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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B43888A2686M000	0.6605	RFQ	5541	epcos -tdk 전자 장치	B43888	대부분	활동적인	68 µF	± 20%	200 v	4.9ohm @ 120Hz	-	-	극선	-	범용		770 ma @ 100 kHz		0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	500
B32524Q1106J000	1.9754	RFQ	6519	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & tr (TR)	활동적인	10 µF													1.240 "L x 0.433"W (31.50mm x 11.00mm)			구멍을 구멍을	방사형						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,280
B43858C5336M9	-	RFQ	3107	epcos -tdk 전자 장치	B43858	테이프 & t (TB)	활동적인	33 µF	± 20%	450 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용		780 ma @ 100 kHz		0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.319 "(33.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43858C5336M009	귀 99	8532.22.0020	900
B32377A8256J050	-	RFQ	5485	epcos -tdk 전자 장치	Mkd ac-3 ac 델타 연결	대부분	쓸모없는	25 µF	± 5%				-40 ° C ~ 70 ° C		-	3 단계				0.591 "(15.00mm)	4.567 "DIA (116.00mm)	7.972 "(202.50mm)		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	터미널 터미널				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.25.0040	20	850V	2100V (2.1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43231B1277M	-	RFQ	2599	epcos -tdk 전자 장치	B43231	대부분	활동적인	270 µF	± 20%	160 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.32 a @ 120 Hz	2.046 A @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.000 "dia (25.40mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43231B1277M000	귀 99	8532.22.0040	260
B43540A2827M62	-	RFQ	2528	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	200 v	110mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.92 A @ 100 Hz		140 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B25690C3327K003	299.9100	RFQ	5204	epcos -tdk 전자 장치	B25690	대부분	활동적인	320 µf	± 10%		1.3 Mohms		-40 ° C ~ 75 ° C		-	범용				1.969 "(50.00mm)	5.354 "DIA (136.00mm)	13.583 "(345.00mm)		섀시 섀시	방사형, 캔	-	나사, 여성				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B25690C3327K003	귀 99	8532.25.0080	4	-	3000V (3KV)	-
B32672Z6564J000	0.4818	RFQ	8919	epcos -tdk 전자 장치	B3267* Z* - 고전류 PFC	대부분	활동적인	0.56 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200	전력 전력 보정 (PFC)				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.433"W (18.00mm x 11.00mm)	0.728 "(18.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32672Z6564J	귀 99	8532.25.0070	1,200	310V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43511C9158M80	-	RFQ	5005	epcos -tdk 전자 장치	B43511	대부분	활동적인	1500 µF	± 20%	400 v	60mohm @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	6.5 A @ 100 Hz		70 Mohms	0.886 "(22.50mm)	1.575 "DIA (40.00mm)	4.024 "(102.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43511C9158M080	귀 99	8532.22.0055	28
B41689A8108Q001	-	RFQ	3696	epcos -tdk 전자 장치	B41689	대부분	쓸모없는	1000 µF	-10%, +30%	63 v	211mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	자동차		7.5 a @ 10 kHz	18 Mohms	-	0.827 "DIA X 1.535"L (21.00mm x 39.00mm)	-	-	구멍을 구멍을	축, 수 할 있습니다						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B41689A8108Q1	귀 99	8532.22.0040	280
B43510A9827M87	-	RFQ	4281	epcos -tdk 전자 장치	B43510	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	400 v	85mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.11 a @ 100 Hz		110 Mohms	0.984 "(25.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.449 "(62.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43510A9827M087	귀 99	8532.22.0040	72
B37940K5020C760	-	RFQ	3167	epcos -tdk 전자 장치	B37940K	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	2 pf	± 0.25pf	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	rf, 레인지 전자, 고주파				-	0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm)	-		표면 표면, MLCC	0805 (2012 5)	-		C0G, NP0	0.028 "(0.70mm)	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0020	50,000
B43601C9227M67	-	RFQ	9440	epcos -tdk 전자 장치	B43601	대부분	활동적인	220 µF	± 20%	400 v	490mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.37 a @ 100 Hz		670 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43601C9227M067	귀 99	8532.22.0040	160
B41042A7276M	-	RFQ	2045	epcos -tdk 전자 장치	B41042	대부분	쓸모없는	27 µF	± 20%	35 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	100.1 ma @ 120 Hz	182 ma @ 100 kHz	1.3	0.079 "(2.00mm)	0.197 "dia (5.00mm)	0.492 "(12.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41042A7276M000	귀 99	8532.22.0020	5,000
