SIC
close

커패시터 (26616)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 종료 온도 온도 두께 (최대) 리드 리드 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전압 전압 -AC 전압 전압 -DC 유전체 유전체
B32572A3225J000 EPCOS - TDK Electronics B32572A3225J000 1.6407
RFQ
 ECAD 4184 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B3257* -mkt silvercap ™ 대부분 새로운 새로운 아닙니다 2.2 µF ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은, DV/DT 0.591 "(15.00mm) 0.650 "L x 0.453"W (16.50mm x 11.50mm) 0.780 "(19.80mm) 구멍을 구멍을 2-DIP - PC 핀 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 B32572A3225J 귀 99 8532.25.0070 600 160V 250V "
B41252A4129M EPCOS - TDK Electronics B41252A4129M 1.1502
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41252 대부분 활동적인 12000 µF ± 20% 16 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.8 A @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 B41252A4129M000 귀 99 8532.22.0040 320
B43305C2827M87 EPCOS - TDK Electronics B43305C2827M87 -
RFQ
 ECAD 6470 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43305 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 200 v 150mohm @ 100Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.23 A @ 100 Hz 210 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B41231B3189M000 EPCOS - TDK Electronics B41231B3189M000 1.1889
RFQ
 ECAD 6659 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41231 대부분 활동적인 18000 µF ± 20% 10 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 4.17 A @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 1.000 "dia (25.40mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 260
B43504E127M87 EPCOS - TDK Electronics B43504E127M87 -
RFQ
 ECAD 4003 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 120 µF ± 20% 420 v 1.13ohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 720 ma @ 100 Hz 1.33 옴 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.268 "(32.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 260
B32523Q3474K289 EPCOS - TDK Electronics B32523Q3474K289 0.3604
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B3252* -MKT 범용 테이프 & t (TB) 활동적인 0.47 µF ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 자동차; EMI, RFI r 0.886 "(22.50mm) 1.043 "L x 0.236"W (26.50mm x 6.00mm) 0.591 "(15.00mm) 구멍을 구멍을 방사형 - PC 핀 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.25.0070 2,720 160V 250V 폴리 폴리 폴리, 에스테르 테레 프탈레이트 (PET), 금속 화
B43540C2108M000 EPCOS - TDK Electronics B43540C2108M000 -
RFQ
 ECAD 7639 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43540 대부분 쓸모없는 1000 µF ± 20% 200 v 90mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.7 a @ 100 Hz 110 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
B37987F1223K051 EPCOS - TDK Electronics B37987F1223K051 -
RFQ
 ECAD 9323 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B37987F 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0.022 µF ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 자동차 0.197 "(5.00mm) 0.256 "L x 0.197"W (6.50mm x 5.00mm) 0.098 "(2.50mm) 구멍을 구멍을 방사형 - x7r - 형성 형성 리드 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8532.24.0060 2,500
B32913B5334M000 EPCOS - TDK Electronics B32913B5334M000 1.3490
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B3291*A/B3 -X1 표준 대부분 활동적인 0.33 µF ± 20% -40 ° C ~ 110 ° C x1 EMI, RFI r 0.886 "(22.50mm) 1.043 "L x 0.472"W (26.50mm x 12.00mm) 0.866 "(22.00mm) 구멍을 구멍을 방사형 - PC 핀 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 B32913B5334M 귀 99 8532.25.0020 1,800 530V - 폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43540A9337M82 EPCOS - TDK Electronics B43540A9337M82 -
RFQ
 ECAD 6907 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43540 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 400 v 180mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.55 A @ 100 Hz 230 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.858 "(47.20mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B43041F2685M EPCOS - TDK Electronics B43041F2685M -
RFQ
 ECAD 8374 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43041 대부분 쓸모없는 6.8 µF ± 20% 250 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 25.6 Ma @ 120 Hz 64 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8532.22.0020 2,000
B43231B2567M EPCOS - TDK Electronics B43231B2567M -
RFQ
 ECAD 5022 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43231 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 200 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.14 A @ 120 Hz 3.317 a @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.000 "dia (25.40mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43231B2567M000 귀 99 8532.22.0040 260
B41252B7478M007 EPCOS - TDK Electronics B41252B7478M007 0.9918
RFQ
 ECAD 2154 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41252 대부분 활동적인 4700 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.09 a @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 1.000 "dia (25.40mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 260
B43601F2128M60 EPCOS - TDK Electronics B43601F2128M60 -
RFQ
 ECAD 3323 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43601 대부분 활동적인 1200 µF ± 20% 250 v 75mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.02 a @ 100 Hz 110 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43601F2128M060 귀 99 8532.22.0040 120
B32672P4155K000 EPCOS - TDK Electronics B32672P4155K000 2.1400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B3267* p* -mkp 전력 계수 보정 대부분 활동적인 1.5 µF ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 전력 전력 보정 (PFC) 0.591 "(15.00mm) 0.709 "LX 0.354"W (18.00mm x 9.00mm) 0.689 "(17.50mm) 구멍을 구멍을 방사형 - PC 핀 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.25.0070 500 160V 450V 폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43515A9108M000 EPCOS - TDK Electronics B43515A9108M000 -
