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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B43724A9688M000	111.9316	RFQ	6073	epcos -tdk 전자 장치	B43724	대부분	활동적인	6800 µF	± 20%	400 v	17mohm @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	22.4 a @ 100 Hz		28 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.027 "DIA (76.90mm)	5.185 "(131.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43724A9688M	귀 99	8532.22.0085	32
B32620A0682K000	0.2642	RFQ	4294	epcos -tdk 전자 장치	B3262* -MKP High Pulse (스택)	대부분	활동적인	6800 pf	± 10%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.295 "(7.50mm)	0.406 "LX 0.236"W (10.30mm x 6.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	3,000	500V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택
B43601E2397M	-	RFQ	6158	epcos -tdk 전자 장치	B43601	대부분	활동적인	390 µF	± 20%	250 v	230mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.77 a @ 100 Hz		320 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43601E2397M0	귀 99	8532.22.0040	320
B43851F2225M8	-	RFQ	5012	epcos -tdk 전자 장치	B43851	테이프 & t (TB)	쓸모없는	2.2 µF	± 20%	250 v	85ohm @ 120Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-	극선	-	범용	23 ma @ 120 Hz			0.197 "(5.00mm)	0.248 "dia (6.30mm)	0.472 "(12.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B43851F2225M008	귀 99	8532.22.0020	8,000
B43697A5226Q9	-	RFQ	5926	epcos -tdk 전자 장치	B43697	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	22 µF	-10%, +30%	450 v	5.2ohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-	극선	-	범용		820 ma @ 10 kHz	1.9 옴	-	0.630 "dia x 1.181"L (16.00mm x 30.00mm)	-	-	구멍을 구멍을	축, 수 할 있습니다						다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43697A5226Q009	귀 99	8532.22.0020	500
B37987M1683K054	-	RFQ	4534	epcos -tdk 전자 장치	B37987m	컷 컷 (CT)	쓸모없는	0.068 µF	± 10%	100V			-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차				0.098 "(2.50mm)	0.256 "L x 0.197"W (6.50mm x 5.00mm)	0.098 "(2.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0060	2,500
B43547F2567M000	4.5368	RFQ	3053	epcos -tdk 전자 장치	B43547	쟁반	활동적인	560 µF	± 20%	250 v	120mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.22 A @ 100 Hz		170 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B43231C337M	-	RFQ	4038	epcos -tdk 전자 장치	B43231	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	315 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.78 a @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B41888C6477M008	0.5854	RFQ	3482	epcos -tdk 전자 장치	B41888	테이프 & t (TB)	활동적인	470 µF	± 20%	50 v	65mohm @ 10khz	10000 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		1.8 A @ 100 kHz	60 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B4188C6477M008TB	귀 99	8532.22.0020	1,500
B41252B188M	1.6324	RFQ	5915	epcos -tdk 전자 장치	B41252	대부분	활동적인	1800 µF	± 20%	80 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용				0.394 "(10.00mm)	1.000 "dia (25.40mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B43255E2108M	-	RFQ	8813	epcos -tdk 전자 장치	B43255	대부분	활동적인	1000 µF	± 20%	250 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.87 A @ 120 Hz	4.448 A @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43255E2108M000	귀 99	8532.22.0040	120
B41231B4339M000	2.9357	RFQ	7467	epcos -tdk 전자 장치	B41231	대부분	활동적인	33000 µf	± 20%	16 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	6.41 A @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120
B41042A8477M	-	RFQ	8596	epcos -tdk 전자 장치	B41042	대부분	쓸모없는	470 µF	± 20%	63 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.428 A @ 120 Hz	1.785 A @ 100 kHz	160 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	1.476 "(37.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41042A8477M000	귀 99	8532.22.0020	500
B32672P5334K000	1.0600	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	B3267* p* -mkp 전력 계수 보정	대부분	활동적인	0.33 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	전력 전력 보정 (PFC)				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.236"W (18.00mm x 6.00mm)	0.433 "(11.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	200V	520V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41607A5478M008	-	RFQ	5403	epcos -tdk 전자 장치	B41607	대부분	쓸모없는	4700 µF	± 20%	25 v	60mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	자동차		9.7 a @ 10 kHz		0.331 "(8.40mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	112
