전화 : +86-0755-83501315
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![]() | B43642A2128M000 | 7.5900 | ![]() | 7116 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43642 | 대부분 | 활동적인 | 1200 µF | ± 20% | 200 v | 70mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.59 A @ 100 Hz | 110 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.984 "DIA (25.00mm) | 1.850 "(47.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 130 | ||||||||
![]() | B25667C4307A375 | - | ![]() | 7154 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | PHASECAP® | 대부분 | 쓸모없는 | 102.9 µF | -5%, +10% | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 3 계수, 전력 단계 보정 (PFC) | 0.827 "(21.00mm) | 4.567 "DIA (116.00mm) | 6.457 "(164.00mm) | 섀시, 마운트 스터드 | 방사형, 캔 | - | 터미널 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 495-B25667C4307A375 | 귀 99 | 8532.25.0020 | 1 | 440V | - | 폴리 폴리 (pp) | |||||||||
![]() | B41505A7338M007 | 1.9529 | ![]() | 9168 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41505 | 대부분 | 활동적인 | 3300 µF | ± 20% | 35 v | 56mohm @ 100Hz | 5000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.5 A @ 100 Hz | 60 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.866 "DIA (22.00mm) | 1.260 "(32.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 320 | ||||||||
B32022A3153M000 | 0.9600 | ![]() | 123 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3202* -y2 표준 | 대부분 | 활동적인 | 0.015 µF | ± 20% | -40 ° C ~ 110 ° C | Y2 | EMI, RFI r | 0.591 "(15.00mm) | 0.709 "L x 0.236"W (18.00mm x 6.00mm) | 0.433 "(11.00mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0020 | 1,000 | 300V | 1500V (1.5kV) | 폴리 폴리 (pp), 금속 화 |
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