SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 커패시턴스 @ 주파수 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 단방향 단방향 전압- 최소 (고장) 전압- max (max) @ ipp 파워 - 펄스 피크 전력선 전력선 양방향 양방향
LDTS24AE3 Microchip Technology LDTS24AE3 47.0100
RFQ
ECAD 1672 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 ldts 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 175 ° C 범용 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 제너 - TO-3 - 영향을받지 영향을받지 150-LDTS24AE3 귀 99 8541.10.0080 1 1 24V 26.5V 39V 77a 3000W (3kw) 아니요
MSMBG5368B Microchip Technology MSMBG5368B 3.9600
RFQ
ECAD 8289 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5368B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5343BE3 Microchip Technology MSMBG5343BE3 3.9600
RFQ
ECAD 8583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5343BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5340B Microchip Technology MSMBJ5340B 3.9600
RFQ
ECAD 4494 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5340B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5370BE3 Microchip Technology MSMBJ5370BE3 3.9600
RFQ
ECAD 3215 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5370BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5388CE3 Microchip Technology MSMBG5388CE3 3.9600
RFQ
ECAD 7418 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5388CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
PHP30H1 Microchip Technology php30h1 -
RFQ
ECAD 1641 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/507A 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C 통신 섀시 섀시 기준 기준 제너 PHP30 - 사례 -11 - 영향을받지 영향을받지 150-php30h1 귀 99 8541.10.0080 25 42.5V 50V 84V 90A 7500W (7.5kW) 아니요 1
MSMBG5385AE3 Microchip Technology MSMBG5385AE3 3.9600
RFQ
ECAD 4892 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5385AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5354CE3 Microchip Technology MSMBG5354CE3 3.9600
RFQ
ECAD 7573 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5354CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5369C Microchip Technology MSMBG5369C 3.9600
RFQ
ECAD 1386 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5369C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5369A Microchip Technology MSMBJ5369A 3.9600
RFQ
ECAD 5156 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5369A 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5371BE3 Microchip Technology MSMBJ5371BE3 3.9600
RFQ
ECAD 9788 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5371BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5370CE3 Microchip Technology MSMBG5370CE3 3.9600
RFQ
ECAD 9055 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5370CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5370B Microchip Technology MSMBJ5370B 3.9600
RFQ
ECAD 7676 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5370B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5370C Microchip Technology MSMBG5370C 3.9600
RFQ
ECAD 5473 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5370C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5364CE3 Microchip Technology MSMBG5364CE3 3.9600
RFQ
ECAD 7378 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5364CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5359C Microchip Technology MSMBG5359C 3.9600
RFQ
ECAD 8870 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5359C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5349B Microchip Technology MSMBJ5349B 3.9600
RFQ
ECAD 5390 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5349B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5385C Microchip Technology MSMBJ5385C 3.9600
RFQ
ECAD 9318 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5385C 1 - - - - 600W 아니요 1
MPLAD36KP26A/TR Microchip Technology mplad36kp26a/tr 38.3850
RFQ
ECAD 3456 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SMD 제너 plad36 - 몰래 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-mplad36kp26a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 26V 28.9V 43V 838a 36000W (36kw) 아니요
MXPLAD36KP130CAE3/TR Microchip Technology mxplad36kp130cae3/tr 101.3550
RFQ
ECAD 9385 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SMD 제너 plad36 - 몰래 - 영향을받지 영향을받지 150-mxplad36kp130cae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 130V 144V 209V 173a 36000W (36kw) 아니요 1
M15KP220CAE3/TR Microchip Technology M15KP220CAE3/TR 26.6250
RFQ
ECAD 6887 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 M15KP - DO-204AR - 영향을받지 영향을받지 150-m15kp220cae3/tr 귀 99 8541.10.0080 100 220V 245V 356V 42A 15000W (15kW) 아니요 1
MPLAD36KP33CA/TR Microchip Technology mplad36kp33ca/tr 47.7150
RFQ
ECAD 3303 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SMD 제너 plad36 - 몰래 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-mplad36kp33ca/tr 귀 99 8541.10.0080 100 33V 36.7v 53.3v 676a 36000W (36kw) 아니요 1
JANTX1N5651A/TR Microchip Technology jantx1n5651a/tr 58.9650
RFQ
ECAD 9538 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 1N5651 - DO-13 (DO-202AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5651a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 47.8V 53.2v 77V 19.5A 1500W (1.5kW) 아니요
MSMBJ5344BE3/TR Microchip Technology MSMBJ5344BE3/TR 3.9600
RFQ
ECAD 4142 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-msmbj5344be3/tr 300 1 - - - - 600W 아니요
JANTX1N5656A/TR Microchip Technology jantx1n5656a/tr 58.9650
RFQ
ECAD 5839 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C 범용 구멍을 구멍을 DO-13 제너 - DO-13 (DO-202AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5656a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 77.8V 86.5V 125V 12a 1500W (1.5kW) 아니요
M5KP40A/TR Microchip Technology M5KP40A/TR 7.0200
RFQ
ECAD 8517 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 5kp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 - P600 - 영향을받지 영향을받지 150-m5kp40a/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 40V 44.4V 64.5V 77.5A 5000W (5kw) 아니요
MS1N8159US/TR Microchip Technology MS1N8159US/TR 167.4900
RFQ
ECAD 2180 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SQ-Melf, a 제너 - A, SQ-Mell - 영향을받지 영향을받지 150-ms1n8159us/tr 귀 99 8541.10.0080 100 1 18V 20.9V 30.5V 4.92A 150W 아니요
SMLJ12CAE3/TR13 Microchip Technology SMLJ12CAE3/TR13 1.5750
RFQ
ECAD 7257 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 smlj12 - smlj (do-214ab) - 영향을받지 영향을받지 150-SMLJ12CAE3/TR13TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 12V 13.3v 19.9V 150.6a 3000W (3kw) 아니요 1
M15KP220CA/TR Microchip Technology M15KP220CA/TR 26.6250
RFQ
ECAD 9147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 제너 M15KP - DO-204AR - 영향을받지 영향을받지 150-m15kp220ca/tr 귀 99 8541.10.0080 100 220V 245V 356V 42A 15000W (15kW) 아니요 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고