B41896W4228M	-	RFQ	3294	epcos -tdk 전자 장치	B41896	대부분	쓸모없는	2200 µF	± 20%	16 v	120mohm @ 120Hz	5000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		2.3 A @ 100 kHz		0.197 "(5.00mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B41896W4228M	귀 99	8532.22.0020	1
B43082A1336M	-	RFQ	4727	epcos -tdk 전자 장치	B43082	대부분	쓸모없는	33 µF	± 20%	160 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-	극선	-	범용		500 ma @ 100 kHz		0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.22.0020	1,000
B32758G7356J000	12.5164	RFQ	3527	epcos -tdk 전자 장치	B3275* -mkp ac -filter	대부분	활동적인	35 µF	± 5%		2.4 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		AEC-Q200	자동차				2.067 "(52.50mm)	2.264 "LX 1.378"W (57.50mm x 35.00mm)	1.969 "(50.00mm)		구멍을 구멍을	방사형 -4 리드	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B32758G7356J000	귀 99	8532.25.0010	108	275V	550V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43624B2128M000	5.0237	RFQ	9974	epcos -tdk 전자 장치	B43624	대부분	활동적인	1200 µF	± 20%	200 v	100. 100Hz	8000 @ @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.44 A @ 100 Hz		160 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	495-B43624B2128M000	귀 99	8532.22.0040	160
B37981M1103K054	-	RFQ	3453	epcos -tdk 전자 장치	B37981m	컷 컷 (CT)	쓸모없는	10000 PF	± 10%	100V			-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차				0.098 "(2.50mm)	0.217 "L x 0.197"W (5.50mm x 5.00mm)	0.098 "(2.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0060	2,500
B43601F2128M60	-	RFQ	3323	epcos -tdk 전자 장치	B43601	대부분	활동적인	1200 µF	± 20%	250 v	75mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.02 a @ 100 Hz		110 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43601F2128M060	귀 99	8532.22.0040	120
B32656S0155K561	12.9300	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	1.5 µF	± 10%		5 Mohms		-55 ° C ~ 100 ° C		-	스 스				1.476 "(37.50mm)		-		섀시 섀시	직사각형 직사각형	ESL	나사 나사				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	12	480V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43305A9686M62	-	RFQ	6159	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	68 µF	± 20%	400 v	1.99ohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	650 ma @ 100 Hz		2.69 옴	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
B41043A3228M	-	RFQ	7873	epcos -tdk 전자 장치	B41043	대부분	쓸모없는	2200 µF	± 20%	10 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.377 a @ 120 Hz	1.53 A @ 100 kHz	34 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41043A3228M000	귀 99	8532.22.0020	750
B41044A8687M	-	RFQ	4859	epcos -tdk 전자 장치	B41044	대부분	쓸모없는	680 µF	± 20%	63 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-	극선	-	범용		1.843 A @ 100 kHz	43 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41044A8687M000	귀 99	8532.22.0020	375
B41868W4338M	-	RFQ	9755	epcos -tdk 전자 장치	B41868	대부분	쓸모없는	3300 µF	± 20%	16 v	41mohm @ 10khz	150 ° C @ 150 ° C	-	극선	-	자동차		1.861 A @ 100 kHz	39 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.709 "DIA (18.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B41868W4338M000	귀 99	8532.22.0020	300
B41252B5129M	1.6659	RFQ	4339	epcos -tdk 전자 장치	B41252	대부분	활동적인	12000 µF	± 20%	25 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	3.22 a @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.000 "dia (25.40mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B41252B5129M000	귀 99	8532.22.0040	260
B41868W7477M001	-	RFQ	4488	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-				495-B41868W7477M001			1
B43640E2128M000	5.9009	RFQ	4472	epcos -tdk 전자 장치	B43640	대부분	활동적인	1200 µF	± 20%	250 v	70mohm @ 100Hz	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.68 A @ 100 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B43640E2128M	귀 99	8532.22.0040	160
B43504E127M87	-	RFQ	4003	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	활동적인	120 µF	± 20%	420 v	1.13ohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	720 ma @ 100 Hz		1.33 옴	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.268 "(32.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²