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 | B43540A9397M60 | - | | 5643 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43540 | 대부분 | 활동적인 | 390 µF | ± 20% | 400 v | 160mohm @ 100Hz | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.78 A @ 100 Hz | 190 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.850 "(47.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 160 | ||||||||
| B43456A9338M007 | - | | 2195 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43456 | 대부분 | 쓸모없는 | 3300 µF | ± 20% | 400 v | 23mohm @ 100Hz | 12000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 11 a @ 100 Hz | 24 Mohms | 0.874 "(22.20mm) | 2.032 "DIA (51.60mm) | 4.201 "(106.70mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 50 | ||||||||
| B41828A5226M | - | | 9297 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41828 | 대부분 | 쓸모없는 | 22 µF | ± 20% | 25 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | - | 극선 | - | 범용 | - | - | - | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | B41828A5226M000 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 5,000 | ||||||||||
 | B43305A2397M87 | - | | 4743 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43305 | 대부분 | 활동적인 | 390 µF | ± 20% | 200 v | 320mohm @ 100Hz | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.5 A @ 100 Hz | 440 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.866 "DIA (22.00mm) | 1.063 "(27.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 320 | ||||||||
| B43305A2108M2 | - | | 6331 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43305 | 대부분 | 활동적인 | 1000 µF | ± 20% | 200 v | 130mohm @ 100Hz | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.83 A @ 100 Hz | 180 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.866 "DIA (22.00mm) | 2.047 "(52.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | Radial, can -snap -in -3 리드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 320 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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