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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B43703A9688M003	125.8756	RFQ	5310	epcos -tdk 전자 장치	B43703	대부분	활동적인	6800 µF	± 20%	400 v	17mohm @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	18.4 a @ 100 Hz		28 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.028 "dia (76.90mm)	4.693 "(119.20mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	495-B43703A9688M003	귀 99	8532.22.0085	32
B43508A2108M7	-	RFQ	3967	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	1000 µF	± 20%	200 v	120mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.16 A @ 100 Hz		160 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B43851F2474M	-	RFQ	3749	epcos -tdk 전자 장치	B43851	대부분	쓸모없는	0.47 µF	± 20%	250 v	395ohm @ 120Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-	극선	-	범용	11 ma @ 120 Hz			0.098 "(2.50mm)	0.248 "dia (6.30mm)	0.472 "(12.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B43851F2474M000	귀 99	8532.22.0020	10,000
B32796G8106K	-	RFQ	4467	epcos -tdk 전자 장치	B32796	대부분	쓸모없는	10 µF	± 10%		4.9 Mohms		-40 ° C ~ 85 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; EMI, RFI r				1.476 "(37.50mm)	1.654 "L x 0.787"W (42.00mm x 20.00mm)	1.555 "(39.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32796G8106K000	귀 99	8532.25.0070	640	350V	875V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41044A2477M	-	RFQ	7385	epcos -tdk 전자 장치	B41044	대부분	쓸모없는	470 µF	± 20%	6.3 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-	극선	-	범용	337.5 ma @ 120 Hz	450 ma @ 100 kHz	140 Mohms	0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.512 "(13.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41044A2477M000	귀 99	8532.22.0020	2,500
B43508A9337M82	-	RFQ	8574	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	400 v	370mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.31 A @ 100 Hz		530 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.858 "(47.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508A9337M 82	귀 99	8532.22.0040	260
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B41868W4337M	-	RFQ	7618	epcos -tdk 전자 장치	B41868	대부분	쓸모없는	330 µf	± 20%	16 v	228mohm @ 10khz	150 ° C @ 150 ° C	-	극선	-	자동차		426 ma @ 100 kHz	208 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.669 "(17.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B41868W4337M000	귀 99	8532.22.0020	3,000
B41821F5687M000	-	RFQ	9955	epcos -tdk 전자 장치	B41821	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	25 v	390mohm @ 120Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	630 ma @ 120 Hz			0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.669 "(17.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B41821F5687M	귀 99	8532.22.0020	3,000
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B37940K5152J070	-	RFQ	7256	epcos -tdk 전자 장치	B37940K	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	1500 PF	± 5%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	rf, 레인지 전자, 고주파				-	0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm)	-		표면 표면, MLCC	0805 (2012 5)	-		C0G, NP0	0.035 "(0.90mm)	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0020	16,000
B41856A8227M000	-	RFQ	4209	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-				495-B41856A8227M000			1
B41231A5129M000	2.9000	RFQ	9132	epcos -tdk 전자 장치	B41231	대부분	활동적인	12000 µF	± 20%	25 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.41 A @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B32914A5334M000	3.2000	RFQ	820	epcos -tdk 전자 장치	B3291*A/B5 -X1 530V	대부분	활동적인	0.33 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x1	EMI, RFI r				1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.433"W (31.50mm x 11.00mm)	0.748 "(19.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	320	530V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32653A2113J189	0.7530	RFQ	3262	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.011 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT				0.886 "(22.50mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,600	700V	2000V (2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43540A5477M007	-	RFQ	6072	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	470 µF	± 20%	450 v	210mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.15 A @ 100 Hz		290 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120
B32653A3394J189	0.5075	RFQ	5935	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.39 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT				0.886 "(22.50mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	2,800	160V	250V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41821F3567M006	-	RFQ	4070	epcos -tdk 전자 장치	B41821	대부분	마지막으로 마지막으로	560 µF	± 20%	10 v	710mohm @ 120Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	410 ma @ 120 Hz		510 Mohms	0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.512 "(13.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						-				495-B41821F3567M006	귀 99	8532.22.0020	1
B41856C6227M000	0.8000	RFQ	23	epcos -tdk 전자 장치	B41856	대부분	활동적인	220 µF	± 20%	50 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용		1.1 A @ 100 kHz	70 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.669 "(17.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	1,000
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B43508C5157M80	-	RFQ	5960	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	150 µF	± 20%	450 v	820mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	880 ma @ 100 Hz		1.15 옴	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.071 "(27.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508C5157M 80	귀 99	8532.22.0040	160
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B43540E2567M60	-	RFQ	8591	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	250 v	130mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.48 A @ 100 Hz		160 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B43231H2567M	-	RFQ	5703	epcos -tdk 전자 장치	B43231	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	250 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.25 A @ 120 Hz	3.488 A @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43231H2567M000	귀 99	8532.22.0040	120
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²