ECAD 9587 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 MA15KP - DO-204AR - 영향을받지 영향을받지 150-ma15kp70a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 70V 77.8V 114V 132A 15000W (15kW) 아니요
MSMBJ5355B/TR Microchip Technology MSMBJ5355B/TR 3.9600
RFQ
ECAD 2354 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5355B/TR 300 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5356B Microchip Technology MSMBG5356B 3.9600
RFQ
ECAD 5841 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5356B 1 1 - - - - 600W 아니요
JANTXV1N6170US Microchip Technology jantxv1n6170us 22.0401
RFQ
ECAD 3800 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/516 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SQ-Melf, c 제너 1N6170 - D-5C - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n6170us 귀 99 8541.10.0080 1 114V 142.5V 206.3v 7.3A 1500W (1.5kW) 아니요 1
MSMBG5377AE3 Microchip Technology MSMBG5377AE3 3.4300
RFQ
ECAD 4716 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5377AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MX15KP17CA Microchip Technology MX15KP17CA -
RFQ
ECAD 4991 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 15kp 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 - 5A (Do-204ar) 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-mx15kp17ca 귀 99 8541.10.0080 100 17V 18.9V 29.3v 512A 15000W (15kW) 아니요 1
JAN1N5635A/TR Microchip Technology Jan1n5635a/tr 54.4500
RFQ
ECAD 3753 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N5635 - DO-13 (DO-202AA) - 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5635A/TR 귀 99 8541.10.0080 100 1 10.2V 11.4V 16.7v 90A 1500W (1.5kW) 아니요
JANTXV1N6041A/TR Microchip Technology jantxv1n6041a/tr 105.4500
RFQ
ECAD 3959 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/507 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N6041 - DO-13 (DO-202AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n6041a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 10V 11.4V 16.7v 90A 1500W (1.5kW) 아니요 1
MASMCJ8.5CAE3/TR Microchip Technology masmcj8.5cae3/tr 6.7500
RFQ
ECAD 5421 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 SMCG 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - smcj (do-214ab) - 영향을받지 영향을받지 150-MASMCJ8.5CAE3/TR 귀 99 8541.10.0080 100 8.5V 9.44V 14.4V 104.2A 1500W (1.5kW) 아니요 1
MSMBJ5347B/TR Microchip Technology MSMBJ5347B/TR 3.9600
RFQ
ECAD 2603 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5347B/TR 300 1 - - - - 600W 아니요
SMLJ16E3/TR13 Microchip Technology smlj16e3/tr13 1.5750
RFQ
ECAD 2524 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 smlj 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - smlj (do-214ab) - 영향을받지 영향을받지 150-SMLJ16E3/tr13tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 16V 17.8V 28.8V 104.2A 3000W (3kw) 아니요
JANTXV1N6046A/TR Microchip Technology jantxv1n6046a/tr 105.4500
RFQ
ECAD 5324 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/507 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N6046 - DO-13 (DO-202AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n6046a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 17V 19V 27.7V 54A 1500W (1.5kW) 아니요 1
MPLAD36KP75CA/TR Microchip Technology mplad36kp75ca/tr 47.7150
RFQ
ECAD 1406 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SMD 제너 plad36 - 몰래 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-mplad36kp75ca/tr 귀 99 8541.10.0080 100 75V 83.3v 121V 298a 36000W (36kw) 아니요 1
MRT130KP275CV/TR Microchip Technology MRT130KP275CV/TR 45.2250
RFQ
ECAD 3880 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 범용 구멍을 구멍을 제너 - 5A - 영향을받지 영향을받지 150-mrt130kp275cv/tr 귀 99 8541.10.0080 100 275V (최대) 300V 400V 292a 130000W (130kW) 아니요 1
MRT100KP85CAE3/TR Microchip Technology MRT100KP85CAE3/TR 29.2950
RFQ
ECAD 5732 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 MRT100KP - DO-204AR - 영향을받지 영향을받지 150-mrt100kp85cae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 85V 94.4V 166V 602A 100000W (100kW) 아니요 1
M1.5KE400CAE3/TR Microchip Technology M1.5KE400CAE3/TR 6.4650
RFQ
ECAD 4607 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 제너 1.5KE400 - 사례 -1 - 영향을받지 영향을받지 150-m1.5ke400cae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 324V 380V 548V 4a 1500W (1.5kW) 아니요 1
M15KP60CA/TR Microchip Technology M15KP60CA/TR 26.6250
RFQ
ECAD 1631 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 M15KP - DO-204AR - 영향을받지 영향을받지 150-m15kp60ca/tr 귀 99 8541.10.0080 100 60V 66.7v 97.3v 154a 15000W (15kW) 아니요 1
MXPLAD18KP12AE3/TR Microchip Technology MXPLAD18KP12AE3/TR -
RFQ
ECAD 8446 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SMD 제너 plad18 - 몰래 - 영향을받지 영향을받지 150-mxplad18kp12ae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 12V 13.3v 19.9V 909a 18000W (18kw) 아니요
JANTXV1N5661A/TR Microchip Technology jantxv1n5661a/tr 102.7200
RFQ
ECAD 1035 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N5661 - DO-13 (DO-202AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5661a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 128V 143V 207V 7.2A 1500W (1.5kW) 아니요
JANTXV1N6055A/TR Microchip Technology jantxv1n6055a/tr 113.7300
RFQ
ECAD 2274 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/507 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N6055 - DO-13 (DO-202AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n6055a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 40V 44.7V 64.8V 23.2A 1500W (1.5kW) 아니요 1
MSMBJ5352C Microchip Technology MSMBJ5352C 3.9600
RFQ
ECAD 1066 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5352C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5362B Microchip Technology MSMBJ5362B 3.4300
RFQ
ECAD 4652 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5362B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5384AE3 Microchip Technology MSMBG5384AE3 3.4300
RFQ
ECAD 6755 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5384AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5356C Microchip Technology MSMBJ5356C 3.4300
RFQ
ECAD 6157 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5356C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5366C Microchip Technology MSMBJ5366C 3.9600
RFQ
ECAD 8923 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5366C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5361CE3 Microchip Technology MSMBJ5361CE3 3.9600
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5361CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5372BE3 Microchip Technology MSMBG5372BE3 3.9600
RFQ
ECAD 6410 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5372BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5375B Microchip Technology MSMBG5375B 3.4300
RFQ
ECAD 4008 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5375B 1 1 - - - - 600W 아니요
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고