전화 : +86-0755-83501315
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![]() | B43305E2567M82 | - | ![]() | 1090 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43305 | 대부분 | 활동적인 | 560 µF | ± 20% | 250 v | 230mohm @ 100Hz | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.13 a @ 100 Hz | 310 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.866 "DIA (22.00mm) | 1.654 "(42.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | Radial, can -snap -in -3 리드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 320 | |||||||||||
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![]() | B32526R3106K000 | 3.1209 | ![]() | 5312 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3252* -MKT 범용 | 대부분 | 활동적인 | 10 µF | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 자동차; EMI, RFI r | 1.476 "(37.50mm) | 1.634 "L x 0.472"W (41.50mm x 12.00mm) | 0.866 "(22.00mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0070 | 1,620 | 160V | 250V | 폴리 폴리 폴리, 에스테르 테레 프탈레이트 (PET), 금속 화 | |||||||||||||
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![]() | B43601A9127M67 | - | ![]() | 7848 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43601 | 대부분 | 활동적인 | 120 µF | ± 20% | 400 v | 900mohm @ 100Hz | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 980 ma @ 100 Hz | 1.22 옴 | 0.394 "(10.00mm) | 0.866 "DIA (22.00mm) | 1.260 "(32.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43601A9127M067 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 320 | ||||||||||
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![]() | B43508E228M60 | - | ![]() | 1452 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43508 | 대부분 | 활동적인 | 2200 µF | ± 20% | 250 v | 55mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 3.12 a @ 100 Hz | 75 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 2.244 "(57.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43508E2228M 60 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 120 | ||||||||||
![]() | B43508A2397M007 | - | ![]() | 3407 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43508 | 대부분 | 쓸모없는 | 390 µF | ± 20% | 200 v | 300mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.19 a @ 100 Hz | 400 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.866 "DIA (22.00mm) | 1.260 "(32.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 320 | |||||||||||
![]() | B43610B5827M050 | 10.4200 | ![]() | 2447 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43610 | 대부분 | 활동적인 | 820 µF | ± 20% | 450 v | 140mohm @ 100Hz | 5000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 3.95 A @ 100 Hz | 230 Mohms | 0.886 "(22.50mm) | 1.575 "DIA (40.00mm) | 1.850 "(47.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 -snap -in -4 리드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 495-B43610B5827M050 | 33 | |||||||||||||
![]() | B43505E2108M82 | - | ![]() | 4206 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43505 | 대부분 | 활동적인 | 1000 µF | ± 20% | 200 v | 130mohm @ 100Hz | 5000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 3.1 a @ 100 Hz | 160 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 1.858 "(47.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 120 | |||||||||||
B43501A3227M000 | - | ![]() | 4654 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43501 | 대부분 | 활동적인 | 220 µF | ± 20% | 385 v | 300mohm @ 100Hz | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.41 A @ 100 Hz | 490 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.984 "DIA (25.00mm) | 1.654 "(42.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 260 |
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