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![]() | B43508B9477M000 | 11.1822 | ![]() | 4106 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43508 | 대부분 | 활동적인 | 470 µF | ± 20% | 400 v | 260mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.62 A @ 100 Hz | 370 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 1.457 "(37.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 120 | ||||||||
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![]() | B41866C8187M000 | - | ![]() | 1923 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41866 | 대부분 | 쓸모없는 | 180 µF | ± 20% | 63 v | 240mohm @ 100khz | 125 ° C @ 3000 시간 | -55 ° C ~ 125 ° C | 극선 | - | 자동차 | 652 ma @ 100 kHz | 244 Mohms | 0.197 "(5.00mm) | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.866 "(22.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B41866C8187M | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,500 |
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