전화 : +86-0755-83501315
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![]() | B43642B2108M000 | 4.8743 | ![]() | 1745 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43642 | 대부분 | 활동적인 | 1000 µF | ± 20% | 200 v | 85mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.26 A @ 100 Hz | 0.394 "(10.00mm) | 0.984 "DIA (25.00mm) | 1.654 "(42.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | B43642B2108M | 귀 99 | 8532.22.0040 | 260 | |||
![]() | B43601C5227M | - | ![]() | 4549 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43601 | 대부분 | 활동적인 | 220 µF | ± 20% | 450 v | 490mohm @ 100Hz | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.53 A @ 100 Hz | 700 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.260 "(32.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43601C5227M0 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 160 |
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