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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B32521C3334K000	0.7500	RFQ	4895	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	0.33 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.197"W (13.00mm x 5.00mm)	0.433 "(11.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	160V	250V	"
B43508A9127M87	-	RFQ	4997	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	120 µF	± 20%	400 v	1.02ohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	690 ma @ 100 Hz		1.44 옴	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.268 "(32.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508A9127M 87	귀 99	8532.22.0040	320
B32529E6473J000	0.1691	RFQ	6751	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	0.047 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)	0.287 "L x 0.177"W (7.30mm x 4.50mm)	0.374 "(9.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	6,000	200V	400V	"
B41505A0478M000	7.5220	RFQ	7254	epcos -tdk 전자 장치	B41505	대부분	활동적인	4700 µF	± 20%	80 v	32mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용			34 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120
B3252N6474K189	0.3392	RFQ	5796	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.47 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.335"W (18.00mm x 8.50mm)	0.571 "(14.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	2,800	200V	450V	폴리 폴리 폴리, 에스테르 테레 프탈레이트 (PET), 금속 화
B43640A5337M000	5.1516	RFQ	8304	epcos -tdk 전자 장치	B43640	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	450 v	290mohm @ 100Hz	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.54 A @ 100 Hz		440 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B43640A5337M	귀 99	8532.22.0040	260
B41851A9474M	-	RFQ	4370	epcos -tdk 전자 장치	B41851	대부분	쓸모없는	0.47 µF	± 20%	100 v	353ohm @ 120Hz	2000 년 @ 105 ° C	-	극선	-	범용	7.1 ma @ 120 Hz			0.079 "(2.00mm)	0.197 "dia (5.00mm)	0.472 "(12.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41851A9474M000	귀 99	8532.22.0020	4,000
B43455C4338M7	-	RFQ	4004	epcos -tdk 전자 장치	B43455	대부분	활동적인	3300 µF	± 20%	350 v	32mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	8.1 a @ 100 Hz		38 Mohms	1.122 "(28.50mm)	2.532 "dia (64.30mm)	4.201 "(106.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B4345C4338M007	귀 99	8532.22.0085	50
B43504C2687M80	-	RFQ	9164	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	250 v	190mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.96 A @ 100 Hz		230 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.465 "(37.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B32529C1822J000	0.0695	RFQ	1239	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	8200 pf	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)	-	-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32529C1822J	귀 99	8532.25.0070	8,000	-	-	폴리 폴리, 에스테르
B43252B2337M	-	RFQ	2334	epcos -tdk 전자 장치	B43252	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	200 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.13 A @ 120 Hz	1.752 A @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43252B2337M000	귀 99	8532.22.0040	160
B43504A2277M007	-	RFQ	9686	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	쓸모없는	270 µF	± 20%	250 v	480mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.1 A @ 100 Hz			0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
B41690A8208Q7	-	RFQ	7951	epcos -tdk 전자 장치	B41690	대부분	쓸모없는	2000 µF	-10%, +30%	63 v	44mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	자동차		4.4 a @ 10 kHz	22 Mohms	-	0.827 "DIA X 1.535"L (21.00mm x 39.00mm)	-	-	구멍을 구멍을	축, 수 할 있습니다			다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	280
B41828A5227M	-	RFQ	5594	epcos -tdk 전자 장치	B41828	대부분	쓸모없는	220 µF	± 20%	25 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-	극선	-	범용	245 MA @ 120 Hz			0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.512 "(13.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41828A5227M000	귀 99	8532.22.0020	2,500
B41550A9158Q000	-	RFQ	6972	epcos -tdk 전자 장치	B41550	대부분	쓸모없는	1500 µF	-10%, +30%	100 v	83mohm @ 100Hz	10000 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	8.8 A @ 100 Hz		34 Mohms	0.500 "(12.70mm)	1.406 "DIA (35.70mm)	2.232 "(56.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0055	36
B43457D5158M3	-	RFQ	9676	epcos -tdk 전자 장치	B43457	대부분	활동적인	1500 µF	± 20%	450 v	63mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	6.1 A @ 100 Hz		76 Mohms	1.122 "(28.50mm)	2.532 "dia (64.30mm)	3.217 "(81.70mm)	-	섀시, 마운트 스터드	방사형, 나사 - 캔 터미널			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43457D5158M003	귀 99	8532.22.0085	50
