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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체	회로 회로	커패시터 커패시터
B43501A3227M000	-	RFQ	4654	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	220 µF	± 20%	385 v	300mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.41 A @ 100 Hz		490 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B41828A7107M	-	RFQ	9767	epcos -tdk 전자 장치	B41828	대부분	쓸모없는	100 µf	± 20%	35 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-	극선	-	범용	169 ma @ 120 Hz			0.098 "(2.50mm)	0.248 "dia (6.30mm)	0.492 "(12.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41828A7107M000	귀 99	8532.22.0020	5,000
B41789A8138Q001	-	RFQ	8041	epcos -tdk 전자 장치	B41789	대부분	쓸모없는	1300 µF	-10%, +30%	63 v	47mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	자동차		9.5 a @ 10 kHz	14 Mohms	0.846 "(21.50mm)	0.827 "DIA (21.00mm)	2.028 "(51.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.22.0040	264
B32305A5372B025	141.8800	RFQ	9	epcos -tdk 전자 장치	Deltacap ™ B32305a	대부분	활동적인	143 µF	± 5%				-40 ° C ~ 65 ° C		-	3 계수, 전력 단계 보정 (PFC)				0.669 "(17.00mm)	5.472 ""(139.00mm)	9.744 "(247.50mm)		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	터미널 터미널			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	4	525V	-	폴리 폴리 (pp)
B41042A567M	-	RFQ	8304	epcos -tdk 전자 장치	B41042	대부분	쓸모없는	560 µF	± 20%	80 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.664 A @ 120 Hz		150 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.476 "(37.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.22.0020	250
B43504A9477M007	-	RFQ	5005	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	활동적인	470 µF	± 20%	400 v	190mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2 A @ 100 Hz		240 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120
B43501A3567M67	-	RFQ	1037	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	385 v	120mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.82 A @ 100 Hz		190 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120
B43540B2567M82	-	RFQ	9256	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	200 v	150mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.36 A @ 100 Hz		190 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.268 "(32.20mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B43505A5397M60	-	RFQ	8991	epcos -tdk 전자 장치	B43505	대부분	활동적인	390 µF	± 20%	450 v	350mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2 A @ 100 Hz		410 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120
B43254E2337M	-	RFQ	6298	epcos -tdk 전자 장치	B43254	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	250 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.14 A @ 120 Hz	1.767 a @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43254E2337M000	귀 99	8532.22.0040	320
B25835K6684K7	-	RFQ	6711	epcos -tdk 전자 장치	B25835	대부분	쓸모없는	0.68 µF	± 10%				-25 ° C ~ 85 ° C		-	제동; 스 스				-		-		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	-			-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0030	20	900V	-	-
B25669L4577J375	-	RFQ	1496	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B2569L4577J375	쓸모없는		1
B43505C5157M62	-	RFQ	1121	epcos -tdk 전자 장치	B43505	대부분	활동적인	150 µF	± 20%	450 v	910mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	990 ma @ 100 Hz		1.07 옴	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	80
B32653A222K000	0.4333	RFQ	9761	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	2200 PF	± 10%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT				0.886 "(22.50mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	2,880	700V	2000V (2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41868R4108M	-	RFQ	5748	epcos -tdk 전자 장치	B41868	대부분	쓸모없는	1000 µF	± 20%	16 v	95mohm @ 10khz	150 ° C @ 150 ° C	-	극선	-	자동차		929 ma @ 100 kHz	88 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B41868R4108M000	귀 99	8532.22.0020	750
B43867A1686M	-	RFQ	9167	epcos -tdk 전자 장치	B43867	대부분	쓸모없는	68 µF	± 20%	160 v	-	1000 시간 @ 140 ° C	-	극선	-	범용	345 ma @ 120 Hz			0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43867A1686M000	귀 99	8532.22.0020	750
B43508C5277M82	-	RFQ	7924	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	270 µF	± 20%	450 v	460mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.31 A @ 100 Hz		640 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.268 "(32.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508C5277M 82	귀 99	8532.22.0040	120
B43041F2157M	-	RFQ	2470	epcos -tdk 전자 장치	B43041	대부분	쓸모없는	150 µF	± 20%	250 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	434 ma @ 120 Hz			0.295 "(7.50mm)	0.709 "DIA (18.00mm)	1.319 "(33.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.22.0020	250
B41821A9474M8	-	RFQ	3419	epcos -tdk 전자 장치	B41821	테이프 & t (TB)	쓸모없는	0.47 µF	± 20%	100 v	353ohm @ 120Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	10 ma @ 120 Hz			0.079 "(2.00mm)	0.197 "dia (5.00mm)	0.472 "(12.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41821A9474M008	귀 99	8532.22.0020	8,000
B43540A2128M62	-	RFQ	9616	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	1200 µF	± 20%	200 v	70mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.17 A @ 100 Hz		90 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B37830R0101K021	-	RFQ	3772	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	100pf	± 10%	25 v					-						0.054 "L x 0.039"W (1.37mm x 1.00mm)	0.028 "(0.70mm)		표면 표면	0504 (1410 ()			C0G, NP0	0405 (1012 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0020	5,000			세라믹	외딴	2
B41252B6568M	2.1812	RFQ	3885	epcos -tdk 전자 장치	B41252	대부분	활동적인	5600 µF	± 20%	50 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	3.11 a @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.000 "dia (25.40mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B41252B6568M000	귀 99	8532.22.0040	260
B43508F2397M000	-	RFQ	1052	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	쓸모없는	390 µF	± 20%	250 v	300mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.3 A @ 100 Hz		400 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B41580A5100M000	39.7400	RFQ	1932	epcos -tdk 전자 장치	B41580	대부분	활동적인	100000 µF	± 20%	25 v	9.4mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	15 a @ 100 Hz		7.6 Mohms	0.874 "(22.20mm)	2.032 "DIA (51.60mm)	4.201 "(106.70mm)	-	섀시, 마운트 스터드	방사형, 나사 - 캔 터미널					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	36
B32656S0155K501	-	RFQ	5558	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	1.5 µF	± 10%		5 Mohms		-55 ° C ~ 100 ° C		-	스 스				1.476 "(37.50mm)	1.654 "LX 1.220"W (42.00mm x 31.00mm)	1.043 "(26.50mm)		섀시 섀시	직사각형 직사각형	ESL	나사 나사			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	48	480V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43504A337M67	-	RFQ	9309	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	420 v	410mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.5 A @ 100 Hz		490 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
B41859C5687M000	0.2228	RFQ	3114	epcos -tdk 전자 장치	B41859	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	25 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	자동차		1.96 A @ 100 kHz	20 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B41859C5687M	귀 99	8532.22.0020	1,500
B43501C5157M60	-	RFQ	1901	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	150 µF	± 20%	450 v	880mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.1 A @ 100 Hz		1.07 옴	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B41042A8128M	-	RFQ	1944	epcos -tdk 전자 장치	B41042	대부분	쓸모없는	1200 µF	± 20%	63 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.26 A @ 120 Hz	2.511 A @ 100 kHz	88 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.709 "DIA (18.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41042A8128M000	귀 99	8532.22.0020	250
B41570A5688Q000	-	RFQ	1017	epcos -tdk 전자 장치	B41570	대부분	쓸모없는	6800 µF	-10%, +30%	25 v	32mohm @ 100Hz	10000 @ 105 ° C	-	극선	-	범용	6.4 a @ 100Hz		27 Mohms	0.500 "(12.70mm)	1.406 "DIA (35.70mm)	2.232 "(56.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0055	72

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²