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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B41695A8228Q001	-	RFQ	4959	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																					-			영향을받습니다	495-B41695A8228Q001			1
B43508A5826M80	-	RFQ	1674	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	82 µF	± 20%	450 v	1.5ohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	580 ma @ 100 Hz		2.1	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.071 "(27.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508A5826M 80	귀 99	8532.22.0040	320
B43508A2827M7	-	RFQ	3262	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	200 v	140mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.95 A @ 100 Hz		200 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508A2827M 7	귀 99	8532.22.0040	320
B32620A0472K000	0.2100	RFQ	1357	epcos -tdk 전자 장치	B3262* -MKP High Pulse (스택)	대부분	활동적인	4700 pf	± 10%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.295 "(7.50mm)	0.394 "LX 0.197"W (10.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	4,000	500V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택
B41866C6396M006	-	RFQ	6514	epcos -tdk 전자 장치	B41866	대부분	마지막으로 마지막으로	39 µF	± 20%	50 v	3.239ohm @ 120Hz	125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		250 ma @ 100 kHz	688 Mohms	0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.512 "(13.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			-				495-B41866C6396M006	귀 99	8532.22.0020	1
B43305B2188M62	-	RFQ	4639	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	1800 µF	± 20%	200 v	70mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.23 A @ 100 Hz		100 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120
B43504A187M67	-	RFQ	1317	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	활동적인	180 µF	± 20%	420 v	750mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	980 ma @ 100 Hz		890 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
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B32529C0224K189	0.0902	RFQ	14	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.22 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)	0.287 "L x 0.098"W (7.30mm x 2.50mm)	0.256 "(6.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	2,800	40V	63V	"
B32526R3476K000	8.6413	RFQ	3769	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	47 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				1.476 "(37.50mm)	1.634 "L x 0.787"W (41.50mm x 20.00mm)	1.555 "(39.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	640	160V	250V	폴리 폴리 폴리, 에스테르 테레 프탈레이트 (PET), 금속 화
B41821F7107M8	-	RFQ	8348	epcos -tdk 전자 장치	B41821	테이프 & t (TB)	쓸모없는	100 µf	± 20%	35 v	2.3ohm @ 120Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	210 ma @ 120 Hz			0.197 "(5.00mm)	0.248 "dia (6.30mm)	0.472 "(12.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41821F7107M008	귀 99	8532.22.0020	8,000
B43508B5157M000	7.2800	RFQ	494	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	150 µF	± 20%	450 v	820mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	860 ma @ 100 Hz		1.15 옴	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	130
B41456B9479M003	94.8634	RFQ	7221	epcos -tdk 전자 장치	B41456	대부분	활동적인	47000 µF	± 20%	100 v	5MOHM @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	24 a @ 100 Hz		6 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.028 "dia (76.90mm)	5.677 "(144.20mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	32
B32672Z5473J000	0.1817	RFQ	2826	epcos -tdk 전자 장치	B3267* Z* - 고전류 PFC	대부분	활동적인	0.047 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	전력 전력 보정 (PFC)				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.197"W (18.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B32672Z5473J000	귀 99	8532.25.0010	4,000	277V	520V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43640F2827M002	5.2033	RFQ	9013	epcos -tdk 전자 장치	B43640	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	250 v	100. 100Hz	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.9 a @ 100 Hz		150 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드			-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B43640F2827M002	귀 99	8532.22.0040	160
B43510B9188M80	-	RFQ	9147	epcos -tdk 전자 장치	B43510	대부분	활동적인	1800 µF	± 20%	400 v	80mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	7.2 a @ 100 Hz			-	-	-	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43510B9188M080	귀 99	8532.22.0055	56
B43821A4157M000	-	RFQ	9741	epcos -tdk 전자 장치	B43821	대부분	쓸모없는	150 µF	± 20%	350 v	2.2ohm @ 120Hz	3000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	700 ma @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	0.787 "DIA (20.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	200
B41858D3398M	-	RFQ	6671	epcos -tdk 전자 장치	B41858	대부분	활동적인	3900 µF	± 20%	10 v	38mohm @ 10khz	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	자동차		2.146 A @ 100 kHz	33 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B41858D3398M000	귀 99	8532.22.0020	750
B43733A6478M000	138.9861	RFQ	6896	epcos -tdk 전자 장치	B43733	대부분	활동적인	4700 µF	± 20%	500 v	22mohm @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	17.5 a @ 100 Hz		34 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.543 "DIA (90.00mm)	5.728 "(145.50mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널			-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	495-B43733A6478M000	귀 99	8532.22.0085	18
B43231A1188M	-	RFQ	2215	epcos -tdk 전자 장치	B43231	대부분	활동적인	1800 µF	± 20%	160 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.39 a @ 120 Hz	6.804 a @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43231A1188M000	귀 99	8532.22.0040	120
B32652A4474J000	1.0700	RFQ	5	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	0.47 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	자동차; DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스				0.591 "(15.00mm)	0.709 "LX 0.354"W (18.00mm x 9.00mm)	0.689 "(17.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	500	200V	400V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41888A2337M	-	RFQ	2589	epcos -tdk 전자 장치	B41888	대부분	쓸모없는	330 µf	± 20%	6.3 v	1.31ohm @ 120Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		360 ma @ 100 kHz	300 Mohms	0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.472 "(12.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B41888A2337M	귀 99	8532.22.0020	1
B41695A8188Q7	-	RFQ	7252	epcos -tdk 전자 장치	B41695	대부분	쓸모없는	1800 µF	-10%, +30%	63 v	55mohm @ 100Hz	125 ° C @ 3000 시간	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	자동차		5.3 a @ 10 kHz	30 Mohms	-	0.827 "DIA X 1.535"L (21.00mm x 39.00mm)	-	-	구멍을 구멍을	축, 수 할 있습니다			다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	280
B43516B9128M000	24.4205	RFQ	3596	epcos -tdk 전자 장치	B43516	대부분	활동적인	1200 µF	± 20%	400 v	65mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	4.33 A @ 100 Hz		95 Mohms	0.886 "(22.50mm)	1.575 "DIA (40.00mm)	3.031 "(77.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43516B9128M	귀 99	8532.22.0055	66
B43254A4337M	-	RFQ	6808	epcos -tdk 전자 장치	B43254	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	350 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.31 a @ 120 Hz	2.03 a @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.000 "dia (25.40mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43254A4337M000	귀 99	8532.22.0040	260
B41505A8158M000	2.2210	RFQ	8444	epcos -tdk 전자 장치	B41505	대부분	활동적인	1500 µF	± 20%	63 v	100. 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.4 a @ 100 Hz		106 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
B43457B4109M003	-	RFQ	7920	epcos -tdk 전자 장치	B43457	대부분	쓸모없는	10000 µf	± 20%	350 v	20mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	17 a @ 100 Hz			1.248 "(31.70mm)	3.583 "DIA (91.00mm)	5.728 "(145.50mm)	-	섀시, 마운트 스터드	방사형, 나사 - 캔 터미널			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	18
B43540A9687M000	18.6700	RFQ	202	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	새로운 새로운 아닙니다	680 µF	± 20%	400 v	95mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.05 a @ 100 Hz		110 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.244 "(57.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	60
B41041A3688M	-	RFQ	4760	epcos -tdk 전자 장치	B41041	대부분	쓸모없는	6800 µF	± 20%	10 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.899 a @ 120 Hz	2.11 a @ 100 kHz	45 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.319 "(33.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41041A3688M000	귀 99	8532.22.0020	250
B32559C1394J289	-	RFQ	9558	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는																					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B32559C1394J289TB	쓸모없는		3,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
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표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²