전화 : +86-0755-83501315
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![]() | B32305A5372B025 | 141.8800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Deltacap ™ B32305a | 대부분 | 활동적인 | 143 µF | ± 5% | -40 ° C ~ 65 ° C | - | 3 계수, 전력 단계 보정 (PFC) | 0.669 "(17.00mm) | 5.472 ""(139.00mm) | 9.744 "(247.50mm) | 섀시, 마운트 스터드 | 방사형, 캔 | - | 터미널 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0020 | 4 | 525V | - | 폴리 폴리 (pp) | ||||||||||
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![]() | B41693A7477Q7 | - | ![]() | 5643 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41693 | 대부분 | 쓸모없는 | 470 µF | -10%, +30% | 40 v | 220mohm @ 100Hz | 5000 시간 @ 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | 극선 | - | 자동차 | 2.45 a @ 10 kHz | 102 Mohms | - | 0.551 "DIA X 1.181"L (14.00mm x 30.00mm) | - | - | 구멍을 구멍을 | 축, 수 할 있습니다 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 400 | ||||||||
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![]() | B43508F2567M60 | - | ![]() | 7248 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43508 | 대부분 | 활동적인 | 560 µF | ± 20% | 250 v | 210mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.62 A @ 100 Hz | 280 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.984 "DIA (25.00mm) | 1.457 "(37.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43508F2567M 60 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 260 | |||||||
![]() | B41042A567M | - | ![]() | 8304 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41042 | 대부분 | 쓸모없는 | 560 µF | ± 20% | 80 v | - | 5000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.664 A @ 120 Hz | 150 Mohms | 0.295 "(7.50mm) | 0.630 "dia (16.00mm) | 1.476 "(37.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 250 | |||||||||
![]() | B43457A0109M003 | - | ![]() | 7601 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43457 | 대부분 | 쓸모없는 | 10000 µf | ± 20% | 400 v | - | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.248 "(31.70mm) | 3.583 "DIA (91.00mm) | 7.559 "(192.00mm) | - | 섀시, 마운트 스터드 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 18 | ||||||||||
![]() | B43601C2128M67 | - | ![]() | 9491 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43601 | 대부분 | 활동적인 | 1200 µF | ± 20% | 200 v | 80mohm @ 100Hz | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.83 A @ 100 Hz | 110 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 1.260 "(32.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43601C2128M067 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 120 | |||||||
![]() | B43508B9227M7 | - | ![]() | 9057 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43508 | 대부분 | 활동적인 | 220 µF | ± 20% | 400 v | 560mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.01 A @ 100 Hz | 790 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.984 "DIA (25.00mm) | 1.457 "(37.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43508B9227M 7 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 260 |
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