RFQ
 ECAD 9810 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43515 쟁반 쓸모없는 1000 µF ± 20% 400 v 90mohm @ 100Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.48 A @ 100 Hz 110 Mohms 0.886 "(22.50mm) 1.575 "DIA (40.00mm) 2.638 "(67.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 -snap -in -4 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 66
B43504E2567M82 EPCOS - TDK Electronics B43504E2567M82 -
RFQ
 ECAD 4910 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 200 v 230mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.63 A @ 100 Hz 280 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.465 "(37.20mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 260
B41570E4229Q000 EPCOS - TDK Electronics B41570E4229Q000 -
RFQ
 ECAD 8822 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41570 대부분 쓸모없는 22000 µF -10%, +30% 16 v 21mohm @ 100Hz 10000 @ 105 ° C - 극선 - 범용 10 A @ 100 Hz 18 Mohms 0.500 "(12.70mm) 1.406 "DIA (35.70mm) 3.217 "(81.70mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 72
B43508A9337M2 EPCOS - TDK Electronics B43508A9337M2 -
RFQ
 ECAD 4952 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43508 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 400 v 370mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.31 A @ 100 Hz 530 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43508A9337M 2 귀 99 8532.22.0040 260
B37871K5151J060 EPCOS - TDK Electronics B37871K5151J060 -
RFQ
 ECAD 6998 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B37871K 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 pf ± 5% 50V -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 자동차 - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) - 표면 표면, MLCC 1206 (3216 메트릭) - C0G, NP0 0.035 "(0.90mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8532.24.0020 20,000
B41252B5129M EPCOS - TDK Electronics B41252B5129M 1.6659
RFQ
 ECAD 4339 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41252 대부분 활동적인 12000 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.22 a @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 1.000 "dia (25.40mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 B41252B5129M000 귀 99 8532.22.0040 260
B43305E2687M62 EPCOS - TDK Electronics B43305E2687M62 -
RFQ
 ECAD 7488 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43305 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 250 v 190mohm @ 100Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.42 A @ 100 Hz 260 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 320
B43255E2477M EPCOS - TDK Electronics B43255E2477M 5.9400
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43255 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 250 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.65 A @ 120 Hz 2.558 A @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 60
B43510A6477M007 EPCOS - TDK Electronics B43510A6477M007 -
RFQ
 ECAD 2771 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43510 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 500 v 250mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.16 A @ 100 Hz 340 Mohms 0.984 "(25.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.835 "(72.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 -snap -in -4 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 72
B25680B1427A101 EPCOS - TDK Electronics B25680B1427A101 59.1600
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 MKP DC c- 헤비 듀티 대부분 활동적인 420 µF ± 10% 2.4 Mohms -40 ° C ~ 85 ° C - DC 링크, DC 필터링 1.260 "(32.00mm) 3.346 "DIA (85.00mm) 5.354 "(136.00mm) 섀시 섀시 방사형, 캔 - 나사, 여성 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 495-B25680B1427A101 귀 99 8532.25.0070 12 - 1100V (1.1kv) -
B43305G2687M80 EPCOS - TDK Electronics B43305G2687M80 -
RFQ
 ECAD 3593 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43305 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 250 v 190mohm @ 100Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.12 a @ 100 Hz 260 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
B41827A5338M EPCOS - TDK Electronics B41827A5338M -
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41827 대부분 쓸모없는 3300 µF ± 20% 25 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.985 A @ 120 Hz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 B41827A5338M000 귀 99 8532.22.0020 375
B43601A5477M87 EPCOS - TDK Electronics B43601A5477M87 -
RFQ
 ECAD 3401 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43601 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 450 v 230mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.7 a @ 100 Hz 330 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.055 "(52.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43601A5477M087 귀 99 8532.22.0040 160
B41888D8827M EPCOS - TDK Electronics B41888D8827M -
RFQ
 ECAD 3303 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41888 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 63 v 76mohm @ 10khz 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 1.584 A @ 100 kHz 69 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 B41888D8827M000 귀 99 8532.22.0020 450
B41868W4338M EPCOS - TDK Electronics B41868W4338M -
RFQ
 ECAD 9755 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41868 대부분 쓸모없는 3300 µF ± 20% 16 v 41mohm @ 10khz 150 ° C @ 150 ° C - 극선 - 자동차 1.861 A @ 100 kHz 39 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 B41868W4338M000 귀 99 8532.22.0020 300
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다