전화 : +86-0755-83501315
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![]() | B43584D5338M003 | - | ![]() | 3619 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43584 | 대부분 | 쓸모없는 | 3300 µF | ± 20% | 450 v | 32mohm @ 100Hz | 15000 시간 @ 85 ° C | -25 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 12.2 a @ 100 Hz | 38 Mohms | 1.248 "(31.70mm) | 3.583 "DIA (91.00mm) | 3.858 "(98.00mm) | - | 섀시, 마운트 스터드 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 18 | |||||||||||
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![]() | B37949K1222J062 | - | ![]() | 6519 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B37949K | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 2200 PF | ± 5% | 100V | -55 ° C ~ 125 ° C | - | rf, 레인지 전자, 고주파 | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | - | 표면 표면, MLCC | 1210 (3225 메트릭) | - | C0G, NP0 | 0.035 "(0.90mm) | - | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8532.24.0020 | 4,000 | |||||||||||||
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![]() | B43501A1158M87 | - | ![]() | 1856 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43501 | 대부분 | 활동적인 | 1500 µF | ± 20% | 160 v | 75mohm @ 100Hz | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 4.2 A @ 100 Hz | 110 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.850 "(47.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 160 | |||||||||||
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![]() | B43504E2567M007 | - | ![]() | 5229 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43504 | 대부분 | 활동적인 | 560 µF | ± 20% | 200 v | 230mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.63 A @ 100 Hz | 280 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.984 "DIA (25.00mm) | 1.457 "(37.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 260 | |||||||||||
![]() | B43501B9567M87 | - | ![]() | 6029 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43501 | 대부분 | 활동적인 | 560 µF | ± 20% | 400 v | 120mohm @ 100Hz | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.82 A @ 100 Hz | 190 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 1.850 "(47.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 120 | |||||||||||
![]() | B43255A9187M | - | ![]() | 2686 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43255 | 대부분 | 활동적인 | 180 µF | ± 20% | 400 v | - | 5000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 980 ma @ 120 Hz | 1.519 a @ 20 kHz | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 1.260 "(32.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43255A9187M000 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 120 | ||||||||||
![]() | B41042A8477M | - | ![]() | 8596 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41042 | 대부분 | 쓸모없는 | 470 µF | ± 20% | 63 v | - | 5000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.428 A @ 120 Hz | 1.785 A @ 100 kHz | 160 Mohms | 0.197 "(5.00mm) | 0.492 "dia (12.50mm) | 1.476 "(37.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 적용 적용 수 할 | B41042A8477M000 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 500 | ||||||||||
![]() | B43540E2188M87 | - | ![]() | 5000 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43540 | 대부분 | 활동적인 | 1800 µF | ± 20% | 250 v | 40mohm @ 100Hz | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 5.89 A @ 100 Hz | 50 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 2.252 "(57.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 120 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고