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커패시터 (26616)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B41827A3336M	-	RFQ	7202	epcos -tdk 전자 장치	B41827	대부분	쓸모없는	33 µF	± 20%	10 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용				-	-	-	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41827A3336M000	귀 99	8532.22.0020	5,000
B32522C3564J289	0.3589	RFQ	6904	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & t (TB)	활동적인	0.56 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.276"W (18.00mm x 7.00mm)	0.492 "(12.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	3,320	160V	250V	"
B32916A4105M000	-	RFQ	3085	epcos -tdk 전자 장치	B3291*A/B3 -X1 표준	대부분	쓸모없는	1 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x1	EMI, RFI r				1.476 "(37.50mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	360	440V	-	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32521C1564K000	0.2309	RFQ	3635	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	0.56 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.394 "(10.00mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	4,000	63V	100V	"
B43501B9337M80	-	RFQ	9564	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	400 v	200mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.96 A @ 100 Hz		330 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	2.244 "(57.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B32653A6564J000	0.7341	RFQ	1611	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	0.56 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스				0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.433"W (26.50mm x 11.00mm)	0.807 "(20.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	ESL	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32653A6564J	귀 99	8532.25.0070	2,040	250V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43511A0687M007	-	RFQ	7626	epcos -tdk 전자 장치	B43511	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	420 v	230mohm @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4 a @ 100 Hz		240 Mohms	0.886 "(22.50mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.835 "(72.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	72
B43501A5187M62	-	RFQ	7782	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	180 µF	± 20%	450 v	740mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.32 a @ 100 Hz		890 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B41790A7278Q	-	RFQ	3462	epcos -tdk 전자 장치	B41790	대부분	쓸모없는																								다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B41790A7278Q000	귀 99	8532.22.0020	200
B43508A9127M7	-	RFQ	3842	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	120 µF	± 20%	400 v	1.02ohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	690 ma @ 100 Hz		1.44 옴	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508A9127M 7	귀 99	8532.22.0040	320
B32560J6683K289	0.1087	RFQ	1910	epcos -tdk 전자 장치	B3256* - MKT SilverCap ™	테이프 & t (TB)	새로운 새로운 아닙니다	0.068 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.295 "(7.50mm)	0.354 "L x 0.150"W (9.00mm x 3.80mm)	0.287 "(7.30mm)		구멍을 구멍을	2-DIP	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	8,600	200V	400V	"
B32520C6222J289	-	RFQ	9949	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & t (TB)	쓸모없는	2200 PF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.295 "(7.50mm)	0.394 "L x 0.098"W (10.00mm x 2.50mm)	0.276 "(7.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.25.0070	12,800	200V	400V	"
B37979N1391J054	-	RFQ	7307	epcos -tdk 전자 장치	B37979N	컷 컷 (CT)	쓸모없는	390 pf	± 5%	100V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	rf, 레인지 전자, 고주파				0.098 "(2.50mm)	0.217 "L x 0.197"W (5.50mm x 5.00mm)	0.217 "(5.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0060	2,500
B43254C1687M	-	RFQ	4935	epcos -tdk 전자 장치	B43254	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	160 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.73 a @ 120 Hz	2.682 A @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43254C1687M000	귀 99	8532.22.0040	160
B43231F2827M	-	RFQ	7866	epcos -tdk 전자 장치	B43231	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	250 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.03 A @ 120 Hz	4.696 A @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43231F2827M000	귀 99	8532.22.0040	120
B32529C1823J000	0.0860	RFQ	4811	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	0.08 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)	-	-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B32529C1823J000	귀 99	8532.25.0010	8,000	63V	100V	"
B37940K21J060	-	RFQ	5802	epcos -tdk 전자 장치	B37940K	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	220 pf	± 5%	200V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	rf, 레인지 전자, 고주파				-	0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm)	-		표면 표면, MLCC	0805 (2012 5)	-		C0G, NP0	0.035 "(0.90mm)	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0020	40,000
B43858C2476M	-	RFQ	3689	epcos -tdk 전자 장치	B43858	대부분	활동적인	47 µF	± 20%	200 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용		780 ma @ 100 kHz		0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43858C2476M000	귀 99	8532.22.0020	1,050
B32529C1473M289	0.0600	RFQ	4826	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & t (TB)	활동적인	0.047 µF	± 20%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)	0.287 "L x 0.098"W (7.30mm x 2.50mm)	0.256 "(6.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	12,800	63V	100V	"
B43564A1158M000	-	RFQ	6661	epcos -tdk 전자 장치	B43564	대부분	쓸모없는	1500 µF	± 20%	160 v	-	-	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용				-	-	-	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	72
B41044A4108M	-	RFQ	3374	epcos -tdk 전자 장치	B41044	대부분	쓸모없는	1000 µF	± 20%	16 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-	극선	-	범용		1.1 A @ 100 kHz	54 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41044A4108M000	귀 99	8532.22.0020	1,000
B43504C5157M62	-	RFQ	7491	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	활동적인	150 µF	± 20%	450 v	900mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	920 ma @ 100 Hz		1.07 옴	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120
B43601A2567M67	-	RFQ	6249	epcos -tdk 전자 장치	B43601	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	200 v	170mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2 A @ 100 Hz		240 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43601A2567M067	귀 99	8532.22.0040	320
B43701A9129M000	184.5475	RFQ	6410	epcos -tdk 전자 장치	B43701	대부분	활동적인	12000 µF	± 20%	400 v	12MOHM @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	24.8 a @ 100 Hz			1.248 "(31.70mm)	3.028 "dia (76.90mm)	7.547 "(191.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43701A9129M	귀 99	8532.22.0085	24
B43634C5337M000	10.2300	RFQ	352	epcos -tdk 전자 장치	B43634	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	450 v	340mohm @ 100Hz	8000 @ @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.1 A @ 100 Hz		530 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	60
B43510A6128M87	-	RFQ	2661	epcos -tdk 전자 장치	B43510	대부분	활동적인	1200 µF	± 20%	500 v	170mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.2 A @ 100 Hz			-	-	-	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43510A6128M087	귀 99	8532.22.0055	56
B41252B7688M002	1.6173	RFQ	2355	epcos -tdk 전자 장치	B41252	대부분	활동적인	6800 µF	± 20%	35 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.71 A @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.000 "dia (25.40mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B41888C7478M000	4.0600	RFQ	234	epcos -tdk 전자 장치	B41888	대부분	활동적인	4700 µF	± 20%	35 v	13mohm @ 10khz	10000 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		5.327 a @ 100 kHz	12 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.709 "DIA (18.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	125
B43508A2158M000	7.1488	RFQ	8904	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	1500 µF	± 20%	200 v	75mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.69 a @ 100 Hz		110 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B43305B5227M000	-	RFQ	6796	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	220 µF	± 20%	450 v	620mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.41 A @ 100 Hz		870 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²