전화 : +86-0755-83501315
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![]() | B43508A2228M60 | - | ![]() | 2826 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43508 | 대부분 | 활동적인 | 2200 µF | ± 20% | 200 v | 55mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.89 A @ 100 Hz | 75 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 1.850 "(47.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 120 | ||||||||
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![]() | B41827A5338M | - | ![]() | 6776 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41827 | 대부분 | 쓸모없는 | 3300 µF | ± 20% | 25 v | - | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.985 A @ 120 Hz | 0.295 "(7.50mm) | 0.630 "dia (16.00mm) | 1.063 "(27.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | B41827A5338M000 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 375 | |||||||||
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![]() | B43584E2229M000 | 175.3500 | ![]() | 9117 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43584 | 대부분 | 새로운 새로운 아닙니다 | 22000 µF | ± 20% | 200 v | 5MOHM @ 100Hz | 15000 시간 @ 85 ° C | -25 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 35.9 a @ 100 Hz | 6 Mohms | 1.248 "(31.70mm) | 3.583 "DIA (91.00mm) | 5.728 "(145.50mm) | - | 섀시, 마운트 스터드 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 9 | ||||||||
![]() | B41866G8687M008 | - | ![]() | 2479 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41866 | 대부분 | 쓸모없는 | 680 µF | ± 20% | 63 v | 94mohm @ 10khz | 5000 시간 @ 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | 극선 | AEC-Q200 | 자동차 | 2.06 A @ 100 kHz | 88 Mohms | 0.197 "(5.00mm) | 0.492 "dia (12.50mm) | 1.654 "(42.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1 | |||||||||
![]() | B43084F2106M | - | ![]() | 3314 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43084F2106M000 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,500 | |||||||||||
![]() | B43540A2827M62 | - | ![]() | 2528 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43540 | 대부분 | 활동적인 | 820 µF | ± 20% | 200 v | 110mohm @ 100Hz | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.92 A @ 100 Hz | 140 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.984 "DIA (25.00mm) | 1.850 "(47.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 260 | ||||||||
![]() | B41828B4478M | - | ![]() | 4311 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41828 | 대부분 | 쓸모없는 | 4700 µF | ± 20% | 16 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | - | 극선 | - | 범용 | 1.661 A @ 120 Hz | - | - | - | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | B41828B4478M000 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 250 | |||||||||
![]() | B41887A4338M002 | - | ![]() | 6554 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41887 | 대부분 | 쓸모없는 | 3300 µF | ± 20% | 16 v | - | 10000 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 3.66 A @ 100 kHz | 18 Mohms | 0.197 "(5.00mm) | 0.492 "dia (12.50mm) | 1.260 "(32.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1 | ||||||||
![]() | B43252G2337M | - | ![]() | 3861 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43252 | 대부분 | 활동적인 | 330 µf | ± 20% | 250 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.21 A @ 120 Hz | 1.876 a @ 20 kHz | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.063 "(27.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43252G2337M000 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 160 | |||||||
![]() | B41827A7477M | - | ![]() | 3283 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41827 | 대부분 | 쓸모없는 | 470 µF | ± 20% | 35 v | - | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 652 MA @ 120 Hz | 0.197 "(5.00mm) | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.689 "(17.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | B41827A7477M000 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,500 |
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