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B43501A3107M007	-	RFQ	8690	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	쓸모없는	100 µf	± 20%	385 v	660mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	790 ma @ 100 Hz		1.06 옴	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
B43697A5226Q9	-	RFQ	5926	epcos -tdk 전자 장치	B43697	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	22 µF	-10%, +30%	450 v	5.2ohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-	극선	-	범용		820 ma @ 10 kHz	1.9 옴	-	0.630 "dia x 1.181"L (16.00mm x 30.00mm)	-	-	구멍을 구멍을	축, 수 할 있습니다						다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43697A5226Q009	귀 99	8532.22.0020	500
B37987M1683K054	-	RFQ	4534	epcos -tdk 전자 장치	B37987m	컷 컷 (CT)	쓸모없는	0.068 µF	± 10%	100V			-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차				0.098 "(2.50mm)	0.256 "L x 0.197"W (6.50mm x 5.00mm)	0.098 "(2.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0060	2,500
B32652A0103J189	0.2346	RFQ	6675	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	테이프 & tr (TR)	활동적인	10000 PF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	자동차; DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.197"W (18.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	5,200	250V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
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B43231C337M	-	RFQ	4038	epcos -tdk 전자 장치	B43231	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	315 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.78 a @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B41888C6477M008	0.5854	RFQ	3482	epcos -tdk 전자 장치	B41888	테이프 & t (TB)	활동적인	470 µF	± 20%	50 v	65mohm @ 10khz	10000 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		1.8 A @ 100 kHz	60 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B4188C6477M008TB	귀 99	8532.22.0020	1,500
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B32520C6152J	-	RFQ	8967	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	쓸모없는	1500 PF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.295 "(7.50mm)	0.394 "L x 0.098"W (10.00mm x 2.50mm)	0.276 "(7.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8532.25.0010	10,000	200V	400V	"
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B41607A5478M008	-	RFQ	5403	epcos -tdk 전자 장치	B41607	대부분	쓸모없는	4700 µF	± 20%	25 v	60mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	자동차		9.7 a @ 10 kHz		0.331 "(8.40mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	112
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B43082A1336M	-	RFQ	4727	epcos -tdk 전자 장치	B43082	대부분	쓸모없는	33 µF	± 20%	160 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-	극선	-	범용		500 ma @ 100 kHz		0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.22.0020	1,000
B43457A0228M000	-	RFQ	5504	epcos -tdk 전자 장치	B43457	대부분	활동적인	2200 µF	± 20%	400 v	-	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용				1.122 "(28.50mm)	2.532 "dia (64.30mm)	4.201 "(106.70mm)	-	섀시, 마운트 스터드	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	50
B43540B9337M	-	RFQ	2802	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	400 v	190mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.51 A @ 100 Hz		210 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43540B9337M000	귀 99	8532.22.0040	120
B41252B7478M007	0.9918	RFQ	2154	epcos -tdk 전자 장치	B41252	대부분	활동적인	4700 µF	± 20%	35 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.09 a @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.000 "dia (25.40mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B43305B2477M67	-	RFQ	8374	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	470 µF	± 20%	200 v	270mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.7 A @ 100 Hz		370 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B32758G7356J000	12.5164	RFQ	3527	epcos -tdk 전자 장치	B3275* -mkp ac -filter	대부분	활동적인	35 µF	± 5%		2.4 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		AEC-Q200	자동차				2.067 "(52.50mm)	2.264 "LX 1.378"W (57.50mm x 35.00mm)	1.969 "(50.00mm)		구멍을 구멍을	방사형 -4 리드	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B32758G7356J000	귀 99	8532.25.0010	108	275V	550V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41605A0368M002	-	RFQ	4494	epcos -tdk 전자 장치	B41605	쟁반	활동적인	3600 µF	± 20%	55 v	18mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	자동차		8.8 a @ 10 kHz	12 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.969 "(50.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
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B37981M1103K054	-	RFQ	3453	epcos -tdk 전자 장치	B37981m	컷 컷 (CT)	쓸모없는	10000 PF	± 10%	100V			-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차				0.098 "(2.50mm)	0.217 "L x 0.197"W (5.50mm x 5.00mm)	0.098 "(2.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0060	2,500
B43601F2128M60	-	RFQ	3323	epcos -tdk 전자 장치	B43601	대부분	활동적인	1200 µF	± 20%	250 v	75mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.02 a @ 100 Hz		110 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43601F2128M060	귀 99	8532.22.0040	120
B43254B1397M	-	RFQ	3658	epcos -tdk 전자 장치	B43254	대부분	활동적인	390 µF	± 20%	160 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.2 a @ 120 Hz	1.86 A @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.000 "dia (25.40mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43254B1397M000	귀 99	8532.22.0040	260
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B32656S0155K561	12.9300	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	1.5 µF	± 10%		5 Mohms		-55 ° C ~ 100 ° C		-	스 스				1.476 "(37.50mm)		-		섀시 섀시	직사각형 직사각형	ESL	나사 나사				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	12	480V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43305A9686M62	-	RFQ	6159	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	68 µF	± 20%	400 v	1.99ohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	650 ma @ 100 Hz		2.69 옴	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²