B43457A5688M3	-	RFQ	1236	epcos -tdk 전자 장치	B43457	대부분	활동적인	6800 µF	± 20%	450 v	100Hz 16mohm	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	15.7 a @ 100 Hz		19 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.028 "dia (76.90mm)	8.728 "(221.70mm)	-	섀시, 마운트 스터드	방사형, 나사 - 캔 터미널			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43457A5688M003	귀 99	8532.22.0085	24
B41043A2568M	-	RFQ	9087	epcos -tdk 전자 장치	B41043	대부분	쓸모없는	5600 µF	± 20%	6.3 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.836 A @ 120 Hz	2.04 a @ 100 kHz	26 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41043A2568M000	귀 99	8532.22.0020	500
B43641A5187M057	4.3073	RFQ	6886	epcos -tdk 전자 장치	B43641	대부분	활동적인	180 µF	± 20%	450 v	610mohm @ 100Hz	2000 년 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.08 a @ 100 Hz		920 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	495-B43641A5187M057	귀 99	8532.22.0040	320
B43760A4109M3	-	RFQ	4037	epcos -tdk 전자 장치	B43760	대부분	활동적인	10000 µf	± 20%	350 v	100Hz @ 11Mohm	6000 시간 @ 105 ° C	-	극선	-	범용	21.2 a @ 100 Hz		13 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.028 "dia (76.90mm)	7.547 "(191.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43760A4109M003	귀 99	8532.22.0085	24
B43504A9687M62	-	RFQ	5609	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	400 v	130mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.55 A @ 100 Hz		160 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.244 "(57.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	60
B32676T8155K000	4.0951	RFQ	8051	epcos -tdk 전자 장치	B3267* - MKP DC -Link 고전력	대부분	활동적인	1.5 µF	± 10%		26.2 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		-	DC 링크, DC 필터링				1.476 "(37.50mm)	1.634 "L x 0.945"W (41.50mm x 24.00mm)	0.591 "(15.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,040	-	875V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41888C4337M	-	RFQ	3475	epcos -tdk 전자 장치	B41888	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	16 v	204mohm @ 10khz	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		690 ma @ 100 kHz	183 Mohms	0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.512 "(13.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B41888C4337M000	귀 99	8532.22.0020	3,000
B43540B5127M82	-	RFQ	9279	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	120 µF	± 20%	450 v	800mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.21 A @ 100 Hz		1.14 옴	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.268 "(32.20mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B41041A7106M	-	RFQ	8486	epcos -tdk 전자 장치	B41041	대부분	쓸모없는	10 µF	± 20%	35 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	52.5 ma @ 120 Hz	105 ma @ 100 kHz	1.9 옴	0.079 "(2.00mm)	0.197 "dia (5.00mm)	0.492 "(12.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41041A7106M000	귀 99	8532.22.0020	5,000
B41505A6688M000	8.2300	RFQ	320	epcos -tdk 전자 장치	B41505	대부분	활동적인	6800 µF	± 20%	50 v	33mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.9 a @ 100 Hz		35 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	80
B43510A9827M87	-	RFQ	4281	epcos -tdk 전자 장치	B43510	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	400 v	85mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.11 a @ 100 Hz		110 Mohms	0.984 "(25.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.449 "(62.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43510A9827M087	귀 99	8532.22.0040	72
B32561J6104M289	-	RFQ	2056	epcos -tdk 전자 장치	SilverCap ™ B32561	테이프 & t (TB)	쓸모없는	0.1 µF	± 20%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.394 "(10.00mm)	0.453 "L x 0.157"W (11.50mm x 4.00mm)	0.272 "(6.90mm)		구멍을 구멍을	2-DIP	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	4,360	200V	400V	"
B43504A2687M87	-	RFQ	6832	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	250 v	190mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.1 A @ 100 Hz		230 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	2.055 "(52.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B41890A5277M	-	RFQ	8096	epcos -tdk 전자 장치	B41890	대부분	활동적인	270 µF	± 20%	25 v	138mohm @ 10khz	-	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용		965 ma @ 100 kHz		-	-	-	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B41890A5277M000	귀 99	8532.22.0020	3,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²