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B43508C5277M7	-	RFQ	2489	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	270 µF	± 20%	450 v	460mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.31 A @ 100 Hz		640 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508C5277M 7	귀 99	8532.22.0040	120
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B43305B2567M60	-	RFQ	2936	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	200 v	230mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.93 A @ 100 Hz		310 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
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B43540B2108M002	-	RFQ	8045	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	1000 µF	± 20%	200 v	85mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.69 a @ 100 Hz		110 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
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B43640F2827M002	5.2033	RFQ	9013	epcos -tdk 전자 장치	B43640	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	250 v	100. 100Hz	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.9 a @ 100 Hz		150 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드			-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B43640F2827M002	귀 99	8532.22.0040	160
B43505A5337M002	-	RFQ	7643	epcos -tdk 전자 장치	B43505	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	450 v	410mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.8 A @ 100 Hz		490 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120
B41043A7566M	-	RFQ	3764	epcos -tdk 전자 장치	B41043	대부분	쓸모없는	56 µF	± 20%	35 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	126 MA @ 120 Hz	180 ma @ 100 kHz	280 Mohms	0.098 "(2.50mm)	0.248 "dia (6.30mm)	0.492 "(12.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41043A7566M000	귀 99	8532.22.0020	5,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²