전화 : +86-0755-83501315
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![]() | B32923X2684K000 | 0.9200 | ![]() | 2168 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3292*x/y -x2 컴팩트 | 대부분 | 활동적인 | 0.68 µF | ± 10% | -40 ° C ~ 110 ° C | x2 | EMI, RFI r | 0.886 "(22.50mm) | - | - | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0010 | 510 | 275V | 500V | 폴리 폴리 (pp), 금속 화 | |||||||||||||
![]() | B41042A3127M | - | ![]() | 1080 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41042 | 대부분 | 쓸모없는 | 120 µF | ± 20% | 10 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 165.2 ma @ 120 Hz | 236 MA @ 100 kHz | 1 옴 | 0.098 "(2.50mm) | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.492 "(12.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | B41042A3127M000 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 5,000 | ||||||||||
B41821F5688M000 | - | ![]() | 5224 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41821 | 대부분 | 활동적인 | 6800 µF | ± 20% | 25 v | 60mohm @ 120Hz | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.65 A @ 120 Hz | 0.295 "(7.50mm) | 0.709 "DIA (18.00mm) | 1.457 "(37.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B41821F5688M | 귀 99 | 8532.22.0020 | 300 | ||||||||||||
![]() | B25856K4404J13 | - | ![]() | 1235 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B25856 | 대부분 | 쓸모없는 | 0.4 µF | ± 10% | -25 ° C ~ 85 ° C | - | 스 스 | - | - | 섀시 섀시, 마운트/브래킷이 필요합니다 | 축, 수 할 있습니다 | - | 나사, 여성 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8532.25.0040 | 1 | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | B43504A0277M000 | - | ![]() | 7429 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43504 | 대부분 | 쓸모없는 | 270 µF | ± 20% | 420 v | 500mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.3 A @ 100 Hz | 590 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.654 "(42.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 160 | |||||||||||
![]() | B43508C5157M67 | - | ![]() | 9414 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43508 | 대부분 | 활동적인 | 150 µF | ± 20% | 450 v | 820mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 880 ma @ 100 Hz | 1.15 옴 | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.063 "(27.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43508C5157M 67 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 160 | ||||||||||
![]() | B43510A9188M87 | - | ![]() | 1079 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43510 | 대부분 | 활동적인 | 1800 µF | ± 20% | 400 v | 80mohm @ 100Hz | 5000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 7.8 A @ 100 Hz | 0.984 "(25.00mm) | 1.575 "DIA (40.00mm) | 3.630 "(92.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 -snap -in -4 리드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43510A9188M087 | 귀 99 | 8532.22.0055 | 66 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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