B43504A0397M000	8.0622	RFQ	3111	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	새로운 새로운 아닙니다	390 µF	± 20%	420 v	350mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.7 A @ 100 Hz		410 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B43701A9129M000	184.5475	RFQ	6410	epcos -tdk 전자 장치	B43701	대부분	활동적인	12000 µF	± 20%	400 v	12MOHM @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	24.8 a @ 100 Hz			1.248 "(31.70mm)	3.028 "dia (76.90mm)	7.547 "(191.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43701A9129M	귀 99	8532.22.0085	24
B41231C0228M000	1.9671	RFQ	8552	epcos -tdk 전자 장치	B41231	대부분	활동적인	2200 µF	± 20%	80 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.45 a @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B41858C3397M006	-	RFQ	5187	epcos -tdk 전자 장치	B41858	대부분	마지막으로 마지막으로	390 µF	± 20%	10 v	615mohm @ 120Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	자동차		436 ma @ 100 kHz	246 Mohms	0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.512 "(13.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						-				495-B41858C3397M006	귀 99	8532.22.0020	1
B43508B9337M82	-	RFQ	4997	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	400 v	370mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.29 a @ 100 Hz		530 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.465 "(37.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508B9337M 82	귀 99	8532.22.0040	160
B32653A1153J289	0.5898	RFQ	5276	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	테이프 & t (TB)	활동적인	0.015 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT				0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.276"W (26.50mm x 7.00mm)	0.630 "(16.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	2,320	500V	1600V (1.6kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43254A2477M	-	RFQ	4238	epcos -tdk 전자 장치	B43254	대부분	활동적인	470 µF	± 20%	200 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.36 A @ 120 Hz	2.108 a @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43254A2477M000	귀 99	8532.22.0040	320
B43640A5567M000	8.2156	RFQ	3844	epcos -tdk 전자 장치	B43640	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	450 v	180mohm @ 100Hz	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.31 A @ 100 Hz		270 Mohms	0.394 "(10.00mm)	-	-	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B43640A5567M	귀 99	8532.22.0040	160
B43457B5478M000	152.0800	RFQ	7	epcos -tdk 전자 장치	B43457	대부분	새로운 새로운 아닙니다	4700 µF	± 20%	450 v	23mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	11.7 a @ 100 Hz		28 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.028 "dia (76.90mm)	5.677 "(144.20mm)	-	섀시, 마운트 스터드	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	16
B41570E4229Q000	-	RFQ	8822	epcos -tdk 전자 장치	B41570	대부분	쓸모없는	22000 µF	-10%, +30%	16 v	21mohm @ 100Hz	10000 @ 105 ° C	-	극선	-	범용	10 A @ 100 Hz		18 Mohms	0.500 "(12.70mm)	1.406 "DIA (35.70mm)	3.217 "(81.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0055	72
B41890A5188M000	-	RFQ	2463	epcos -tdk 전자 장치	B41890	대부분	쓸모없는	1800 µF	± 20%	25 v	31mohm @ 10khz	15000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용		3.34 a @ 100 kHz	26 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	525
B43514C9108M000	-	RFQ	9367	epcos -tdk 전자 장치	B43514	대부분	활동적인	1000 µF	± 20%	400 v	130mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-	극선	-	범용	3.8 a @ 100 Hz		110 Mohms	0.886 "(22.50mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	4.016 "(102.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	66
B43564C5158M000	-	RFQ	3752	epcos -tdk 전자 장치	B43564	대부분	쓸모없는	1500 µF	± 20%	450 v	99mohm @ 100Hz	15000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	6.7 A @ 100 Hz		79 Mohms	0.874 "(22.20mm)	2.032 "DIA (51.60mm)	4.201 "(106.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	72
B41570E5159Q000	-	RFQ	9500	epcos -tdk 전자 장치	B41570	대부분	쓸모없는	15000 µF	-10%, +30%	25 v	24mohm @ 100Hz	10000 @ 105 ° C	-	극선	-	범용	9.4 a @ 100 Hz		17 Mohms	0.500 "(12.70mm)	1.406 "DIA (35.70mm)	3.217 "(81.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0055	72
B43541A8157M000	6.6307	RFQ	6413	epcos -tdk 전자 장치	B43541	쟁반	활동적인																								다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B43601F2128M60	-	RFQ	3323	epcos -tdk 전자 장치	B43601	대부분	활동적인	1200 µF	± 20%	250 v	75mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.02 a @ 100 Hz		110 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43601F2128M060	귀 99	8532.22.0040	120

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
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표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²